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Eletrônica Geral Material Teórico Responsável pelo Conteúdo: Prof. Esp. Diego Bomfim Pedretti Revisão Textual: Prof. Esp. Luciano Vieira Francisco Estudo de Diodos e Circuitos com Diodos • Diodos; • Diodos Ideais e Reais; • Barreira de Potencial; • Corrente de Fuga Superficial; • Ruptura; • Modos de Polarização do Diodo Semicondutor; • Técnicas de Análise de Circuitos com Diodos; • Tipos de Diodo; • Aplicações de Diodos. · Verificar o funcionamento dos diodos semicondutores e suas aplica- ções como retificadores de tensão. OBJETIVO DE APRENDIZADO Estudo de Diodos e Circuitos com Diodos Orientações de estudo Para que o conteúdo desta Disciplina seja bem aproveitado e haja maior aplicabilidade na sua formação acadêmica e atuação profissional, siga algumas recomendações básicas: Assim: Organize seus estudos de maneira que passem a fazer parte da sua rotina. Por exemplo, você poderá determinar um dia e horário fixos como seu “momento do estudo”; Procure se alimentar e se hidratar quando for estudar; lembre-se de que uma alimentação saudável pode proporcionar melhor aproveitamento do estudo; No material de cada Unidade, há leituras indicadas e, entre elas, artigos científicos, livros, vídeos e sites para aprofundar os conhecimentos adquiridos ao longo da Unidade. Além disso, você também encontrará sugestões de conteúdo extra no item Material Complementar, que ampliarão sua interpretação e auxiliarão no pleno entendimento dos temas abordados; Após o contato com o conteúdo proposto, participe dos debates mediados em fóruns de discus- são, pois irão auxiliar a verificar o quanto você absorveu de conhecimento, além de propiciar o contato com seus colegas e tutores, o que se apresenta como rico espaço de troca de ideias e de aprendizagem. Organize seus estudos de maneira que passem a fazer parte Mantenha o foco! Evite se distrair com as redes sociais. Mantenha o foco! Evite se distrair com as redes sociais. Determine um horário fixo para estudar. Aproveite as indicações de Material Complementar. Procure se alimentar e se hidratar quando for estudar; lembre-se de que uma Não se esqueça de se alimentar e de se manter hidratado. Aproveite as Conserve seu material e local de estudos sempre organizados. Procure manter contato com seus colegas e tutores para trocar ideias! Isso amplia a aprendizagem. Seja original! Nunca plagie trabalhos. UNIDADE Estudo de Diodos e Circuitos com Diodos Diodos Figura 1 – Estrutura física do diodo Fonte: iStock/Getty Images O diodo é um componente eletrônico com dois eletrodos – daí a origem de seu nome: di = dois; odo = eletrodo –, construído a partir de cristais de material semicondutor, capaz de permitir, ou não, a passagem de corrente elétrica, conforme o tipo de polarização a que está submetido. Para entender como diodos, transistores e circuitos integrados funcionam, você precisa compreender o que são os semicondutores: materiais que não são nem condutores, nem isolantes. Semicondutores contêm alguns elétrons livres, mas o que os torna incomuns é a presença de lacunas. Semicondutores Os melhores condutores – prata, cobre e ouro – têm um elétron de valência, enquanto que os melhores isolantes têm oito elétrons de valência. Assim, um semi- condutor é um elemento com propriedades elétricas entre as de um condutor e de um isolante. Como você poderia esperar, os melhores semicondutores têm quatro elétrons de valência, entre os quais: · Germânio: é um exemplo de semicondutor com quatro elétrons na última camada, muito utilizado há anos e que caiu em desuso devido a uma falha ligada à sua alta corrente reversa – veremos corrente reversa em breve –, falha que não foi possível corrigir; · Silício: é um dos elementos mais abundantes na natureza, de modo que sem a sua descoberta e possibilidade de refino as comunicações e os com- putadores seriam impossíveis, já que possui, quando isolado, quatorze pró- tons e quatorze elétrons – como pode ser visto na Figura 2. 8 9 Ge +32 Si +14 Figura 2 – Estruturas atômicas do germânio e do silício Fonte: Adaptado de Wikimedia Commons Valência e Cristais A valência de um átomo está relacionada ao número de elétrons que esse possui em sua última camada. Assim e por exemplo, se um átomo possui: · Dois elétrons na última camada, será bivalente; · Três elétrons na última camada, será trivalente; · Quatro elétrons na última camada, será tetravalente; · Cinco elétrons na última camada, será pentavalente. Os átomos de germânio e silício, em seu estado natural, possuem quatro elé- trons na última camada, sendo, portanto, tetravalentes. Mas o que significa isso? A estabilidade de um átomo depende do número de elétrons em sua última ca- mada. Na maioria dos casos, um átomo é dito estável quando possui oito elétrons na última camada. Basicamente, existem três formas de um átomo, naturalmente instável, obter o seu equilíbrio, vejamos: 1. Recebendo elétrons de outros átomos; 2. Doando elétrons para outros átomos; 3. Compartilhando elétrons com outros átomos. Assim, um átomo com menos de quatro elétrons na última camada pode doar elétrons para se estabilizar, enquanto um átomo com mais de quatro elétrons pode receber elétrons para se tornar estável. Já um átomo com quatro elétrons na últi- ma camada tende a compartilhar elétrons com outros átomos para se estabilizar. A união de átomos que compartilham elétrons forma estruturas complexas, chama- das de cristais. Assim, um cristal de silício é a união de átomos de silício em uma estrutura complexa e estável. 9 UNIDADE Estudo de Diodos e Circuitos com Diodos Dopagem de um Semicondutor Uma forma de aumentar a condutividade de um semicondutor é por dopa- gem, ou seja, adição de átomos de impureza em um cristal intrínseco alterando a sua condutividade elétrica. Um semicondutor dopado é denominado semicon- dutor extrínseco. Após o processo de dopagem, o semicondutor assume características elétricas diferentes dependendo do processo de dopagem que sofreu, podendo se dividir em materiais extrínsecos de tipos: · n. Tanto o material de tipos p quanto n são formados pela adição de um número predeterminado de átomos de impureza em uma base de germânio ou silício. O de tipo n é criado introduzindo-se os elementos de impureza que possuem cinco elétrons de valência, tais como antimônio, arsênico e fósforo; · p. É formado dopando-se um cristal de germânio ou silício puro com átomos de impureza, apresentando três elétrons de valência. Os elemen- tos frequentemente usados para esse propósito são o boro, gálio e índio. Diodo Semicondutor Ânodo Cátado Ânodo Cátado Figura 3 – Diodo físico e simbologia elétrica do diodo semicondutor O diodo semicondutor é formado juntando-se simplesmente o material de tipos n e p em uma mesma base Ge ou Si, conforme mostrado na Figura 4. + + + + – – – – P N Átomos pentavalentesÁtomos trivalentes Figura 4 – Formação do diodo semicondutor Fonte: Adaptado de Duarte, 2017 10 11 Por que se usa o termo semicondutor? O material semicondutor leva este nome porque conduz apenas corrente elétrica em um sentido; no caso do diodo, condu z a corrente elétrica somente quando polarizado direta- mente, por exemplo. Ex pl or Diodos Ideais e Reais Diodo ideal, como o próprio nome sugere, é aquele cujo modelo ideal conside- ra o diodo como um elemento sem perdas. Quando a corrente estiver circulando pelo diodo – polarização direta –, não haverá queda de tensão sobre o qual – des- considera-se a tensão de barreira, ou seja, faz-se Vb = 0 V (Figura 5). A K On A K Figura 5 – Diodo representado como chave fechada Fonte: Adaptado de Duarte, 2017 Quando o diodo estiver reversamente polarizado, não haverá corrente no circui- to, ou seja, a corrente de fuga será considerada igual a 0A. O componente elétrico que corresponde a esse tipo de funcionamento é a chave elétrica – ou interruptor –, cujo símbolo é mostrado na Figura 6. A K O�A K Figura 6 – Diodo representado como chave aberta. Fonte: Adaptado de Duarte, 2017 Já o diodo real é aquele como uma chave em série com uma bateria e resistor. Tal modelo representa todas as perdas que podem existir em um diodo. Além da tensão de barreira, esse modelo evidencia um resistor para representar as perdas durante a passagem da corrente pelo corpo do diodo – resistência de corpo do diodo –, apesar de essas serem desprezíveis. A K O� A K+ –r Vb A K On A K+ –r Vb Figura 7 – Representação do diodo real com perdas na junção Fonte: Adaptado de Duarte, 2017 11 UNIDADE Estudo de Diodos e Circuitos com Diodos A queda de tensão na junção do diodo é de 0,7 V para Si e 0,2 V para germânio, de modo que tal queda de tensão se deve a uma barreira que se forma na junção, chamada de barreira de potencial. Ex pl or Barreira de Potencial Cada tipo dipolo tem um campo elétrico entre os íons positivos e negativos. Portanto, se elétrons livres adicionais entram na camada de depleção – região da divisa entre o material de tipos n e p –, o campo elétrico tenta empurrá-los de volta à região n. A força do campo elétrico busca aumentar em cada travessia de elétrons até que o equilíbrio seja atingido. Uma primeira aproximação significa que o campo elétrico finalmente interrompe a difusão de elétrons por meio da junção. O campo elétrico entre os íons é equivalente a uma diferença de potencial denominada potencial de barreira. A 25ºC, a barreira de potencial é igual a 0,3 V ao germânio e 0,7 V ao silício. Corrente de Fuga Superficial Existe uma corrente que aparece em um diodo reversamente polarizado que flui através da superfície do cristal. Conhecida como corrente de fuga, é causada pelas impurezas da superfície e imperfeições na estrutura cristalina. Ruptura Diodos possuem especificações máximas de tensão reversa que podem suportar antes de serem destruídos, pois, como sabemos, um diodo reversamente polarizado não conduz corrente elétrica. Assim, para sabermos estes valores, entres outros máximos e mínimos de um diodo, devemos consultar a sua folha de dados ou data sheet – fornecida por seu fabricante. Exemplo de data sheet em: https://goo.gl/HKM1Ls Ex pl or Importante! Um diodo ideal é aquele em que as perdas não são levadas em consideração; já no diodo real estão consideradas as perdas relativas. Em Síntese 12 13 Modos de Polarização do Diodo Semicondutor · Polarização direta – ou ligada: a condição desta polarização é estabele- cida aplicando-se o potencial positivo ao material de tipo p, e o potencial negativo ao material de tipo n (Figura 8a) – neste momento, o diodo se comporta como uma chave fechada (Figura 8b); I V R (a) D + + + – –– I V R (b) D + + + – –– Figura 8 – Diodo polarizado diretamente Fonte: Adaptado de Duarte, 2017 · Polarização reversa – ou desligada: sua condição é estabelecida apli- cando-se o potencial positivo ao material de tipo n, e o potencial negativo ao material de tipo p (Figura 9a) – neste momento, o diodo se comporta como uma chave aberta (Figura 9b); I V R (a) D + + + – –– I V R (b) D + + + – –– Figura 9 – Diodo polarizado reversamente Fonte: Adaptado de Duarte, 2017 Técnicas de Análise de Circuitos com Diodos Para resolver um circuito com diodos em Corrente Contínua (CC), deve-se pro- ceder da seguinte forma e ordem: 1º. Verifi cam-se os sentidos das quedas de tensão nos componentes, de acor- do com os percursos das correntes no circuito – usando o sentido conven- cional para a corrente; 2º. Verifi ca-se se os diodos estão diretamente polarizados, ou se estão rever- samente polarizados, trocando-os pelos modelos adequados em cada caso. 13 UNIDADE Estudo de Diodos e Circuitos com Diodos Como padrão, pode-se utilizar o modelo prático e, para a polarização direta, a chave no modelo estará fechada; enquanto que na polarização reversa, usa-se a chave aberta; 3º Trocados os diodos pelos seus modelos, basta resolver o circuito resultante de acordo com as leis de Kirchhoff e de Ohm. Vejamos exemplos e suas soluções. V1 + – D1 D2 D3 D4R110 V 2 kΩ 1 kΩ R3 R2 10 kΩ Figura 10 – Exemplo de circuito com diodos em CC Fonte: Adaptado de Duarte, 2017 Com a corrente partindo da fonte V1, tem-se os seguintes sentidos para as que- das de tensão do circuito: V1 D1 D2 D3 D4R110 V 2 kΩ 1 kΩ R3 R2 10 kΩ + – + – + – + – + – + – + – + – I3I1 I5 I2 I4 Figura 11 – Sentidos das quedas de tensão ao circuito da Figura 10 Fonte: Adaptado de Duarte, 2017 V1 D1 D2 D3 D4R110 V 2 kΩ 1 kΩ R3 R2 10 kΩ + – + – + – + – + – + – + – + – I3I1 I5 I2 I4 + – + – + – + – A B C Figura 12 – Circuito com os diodos trocados por seus modelos Fonte: Adaptado de Duarte, 2017 Observando a Figura 12, notamos que para diferenciar a queda de tensão no diodo – externa à caixa – da queda de tensão da bateria interna do modelo – inter- na à caixa –, os diodos estão representados com os seus modelos em retângulos. Quando os diodos estão em polarização reversa, esses sentidos se tornam opostos. Ademais, nota-se que a queda de tensão no diodo, polarizado reversamente, não é a mesma que o sentido da fonte interna do modelo – veja o caso de D3. 14 15 Além disso, deve-se lembrar que os diodos com polarização direta terão queda de tensão igual à sua tensão de barreira (Vb = 0,7 V para diodos de silício e 0,3 V para diodos de germânio). Os diodos com polarização reversa possuem corrente igual a zero devido ao aumento da barreira de potencial – a tensão de barreira escolhida como padrão será 0,7 V. No caso dos diodos em polarização direta, deve-se encontrar a corrente que passa pelos quais. Para diodos em polarização reversa, deve-se achar o valor de tensão aplicada em seus terminais. Portanto, analisando-se o circuito da Figura 12, temos: Da malha A, utilizando o percurso no sentido horário: +10 - VD1 - VR1 = 0 V. Como VD1 = 0,7 V (Vb), VR1 = 10 - 0,7 = 9,3 V. Pela Lei de Ohm, tem-se: I2 = VR R K mA 1 1 9 3 2 4 65= = , , Ω I4 = 0 A (circuito aberto); logo, VR2 = I4 · R2 = 0 · 10 kΩ = 0 V Da malha B, tem-se: +VR1 - VD2 - VD3 - VR2 = 0 V e VD2 = 0,7 V (Vb); assim: 9,3 - 0,7 - VD3 - 0 = 0; de onde se conclui que: VD3 = 8,6 V Da malha C: +VR2 + VD3 - VR3 - VD4 = 0 V e VD4 = 0,7 V (Vb); assim: 0 + 8,6 - VR3 - 0,7 = 0; logo, VR3 = 7,9 V Pela Lei de Ohm: I5 = VR R K mA 3 3 7 9 1 7 9= = , , Ω Do nó E: I3 = I4 + I5 = 0 + 7,9 = 7,9 mA Do nó D: I1 = I2 + I3 = 4,65 + 7,9 = 12,55 mA Em resumo: Na fonte: V1 = 10 V I1 = 12,55 mA Em D1: VD1 = 0,7 V I1 = 12,55 mA Em R1: VR1 = 9,3 V I2 = 4,65 mA Em D2: VD2 = 0,7 V I3 = 7,9 mA Em D3: VD3 = 8,6 V I4 = 0 A Em R2: VR2 = 0 V I4 = 0 A Em R3: VR3 = 7,9 V I5 = 7,9 mA Em D4: VD4 = 0,7 V I5 = 7,9 mA 15 UNIDADE Estudo de Diodos e Circuitos com Diodos Tipos de Diodo Figura 13 – Tipos de invólucro dos diodos Fonte: Adaptado de sindopower.com.br · Diodo schottky: no lugar de material semicondutor de tipo P, utiliza-se um metal; não haverá lacunas que possam disparar elétrons advindos dos ou- tros materiais durante a corrente direta. Seu principal destaque é o menor tempo de recuperação, pois não há recombinação de cargas do diodo de junção. Outra vantagem é a maior densidade de corrente, o que significa uma queda de tensão direta menor que a do diodo comum de junção – a contrapartida é uma corrente inversa maior, o que pode impedir o uso em alguns circuitos. São usados principalmente em circuitos de alta frequência e velocidade de comutação; · Varicap ou varactor: tem capacidade variável em função da tensão apli- cada. São basicamente diodos construídos especificamente para funciona- rem como capacitores variáveis cuja capacitância varia de acordo com a tensão aplicada; Figura 14 – Símbolo do diodo schottky Fonte: Adaptado de Wikimedia Commons Figura 15 – Símbolo do varicap Fonte: Adaptado de Wikimedia Commons 16 17 · Light Emitter Diode (LED) – diodo emissor de luz:em uma corrente direta, quando os elétrons se recombinam com as lacunas – após passarem pela região de depleção –, dissipam energia de alguma forma – ou seja, a diferença de energia inicial e fi nal. Diodos zener, por exemplo, dissipam essa energia na forma de calor; LED, no entanto, irradiam luz. Por meio da utilização de elementos como gálio, arsênio e fósforo, por exemplo, podem ser produzidos LED que irradiam no vermelho, laranja, amarelo, verde, azul ou infravermelho; · Fotodiodo: é basicamente um diodo de junção com características cons- trutivas para direcionar a incidência de luz à camada P. Esta, por sua vez, é signifi cativamente fi na e sua espessura tem relação ao comprimento de onda da luz a detectar; A K Figura 16 – Símbolo do LED Fonte: Adaptado de Wikimedia Commons + – Figura 17 – Símbolo do fotodiodo Fonte: Adaptado de Wikimedia Commons · Optoacoplador: os acopladores ópticos são dispositivos que operam por meio de um feixe de luz para transmitir sinais de um circuito para outro, sem a ligação elétrica; · Diodo zener: utilizado como regulador de tensão, é feito para funcionar na região de ruptura, utilizado como regulador de tensão; Figura 18 – Símbolo do optoacoplador Fonte: Adaptado de Wikimedia Commons Figura 19 – Símbolo do diodo laser Fonte: Adaptado de Wikimedia Commons · Diodo Laser (LD): é um componente eletrônico semicondutor, formado por uma junção pn semelhante à encontrada em um diodo de emissão de luz (LED); · Varistor: corresponde a dispositivos que podem ser comparados a dois diodos zener, um de costas ao outro, de maneira que há alta tensão de rup- tura nos dois sentidos, podendo ser usados como fi ltros, ou para proteger equipamentos de picos de tensão, por exemplo. 17 UNIDADE Estudo de Diodos e Circuitos com Diodos Ânodo Catodo LED Figura 20 – Símbolo do LED Fonte: Adaptado de Wikimedia Commons Figura 21 Fonte: Adaptado de Wikimedia Commons Aplicações de Diodos Retificação de Sinais Retificador é um dispositivo que permite que uma tensão ou Corrente (CA) – comumente senoidal – seja retificada e transformada em contínua. Existem vários processos e diversos tipos de retificação, considerando-se a mais comum das retifi- cações a transformação de uma corrente alternada senoidal em corrente contínua. Circuitos retificadores de meia onda: A Figura 22 mostra o circuito de uma fonte de alimentação com retificador em meia onda, sem filtro. Comumente, o transformador será ligado a uma tomada de energia elétrica, recebendo em sua entrada a tensão alternada em forma de onda senoidal – fornecida pela concessionária local de energia elétrica. Considerando o transformador abaixador, tem-se, em sua saída, a mesma forma de onda da entrada, com menor nível de tensão. As figuras 23 e 24 mostram a ideia básica da relação entre as formas de onda de entrada do transformador e de entrada do retificador – saída do transformador. 18 19 0 0 0 127Vef 60Hz Tensão alternada Tensão ContínuaRL 1L A B Diodo + – Figura 22 – Circuito de uma fonte de retifi cação de meia onda Tensão de entrada o π 2π t Figura 23 – Forma de onda de entrada Tensão de saída o π 2π t VP Figura 24 – Forma de onda de saída em tensão DC de meia onda Observando a Figura 26, nota-se que, durante o intervalo de tempo do semiciclo positivo, o sinal senoidal apresenta valores de amplitudes sempre positivos. Pode- -se, para esse intervalo, analisar o circuito da Figura 26 usando aquele mostrado na Figura 22. No transformador, a tensão senoidal para o semiciclo positivo assume a polaridade mostrada – os potenciais nós componentes do circuito surgem confor- me indicado na própria Figura. Nesse caso, o diodo está polarizado diretamente e, portanto, está em condução. 19 UNIDADE Estudo de Diodos e Circuitos com Diodos V2p representa a tensão máxima – de pico – fornecida pelo transformador – em seu secundário – e corresponde a V2p = V2 · √2. Considerando o diodo ideal – sem perdas –, as formas de onda em cada componente do circuito são mostradas na Figura 25 apenas ao semiciclo positivo (+): t + – V2(t) V2p –V2p t + Vd(t) V2p –V2p t + Vri(t) V2p –V2p Figura 25 – Forma de onda nos componentes do semiciclo positivo 20 21 Observando a Figura 26, existe apenas forma de onda positiva na carga, de modo que não há mais mudança de polaridade da tensão. A condução se dá em apenas um sentido. Dito de outra forma, a tensão média na carga deixa de ser zero volt e assume um valor positivo. Na prática, a tensão média na carga ao circuito retificador de meia onda, sem filtro – ou ainda, a tensão contínua na saída do retificador –, será proporcional à área sob a curva para um período, sendo encontrada a partir da seguinte expressão: Vcc = 0,318 · V2p t Vri(t) V2p –V2p T Figura 26 – Forma de onda na carga para um retifi cador de meia onda durante quatro ciclos completos Assim, no circuito retificador de meia onda temos: Tensã o mé dia na carga: Vdc = Vmá x / π Corrente mé dia na carga e no diodo: Idc = Imá x / π Tensã o eficaz na carga: Vef = Vmá x / 2 Corrente eficaz na carga e no diodo: Ief = Imá x / 2 Ademais, as especificações do diodo, para assegurar o seu correto funcionamento, devem ser as seguintes: IFmá x > Imá x / π VRmá x > Vmá x Circuitos retificadores de onda completa: Retificador de onda completa com ponto neutro: Inicialmente, vejamos como se comporta o secundário de um transformador com derivação central em ponto neutro. 21 UNIDADE Estudo de Diodos e Circuitos com Diodos 127 Vef 60Hz + + + A B C D1 D2 I2 I1 IL RL VCC + + - Figura 27 – Retificador de onda completa com ponto neutro Considere tensão VS! = tensão entre A e C, tensão VS2 tensão entre B e C. Ligando a derivação central do secundário ao potencial zero do circuito – pon- to neutro – e estando a tensão do primário no semiciclo positivo, o ponto A do secundário tem potencial positivo em relação ao ponto neutro; o ponto B tem potencial negativo. Quando a polaridade da tensão do primário muda para negativa, o ponto A do secundário passa a ter potencial negativo em relação ao ponto neutro, enquanto o ponto B passa a ter potencial positivo. Logo, podemos concluir que as formas de onda de VS1 e VS2 têm o mesmo valor eficaz, mas estão sempre defasadas de 180o entre si, como mostram os grá- ficos da Figura 27. Quando a tensão no primário está no semiciclo positivo, a tensão VS1 do secundário também o está, de modo que o diodo D1 tem o seu anodo positivo e, assim, conduz, tal como mostra a Figura 27. Simultaneamente, a tensão VS2 está negativa, polarizando reversamente o dio- do D2, fazendo com que se comporte como um circuito aberto – ou seja, não con- duzindo. Na carga RL, a corrente circula no sentido de cima para baixo. A tensão é igual a VS1 com a polaridade indicada na Figura 27, ou seja, com potencial positivo no seu terminal superior. Quando a tensão no primário passa ao semiciclo negativo, a tensão VS1 também está negativa, polarizando reversamente o diodo D1, fazendo com que se comporte como um circuito aberto, logo, não conduzindo, tal como indica a Figura 27. Simultaneamente, a tensão VS2 do secundário está positiva, fazendo com que o diodo D2 esteja com o anodo positivo e, portanto, conduzindo. Na carga RL, novamente a corrente circula no sentido de cima para baixo, mas a tensão é igual a VS2, com a polaridade igual à situação anterior, isto é, com potencial positivo em seu terminal superior. Nesse circuito, a tensão na carga também é 0,6 V menor que a do secundário do transformador, portanto, a tensão real na carga é: VL = VS1 - 0,6 = VS2 - 0,6 22 23 Se a tensã o no diodo for muito menor do que Vmá x, pode ser desprezada. Nesse circuito cada diodo conduz somente meio ciclo de onda, exatamente como no retificador de meia onda. A carga conduz corrente nos dois semiciclos e no mesmo sentido, de modo que nessa a tensã o e corrente são contínuas – e não mais alternadas,porém, pulsantes. Assim, no circuito retificador de onda completa com ponto neutro, temos: Tensã o mé dia na carga: Vdc = 2 · Vmá x / π Corrente mé dia na carga: Idc = 2 · Imá x / π Tensã o eficaz na carga: Vef = Vmá x / √2 Corrente eficaz na carga: Ief = Imá x / √2 Corrente mé dia nos diodos: Idc = Imá x / π Observe que como cada diodo conduz apenas em um semiciclo, a sua corrente mé dia é a metade da corrente mé dia na carga. As especificações dos diodos para assegurar o seu correto funcionamento devem ser as seguintes: IFmá x > Imá x / π VRmá x > 2 · Vmá x Ponte de diodos: Retificador de onda completa em ponte: A Figura 29 apresenta um circuito retificador de onda completa em ponte com carga resistiva. Nesse circuito a polaridade da tensã o do secundá rio do transformador acompanha a polaridade da tensã o do primário. Figura 28 – Retifi cador de onda completa em ponte Fonte: Wikimedia Commons 23 UNIDADE Estudo de Diodos e Circuitos com Diodos D3 D1 D2 - + - + D4 RL + - + -- + - +0 Vin t 0 Vout t D3 D1 D2 + - + - D4 RL - + - + + - + - 0 Vin t 0 Vout Vp(out) t Figura 29 – Formas de onda da retificação em ponte No intervalo de tempo em que a tensão VS do secundário é positiva, ou seja, com ponto 1 positivo em relação ao ponto 2, os diodos D2 e D4 conduzem em série – isso ocorre porque as tensões sobre os quais polarizam-nos diretamente, conforme mostra a Figura 29. Na carga RL, a corrente circula no sentido de cima para baixo e a tensão é VL com a polaridade indicada na Figura 29, isto é, com potencial positivo no seu terminal superior. Na carga RL, novamente a corrente circula no sentido de cima para baixo e a tensão é VL com a mesma polaridade da situação anterior, isto é, com potencial positivo no seu terminal superior. Nesse circuito, como há sempre dois diodos em série, a tensão na carga é 1,2 V menor que a do secundário do transformador. Portanto, a tensão real na carga é VL = VS - 1,2 A queda de tensão nos diodos pode ser desprezada nos casos em que for muito menor do que Vmáx. Nesse circuito, cada par de diodos conduz somente meio ciclo de onda, mas a carga conduz corrente nos dois semiciclos e no mesmo sentido. Nessa, a tensão e corrente são contínuas pulsantes. No circuito retificador de onda completa em ponte, temos: Tensão média na carga: Vdc = 2 · Vmáx / π Corrente média na carga: Idc = 2 · Imáx / π Tensão eficaz na carga: Vef = Vmáx / √2 Corrente eficaz na carga: Ief = Imáx / √2 Corrente média nos diodos: Idc = Imáx / π 24 25 Nesse retificador, a corrente mé dia nos diodos é a metade da corrente mé dia na carga. Ademais, as especificações dos diodos para assegurar o seu correto funcio- namento devem ser as seguintes: IFmá x > Imá x / π VRmá x > Vmá x 25 UNIDADE Estudo de Diodos e Circuitos com Diodos Material Complementar Indicações para saber mais sobre os assuntos abordados nesta Unidade: Sites LEDs versus Lâmpadas Convencionais: viabilizando a troca https://goo.gl/knhcVo Livros Laboratório de Eletricidade e Eletrônica CAPUANO, F. G.; MARINO, M. A. M. Laboratório de eletricidade e eletrônica. 24. ed. São Paulo: Erica, 2007. Eletrônica Aplicada CRUZ, E. C. A.; CHOUERI JR, S. Eletrônica aplicada. 2. ed. São Paulo: Erica, [20--?]. Eletrônica Analógica Básica DUARTE, M. de A. Eletrônica analógica básica. Rio de Janeiro: LTC, 2017. Vídeos Fabricação de Semicondutores https://youtu.be/HmvppRT9nm4 Teoria sobre Semicondutores https://youtu.be/snLCgz7W22Y Leitura Derating of Schottky Diodes https://goo.gl/AkRBfo Diodo e Ponte Retificadora https://goo.gl/EvCMQ4 26 27 Referências CAPUANO, F. G.; MARINO, M. A. M. Laboratório de eletricidade e eletrônica. 24. ed. São Paulo: Erica, 2007. DUARTE, M. de A. Eletrônica analógica básica. Rio de Janeiro: LTC, 2017. 27
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