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É óbvio que VD = VDS e VG = VGS com base no fato de 
que VS = 0 V, mas as deduções anteriores foram incluídas 
para enfatizar a relação entre as notações com subscritos du-
plo e simples. Uma vez que a configuração necessita de duas 
fontes CC, seu emprego é limitado e, portanto, ela não será 
incluída na lista de configurações com FET mais utilizadas.
ExEmplo 7.1
Determine os seguintes parâmetros para o circuito da 
Figura 7.6.
a) VGSQ.
b) IDQ.
c) VDS.
d) VD.
e) VG.
f) VS.
Solução:
Método matemático
a) VGSQ = –VGG = –2 V
b) 
IDQ = IDSSa1 -
VGS
VP
b
2
= 10 mAa1 -
-2 V
-8 V b
2
= 10 mA(1 – 0,25)2 = 10mA(0,75)2 
= 10 mA(0,5625) = 5,625 mA
c) VDS = VDD – IDRD = 16 V – (5,625 mA)(2 kΩ)
 = 16 V – 11,25 V = 4,75 V
d) VD = VDS = 4,75 V
e) VG = VGS = –2 V
f) VS = 0 V
Método gráfico A curva resultante da equação de 
Shockley e a reta vertical em VGS = –2 V são fornecidas 
na Figura 7.7. É certamente difícil obter uma precisão 
além da segunda casa decimal sem aumentar significa-
tivamente o tamanho da figura, mas uma solução de 5,6 
mA do gráfico da Figura 7.7 é um valor bastante aceitável. 
a) Portanto, VGSQ = –VGG = –2 V.
b) IDQ = 5,6 mA
c) VDS = VDD – IDRD = 16 V – (5,6 mA)(2 kΩ)
 = 16 V – 11,2 V = 4,8 V
d) VD = VDS = 4,8 V
e) VG = VGS = –2 V
f) VS = 0 V
Os resultados confirmam claramente que os métodos 
gráfico e matemático geram resultados bem parecidos.
7.3 Configuração Com 
auTopolarização
A configuração com autopolarização elimina a ne-
cessidade de termos duas fontes CC. A tensão de controle 
porta-fonte passa a ser determinada pela tensão através do 
resistor RS colocado no terminal de fonte do JFET, como 
mostra a Figura 7.8.
2 V
1 M
D
S
G
kΩ2
16 V
VP
= 10 mAIDSS
= –8 V+
–
VGS
Ω
+
–
 
Figura 7.6 Exemplo 7.1.
 
Figura 7.8 Configuração de JFET com autopolarização.
ID (mA)
VGS
VP
0
IDSS
IDQ
= 10 mA
1
2
3
4
5
6
7
8
9
 1 3 5 6 7
= –8 V
4
IDSS = 2,5 mA
= 5,6 mA
2
VP VGSQ = –VGG
Ponto Q
 4 2
= –4 V = –2 V
––––––– 8–
 
Figura 7.7 Solução gráfica para o circuito da Figura 7.6.
356 Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos
Boylestad_2012_cap07.indd 356 3/11/13 5:54 PM
Para a análise CC, novamente os capacitores podem 
ser substituídos por “circuitos abertos”, e o resistor RG 
pode ser substituído por um curto-circuito equivalente, 
já que IG = 0 A. O resultado é o circuito da Figura 7.9 
para a importante análise CC.
A corrente através de RS é a corrente de fonte IS, 
mas IS = ID e
VRS = IDRS
Para a malha fechada indicada na Figura 7.9, temos
–VGS – VRS = 0
e VGS = –VRS 
ou VGS = -IDRS )01.7( (7.10)
Observe, nesse caso, que VGS é função da corrente de 
saída ID e não tem mais amplitude constante como ocorria 
para a configuração com polarização fixa.
A Equação 7.10 é definida pela configuração do 
circuito, e a equação de Shockley relaciona os parâme-
tros de entrada e saída do dispositivo. As duas equações 
relacionam as mesmas duas variáveis, ID e VGS, permitindo 
uma solução gráfica ou matemática.
A solução matemática pode ser obtida simplesmente 
por meio da substituição da Equação 7.10 na equação de 
Shockley, como vemos a seguir:
ou
 
ID = IDSSa1 -
VGS
VP
b
2
= IDSSa1 -
-IDRS
VP
b
2
 
ID = IDSSa1 +
IDRS
VP
b
2
 
 
Desenvolvendo a equação quadrática anterior e 
reorganizando os termos, podemos obter uma equação 
com o seguinte formato:
I2
D + K1ID + K2 = 0
A equação do segundo grau pode então ser solucio-
nada, e o valor de ID, obtido.
A sequência anterior representa o método matemáti-
co. O método gráfico requer que primeiro se estabeleça a 
curva de transferência do dispositivo, como a que aparece 
na Figura 7.10. Visto que a Equação 7.10 define uma linha 
reta no mesmo gráfico, identifiquemos dois pontos que 
estejam na linha e simplesmente tracemos uma reta entre 
eles. A condição mais óbvia a ser aplicada é ID = 0 A, já que 
ela resulta em VGS = –IDRS = (0 A)RS = 0 V. Para a Equação 
7.10, portanto, um ponto da reta é definido por ID = 0 A e 
VGS = 0 V, como mostra a Figura 7.10.
O segundo ponto para a Equação 7.10 requer que 
seja selecionado um valor de VGS ou de ID e que o valor 
correspondente da outra variável seja determinado pela 
Equação 7.10. Os valores resultantes de ID e VGS definirão 
outro ponto da reta e permitirão o seu traçado. Suponha-
mos, por exemplo, que ID seja igual à metade do nível de 
saturação. Isto é:
Então, 
 
ID =
IDSS
2 
VGS = -ID RS = -
IDSSRS
2 .
 
O resultado é o segundo ponto na reta traçada da 
Figura 7.11. A linha reta definida pela Equação 7.10 é 
VP
2
IDSS
VGS = 0 V, ID = 0 A (VGS = –IDRS)
4
 
Figura 7.10 Definição de um ponto na reta de 
autopolarização.
 Figura 7.9 Análise CC da configuração com 
autopolarização.
Capítulo 7 polarização do fET 357
Boylestad_2012_cap07.indd 357 3/11/13 5:54 PM
traçada e o ponto quiescente é obtido na interseção da 
reta com a curva característica do dispositivo. Os valores 
quiescentes de ID e VGS podem, então, ser determinados e 
utilizados para que sejam encontrados outros parâmetros 
que interessam.
O valor de VDS pode ser determinado pela aplicação 
da Lei de Tensões de Kirchhoff ao circuito de saída, com 
o seguinte resultado:
VRS + VDS + VRD – VDD = 0
e VDS = VDD – VRS – VRD = VDD – ISRS – IDRD 
mas ID = IS 
e VDS = VDD - ID(RS + RD ) )11.7( (7.11)
Além disso,
 VS = IDRS (7.12)
 VG = 0 V (7.13)
e VD = VDS + VS = VDD - VRD (7.14)
ExEmplo 7.2
Determine os seguintes parâmetros para o circuito da 
Figura 7.12:
a) VGSQ.
b) IDQ.
c) VDS.
d) VS.
e) VG.
f) VD.
Solução:
a) A tensão porta-fonte é determinada por:
VGS = –IDRS
Escolhendo ID = 4 mA, obtemos:
VGS = – (4 mA)(1 kΩ) = – 4 V
O resultado é o gráfico da Figura 7.13 como definido 
pelo circuito.
Se escolhêssemos ID = 8 mA, o valor resultante de 
VGS seria –8 V, como foi mostrado no mesmo gráfico. 
Em ambos os casos, obtemos a mesma reta, o que 
demonstra claramente que qualquer valor apropriado 
de ID poderá ser escolhido se empregarmos o valor 
correspondente de VGS determinado pela Equação 7.10. 
Além disso, devemos ter em mente que o valor de VGS 
 I
ID
VP 0
IDSS
2
IDSS
VGS = 2
VGSQ VGS
IDQ
Ponto Q
DSS RS_
 
Figura 7.11 Esboço da reta de autopolarização.
ID (mA)
VGS0
1
2
3
4
5
6
7
8
 1 3 5 6 7 8
= –8 VVGS
 4 2 ––––––––
ID = 8 mA,
VGS
(V)
= 4 VVGS – ID = 4 mA,
=
Circuito
ID = 0 mA0 V,
 
Figura 7.13 Esboço da reta de autopolarização para o 
circuito da Figura 7.12. 
RD 
RG 
 
,
Figura 7.12 Exemplo 7.2.
358 Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos
Boylestad_2012_cap07.indd 358 3/11/13 5:54 PM
poderia ter sido escolhido e o valor de ID poderia ter 
sido determinado graficamente.
Na equação de Shockley, se escolhermos VGS = VP/2 = 
–3 V, encontraremos ID = IDSS /4 = 8 mA/4 = 2 mA, o 
que resultará no gráfico da Figura 7.14, que representa 
as características do dispositivo. A solução é obtida 
pela sobreposição da curva característica do circuito 
definida pela Figura 7.13 com a curva característica 
do dispositivo da Figura 7.14 e pela determinação do 
ponto de interseção entre ambas, como indica a Figura 
7.15. O ponto de operação resultante produz um valor 
quiescente de tensão porta-fonte de:
VGSQ = –2,6 V
b) No ponto quiescente:
 IDQ = 2,6 mA
c) Equação 7.11:
 VDS = VDD – ID(RS + RD)
 = 20 V – (2,6 mA)(1 kΩ + 3,3 kΩ)
 = 20 V – 11,18 V
 = 8,82 V
d) Equação 7.12:
 VS = IDRS
 = (2,6 mA)(1 kΩ)
 = 2,6 V 
e) Equação 7.13: VG = 0 V 
f) Equação 7.14:
 VD = VDS + VS = 8,82 V + 2,6 V = 11,42 V 
ou VD = VDD – IDRD = 20 V – (2,6 mA)(3,3 kΩ) 
 = 11,42 V
ExEmplo 7.3
Determine o ponto quiescente para o circuito da Figura 
7.12, se:
a) RS = 100 Ω.
b) RS = 10 Ω.
Solução: 
Tanto RS = 100 Ω quanto RS = 10 kΩ são mostrados 
na Figura 7.16. 
a) Para RS = 100 Ω:
 IDQ ≅ 6,4 mA
e a partir da Equação 7.10,
 VGSQ ≅ – 0,64 V
b) Para RS = 10 kΩ:
 VGSQ ≅ – 4,6 V
e a partir da Equação 7.10, 
 IDQ ≅ 0,46 mA
Em particular, observe que valores mais baixos de RS fazem 
a retade carga do circuito se aproximar do eixo ID, enquanto 
valores crescentes de RS aproximam a reta do eixo VGS.
ID (mA)
VGS0
1
2
3
4
5
6
7
8
 1 3 5 6 4 2 –––––– (V)
IDQ
= 2,6 mA
VGSQ = 2,6 V–
Ponto Q
 
Figura 7.15 Determinação do ponto Q para o circuito da 
Figura 7.12.
 
Dispositivo
Figura 7.14 Esboço da curva característica do dispositivo 
para o JFET da Figura 7.12.
ID (mA)
VGS0
1
2
3
4
5
6
7
8
 1 3 5 6 4 2 –––––– (V)
Ponto Q
IDQ
 6,4 mA >
VGS = –4 V, ID = 0,4 mA
RS = 10 kΩ
VGSQ> 4,6– V
RS = 100 Ω
GSID = 4 mA,V = 0,4 V– Ponto Q
 
Figura 7.16 Exemplo 7.3.
Capítulo 7 polarização do fET 359
Boylestad_2012_cap07.indd 359 3/11/13 5:54 PM
7.4 polarização por 
DiviSor DE TEnSão
A polarização por divisor de tensão aplicada aos 
amplificadores com TBJ é aplicada também aos amplifica-
dores com FET, como demonstra a Figura 7.17. A estrutura 
básica é exatamente a mesma, porém a análise CC de cada 
um é bastante diferente. Para os amplificadores com FET, 
IG = 0 A, mas o valor de IB para amplificadores emissor-
-comum com TBJ pode afetar os valores de corrente e 
tensão nos circuitos de entrada e saída. Lembramos que IB 
é o elo entre os circuitos de entrada e saída na configuração 
TBJ com divisor de tensão, e que VGS cumpre esse mesmo 
papel para a configuração com FET.
O circuito da Figura 7.17 é redesenhado para a 
análise CC, como mostra a Figura 7.18. Observe que 
todos os capacitores, inclusive o capacitor CS de desvio, 
foram substituídos por um “circuito aberto” equivalente 
na Figura 7.18(b). Além disso, a fonte VDD foi separada em 
duas fontes equivalentes para permitir a distinção entre 
a região de entrada e de saída do circuito. Uma vez que 
IG = 0 A, a Lei das Correntes de Kirchhoff permite afirmar 
que IR1 = IR2, e o circuito em série equivalente que aparece 
à esquerda da figura pode ser utilizado para determinar o 
valor de VG. A tensão VG igual à tensão através de R2 pode 
ser determinada pelo uso da regra do divisor de tensão e 
da Figura 7.18(a), como mostramos a seguir:
 
VG =
R2VDD
R1 + R2
 )51.7( 
 
(7.15)
Aplicando a Lei das Tensões de Kirchhoff no sentido 
horário na malha indicada da Figura 7.18, obtemos
VG – VGS – VRS = 0
e VGS = VG – VRS 
Substituindo VRS = ISRS = IDRS, temos
 VGS = VG - ID RS )61.7( (7.16)
O resultado é uma equação que inclui as mesmas duas 
variáveis da equação de Shockley: VGS e ID. As quantidades 
VG e RS são fixas pela configuração do circuito. A Equação 
7.16 ainda é a equação de uma reta, mas a origem não está 
mais contida nela. O procedimento para traçar a Equação 7.16 
não é complicado e será demonstrado a seguir. Uma vez que 
são necessários dois pontos para definir uma reta, utilizemos 
o fato de que em qualquer ponto no eixo horizontal da Figura 
7.19 a corrente ID = 0 mA. Então, ao selecionarmos ID = 0 mA, 
declaramos essencialmente que estamos em algum ponto do 
eixo horizontal. A posição exata pode ser determinada pela 
simples substituição de ID = 0 mA na Equação 7.16 e pelo 
cálculo do valor resultante de VGS, como a seguir:
VGS = VG – IDRS
 = VG – (0 mA)RS
e VGS = VG 0 ID =0 mA )71.7(
 (7.17)
O resultado especifica que, sempre que traçarmos 
o gráfico da Equação 7.16, se escolhermos ID = 0 mA, 
o valor de VGS para o gráfico será VG volts. O ponto que 
acabamos de determinar aparece na Figura 7.19.
G
D
S
 
Figura 7.17 Configuração da polarização por divisor de 
tensão.
RD
G
D
S
VDD
R1
R2
VG
VGS
VRS
IG ≅ 0 A
VDDVDD
R1
R2 VG
–+
ID
IS
+
RS–
+
–
+
–
)b()a(
 Figura 7.18 Circuito redesenhado da Figura 7.17 para 
análise CC.
360 Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos
Boylestad_2012_cap07.indd 360 3/11/13 5:54 PM
Para o outro ponto, levemos em conta o fato de que, 
em qualquer ponto do eixo vertical, VGS = 0 V, e façamos 
o cálculo para obter o valor resultante de ID:
VGS = VG – IDRS
0 V = VG – IDRS
e
 
ID =
VG
RS
`
VGS =0 V
 )81.7(
 
(7.18)
O resultado demonstra que, sempre que traçarmos o 
gráfico da Equação 7.16 com VGS = 0 V, o valor de ID será 
determinado pela Equação 7.18. Essa interseção também 
aparece na Figura 7.19.
Os dois pontos definidos anteriormente permitem o 
traçado de uma linha reta para representar a Equação 7.16. 
A interseção da linha reta com a curva de transferência 
na região à esquerda do eixo vertical define o ponto de 
operação e os valores correspondentes de ID e VGS.
Visto que a interseção no eixo vertical é determinada 
por ID = VG/RS e que VG é fixo devido ao circuito de entrada, 
valores crescentes de RS reduzem o valor de ID na interseção, 
como mostrado na Figura 7.20. Essa figura deixa claro que:
Valores crescentes de RS resultam em menores valo-
res quiescentes de ID e em valores mais negativos de VGS.
Uma vez determinados os valores quiescentes de IDQ 
e VGSQ, a análise restante do circuito poderá ser feita da 
maneira usual. Isto é:
 VDS = VDD - ID(RD + RS ) (7.19)
 VD = VDD - ID RD (7.20)
IDQ
VGSQ
 
Ponto Q
Figura 7.19 Esboço da equação do circuito para a configuração com divisor de tensão.
 
Ponto Q
Ponto Q
Valores 
crescentes de RS
Figura 7.20 Efeito de RS no ponto Q resultante.
Capítulo 7 polarização do fET 361
Boylestad_2012_cap07.indd 361 3/11/13 5:54 PM
 VS = ID RS (7.21)
 
IR1 = IR2 =
VDD
R1 + R2
 
 
(7.22)
ExEmplo 7.4
Determine os seguintes parâmetros para o circuito da 
Figura 7.21.
a) IDQ e VGSQ.
b) VD.
c) VS.
d) VDS.
e) VDG.
Solução:
a) Para a curva de transferência, se ID = IDSS /4 = 8 mA/4 
= 2 mA, então VGS = VP/2 = – 4 V/2 = –2 V. A curva re-
sultante que representa a equação de Shockley aparece 
na Figura 7.22. A equação do circuito é definida por
VG =
R2VDD
R1 + R2
=
(270 k )(16 V)
2,1 M + 0,27 M
= 1,82 V
e VGS = VG – IDRS 
 = 1,82 V – ID(1,5 kΩ) 
Quando ID = 0 mA,
VGS = +1,82 V
Quando VGS = 0 V,
ID =
1,82 V
1,5 k = 1,21 mA 
A reta de polarização resultante é mostrada na Figura 
7.22 com os seguintes valores quiescentes:
IDQ = 2,4 mA
e VGSQ = –1,8 V 
b) VD = VDD – IDRD
 = 16 V – (2,4 mA)(2,4 kΩ)
 = 10,24 V
G
D
S
R2
C1
C2
R1
RD
RS CS
 
,
,
,
Figura 7.21 Exemplo 7.4.
0
2
3
4
5
6
7
8
 1– 2– 3– 4–
Ponto Q
(I )DSS
ID (mA)
1 2 3
VP( ) VGS = –1,8 V 1,82 V VG =
ID( )
1
IDQ
 2,4 mA =
ID = 1,21 mA VGS( )= 0 V
= 0 mA
Q
 Figura 7.22 Determinação do ponto Q para o circuito da 
Figura 7.21.
362 Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos
Boylestad_2012_cap07.indd 362 3/11/13 5:54 PM
c) VS = IDRS = (2,4 mA)(1,5 kΩ)
 = 3,6 V
d) VDS = VDD – ID(RD + RS)
 = 16 V – (2,4 mA)(2,4 kΩ + 1,5 kΩ)
 = 6,64 V
ou VDS = VD – VS = 10,24 V – 3,6 V
 = 6,64 V
e) Embora raramente seja pedida, a tensão VDG pode 
ser determinada de maneira muito fácil, utilizando:
 VDG = VD – VG
 = 10,24 V – 1,82 V
 = 8,42 V 
7.5 Configuração porTa-Comum
A próxima configuração é aquela em que o terminal 
de porta está ligado ao terra, o sinal de entrada é usual-
mente aplicado ao terminal de fonte e o sinal de saída é 
obtido no terminal de dreno, como mostra a Figura 7.23(a). 
O circuito também pode ser desenhado como mostra a 
Figura 7.23(b).
A equação do circuito pode ser determinada a partir 
da Figura 7.24.
A aplicação da Lei das Tensões de Kirchhoff no 
sentido indicado na Figura 7.24 resultará em
–VGS – ISRS + VSS = 0
e VGS = VSS – ISRS 
mas IS = ID 
logo, VGS = VSS - ID RS )32.7( (7.23)
A aplicação da condição ID = 0 mA na Equação 7.23 
resultará em
VGS = VSS – (0)RS
e 
VGS = VSS 0 ID =0 mA )42.7(
 (7.24)
A aplicação da condição VGS = 0 V na Equação 7.23 
resultará em
0 = VSS – IDRS
e
 
ID =
VSS
RS
`
VGS =0 V
 (7.25) 
 
(7.25)
A reta de carga resultante aparece na Figura 7.25 
em interseção com a curva de transferência para o JFET, 
como mostra a figura.
A interseção resultante define a corrente de opera-
ção IDQ e a tensão de operação VDQ para o circuito, como 
também está indicado nocircuito.
RD
ID
DDV
oV
2C
1C
RS
VSS
(a)
VP
IDSS
iV
D
G
S
VP
VDD
IDSS
RD
oV
2C
iV
1C
(b)
–
+
RS
VSS
–
+
S D
G
 
 
Figura 7.23 Duas versões da configuração porta-comum.
 
Figura 7.24 Determinação da equação do circuito para a 
configuração da Figura 7.23.
Capítulo 7 polarização do fET 363
Boylestad_2012_cap07.indd 363 3/11/13 5:54 PM
A aplicação da Lei das Tensões de Kirchhoff na 
malha que contém as duas fontes, o JFET e os resistores 
RD e RS nas figuras 7.23(a) e (b) resultará em
+VDD – IDRD – VDS – ISRS + VSS = 0
Substituindo IS = ID, temos
+VDD + VSS – VDS – ID(RD + RS) = 0
de modo que VDS = VDD + VSS - ID(RD + RS ) )62.7( (7.26)
com VD = VDD - ID RD )72.7( (7.27)
e VS = - VSS + ID RS )72.7( (7.28)
ExEmplo 7.5
Determine os seguintes parâmetros para a configuração 
porta-comum da Figura 7.26:
a) VGSQ.
b) IDQ.
c) VD.
d) VG.
e) VS.
f) VDS.
Solução:
Embora VSS não esteja presente nessa configuração 
porta-comum, as equações derivadas anteriormente 
ainda podem ser usadas pela simples substituição de 
VSS = 0 V em cada equação na qual ela aparece.
a) Para a curva de transferência, a Equação 7.23 se 
torna VGS = 0 – IDRS
 e VGS = –IDRS
 Para essa equação, a origem é um ponto sobre a reta 
de carga enquanto o outro deve ser determinado em 
um ponto arbitrário. Escolhendo ID = 6 mA e deter-
minando VGS, teremos o seguinte:
VGS = –IDRS = – (6 mA)(680 Ω) = – 4,08 V
 como mostra a Figura 7.27.
 A curva de transferência do dispositivo é traçada 
usando-se
ID =
IDSS
4
=
12 mA
4
= 3 mA(em VP> )2
 e VGS ≅ 0,3VP = 0,3(– 6 V) = –1,8 V (em ID = IDSS/2)
 A solução resultante é:
VGSQ ≅ –2,6 V
b) A partir da Figura 7.27:
IDQ ≅ 3,8 mA
c) VD = VDD – IDRD
 = 12 V – (3,8 mA)(1,5 kΩ) = 12 V – 5,7 V
 = 6,3 V
d) VG = 0 V
e) VS = IDRS = (3,8 mA)(680 Ω)
 = 2,58 V
f) VDS = VD – VS
 = 6,3 V – 2,58 V
 = 3,72 V
0
Ponto Q
I DSS
ID (mA)
VP
VGS VSS
ID( )
IDQ
ID =
= 0 mA
Q
VSS
RS
 Figura 7.25 Determinação do ponto Q para o circuito da 
Figura 7.24.
RD
RS
C2
C1
 
,
Figura 7.26 Exemplo 7.5.
364 Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos
Boylestad_2012_cap07.indd 364 3/11/13 5:54 PM
7.6 CaSo ESpECial: VGSQ = 0 v 
Um circuito de valor prático recorrente por causa de 
sua relativa simplicidade é a configuração da Figura 7.28. 
Note que a ligação direta dos terminais de porta e fonte 
para o terra resulta em VGS = 0 V. Ele especifica que, para 
qualquer condição CC, a tensão porta-fonte deve ser igual 
a zero volt. Isso resultará em uma reta de carga vertical 
em VGSQ = 0 V, como mostra a Figura 7.29.
Uma vez que a curva de transferência de um JFET 
cruzará o eixo vertical em IDSS, a corrente de dreno para o 
circuito é fixada nesse valor. 
Portanto, 
 IDQ = IDSS )92.7( (7.29) 
Aplicando a Lei das Tensões de Kirchhoff:
VDD – IDRD – VDS = 0
e VDS = VDD - IDRD )03.7( (7.30)
com VD = VDS )13.7( (7.31)
e VS = 0 V )23.7( (7.32)
7.7 moSfETs Tipo DEplEção
As semelhanças entre as curvas de transferência dos 
JFETs e dos MOSFETs tipo depleção permitem análises 
parecidas para os dois dispositivos com relação à análise 
CC. A principal diferença entre os dois é o fato de que o 
MOSFET tipo depleção apresenta pontos de operação com 
valores positivos de VGS e valores de ID maiores que IDSS. 
Na verdade, para todas as configurações discutidas até 
aqui, a análise será a mesma se um JFET for substituído 
por um MOSFET tipo depleção.
A única parte da análise que não foi definida consiste 
em como traçar o gráfico da equação de Shockley para 
valores positivos de VGS. Para a região de valores positi-
vos de VGS e valores de ID maiores que IDSS, até que ponto 
a curva de transferência se estende? Para a maioria das 
situações, essa região será razoavelmente bem definida 
pelos parâmetros do MOSFET e pela reta de polarização 
resultante do circuito. Alguns exemplos revelarão o im-
pacto da mudança de dispositivo sobre a análise resultante.
VGS
0
1
2
3
4
5
6
7
8
 1– 2– 3– 4– 5– 6–
Ponto Q IDQ
 3,8 mA >
9
10
11
12
Q –2,6 V >
IDSS
ID (mA)
VP
 Figura 7.27 Determinação do ponto Q para o circuito da 
Figura 7.26.
RD
VDD
VP
IDSS
+
–VGS
G
D
S
 
Figura 7.28 Configuração do caso especial VGSQ = 0 V.
ID
VVP GS0
VGSQ
Ponto Q IDSS
= 0 V reta de carga
 
Figura 7.29 Determinação do ponto Q para o circuito da 
Figura 7.28.
Capítulo 7 polarização do fET 365
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