Eletronica-I_5-MOSFETs_-_Gabarito-v2_2

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UFPI - UNIVERSIDADE FEDERAL DO PIAUÍ
CENTRO DE TECNOLOGIA
DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
ELETRÔNICA I – Prof. MARCOS ZURITA - Junho / 2011
MOSFETS – EXERCÍCIOS 
2ª PARTE – CÁLCULOS
2.1) I1 = 1,6 mA; I2 = 3,2 mA.
2.2) I1 = 3,09 mA; I2 = 840,5 uA.
2.3)
a) IDQ = 1mA; VDSQ = 8,5 V; VGSQ = 3,5V;
b) 
c) Zin = 100 kΩ; Zout = 8,33 kΩ.
d) Av = -8.33 V/V.
2.4)
a) IDQ1 = 0,5 mA; VDSQ1 = 3V; VGSQ1 = 3V.
 IDQ2 = 0,5 mA; VDSQ2 = 9 – 5ₓ10-4R2 V; VGSQ2 = 3V.
b) 
c) Av = -gm2.R2.
d) R2 = 10 kΩ.
e) Zin = 1,71 kΩ; Zout = R2 (ou Zout = 10 kΩ).
2.5)
a) IDQ1 = 1,4 mA; VDSQ1 = 3,4V; VGSQ1 = 2,4V.
 IDQ2 = 1,4 mA; VDSQ2 = 3,98 V; VGSQ2 = 2V.
b) 
c) Av = -6,6 V/V.
d) Zin = 5,55 kΩ; Zout = 3,3 kΩ.
2.6)
a) IDQ1 = 1,5 mA; VDSQ1 = 8V; VGSQ1 = 1,8V.
 IDQ2 = 1,5 mA; VDSQ2 = -2 V; VGSQ2 = -2V.
 IDQ3 = 1,5 mA; VDSQ3 = -6,7 V; VGSQ3 = -2V.
b) 
c) Av = 6,6 V/V
d) Zin = 14,76 kΩ; Zout = 2,2 kΩ.
2.7)
a) IDQ1 = 250 uA; VDSQ1 = 1,5V; VGSQ1 = 1,5V.
 IDQ2 = 250 uA; VDSQ2 = 1,5V; VGSQ2 = 1,5V.
 IDQ3 = 4 mA; VDSQ3 = 6V; VGSQ3 = 3V.
b) 
c) Av = -4 V/V.
d) Zin = 2 kΩ; Zout = 1 kΩ.
2.8)
a) (resolução literal)
b) RD = 2,57 kΩ; RS = 3,592 kΩ.
2.9) (resolução literal)
2.10)
RD = 10 kΩ; RS = 5 kΩ.
2.11)
R = 15 kΩ; VD = 4 V.
2.12)
RD = 12,4 kΩ; rDS = 253 Ω.
2.13)
ID = IS = 0,5 mA; IRG1 = IRG2 = 0,5 uA; IG = 0.
VG = 5V; VD = 7V; VS = 3V.
2.14)
Os dados abaixo representam apenas uma possível 
solução de projeto. Inúmeras soluções válidas são 
aceitáveis, contanto que atendam aos requisitos da 
questão.
RG1 = 2 MΩ; RG2 = 3 MΩ; RD = 6 kΩ.
RD(MAX) = 8 kΩ. 
2.15)
W/L = 10; RD(MIN) = 0; RD(MAX) = 40 kΩ.
2.16)
RD = 99 kΩ; rDS = 1 kΩ.
2.17)
vDS(MIN) = 3 V; iD = 9 mA.
2.18)
vS = 1 V;
2.19)
i=k n
' W
L [−V t v−12 v2] para v ≤ -Vt; . 
i=1
2
k n
' W
L
V t
2 para v ≥ -Vt.
2.20)
RD(MAX) = 17,5 kΩ. 
2.21)
IDQ2 = 0,4 mA; VDQ2 = 6 V.
2.22)
vD = 0,05 V; iD = 0,2 mA; rDS= 250 Ω.
2.23)
Os dados abaixo representam apenas uma possível 
solução de projeto. Inúmeras soluções válidas são 
aceitáveis, contanto que atendam aos requisitos da 
questão.
RG1 = 6,2 MΩ; RG2 = 3,9 MΩ; RS = 820 Ω;
RD = 5,6 kΩ; ID = 1,03 mA; VG = 3,86V; VD = 4,23V.
2.24)
iD = 0,125 mA; VD = 6V;
 
2.25)
Os dados abaixo representam apenas uma possível 
solução de projeto. Inúmeras soluções válidas são 
aceitáveis, contanto que atendam aos requisitos da 
questão.
R1 = 15 MΩ; R2 = 5 MΩ; RD = 24,5 kΩ;
Zin = 3,75 MΩ; Zout = 24,5 kΩ (desprezando-se ro).