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3) Complete as lacunas: (Valor: 0,1 por lacuna) 3.1) Barreira de Potencial O EQUILÍBRIO da junção PN é estabelecido quando a intensa RECOMBINAÇÃO que ocorre entre elétrons e lacunas, migrando por difusão em sentidos opostos, propicia a formação da REGIÃO de TRANSIÇÃO. Nesta região as cargas dos íons ficam descobertas aparecendo entre elas um CAMPO ELÉTRICO, associado a uma ddp crescente de P para N. Como apenas os portadores majoritários com ENERGIA CINÉTICA maior que o produto entre esta ddp total e a carga eletrônica conseguem atravessar a junção para o lado oposto, denominamos este efeito de barreira de potencial. 3.2) Semicondutor tipo N A DOPAGEM é um processo por meio do qual as CONCENTRAÇÕES dos portadores de carga de um semicondutor são modificadas. Quando é realizada pela introdução de átomos PENTAVALENTES, o quinto elétron de valência de cada um deles não participa de ligação covalente e passa facilmente para a BANDA de CONDUÇÃO. Por isto, tais átomos são denominados IMPUREZAS DOADORAS e transformam-se em ÍONS positivos. A concentração dos ELÉTRONS LIVRES aumenta, mas, no equilíbrio, o produto das concentrações de portadores mantém-se constante, segundo a LEI de AÇÃO das MASSAS. O semicondutor resultante é dito tipo N. 3.3) Correntes de Difusão e de Deriva A corrente de difusão consiste no fluxo de portadores de cargas devido a um GRADIENTE de sua CONCENTRAÇÃO. Os portadores deslocam-se da região onde estão mais concentrados para a que estão menos concentrados, sendo um fenômeno puramente ESTATÍSTICO. Por outro lado, a corrente de deriva é devida a uma DIFERENÇA de POTENCIAL elétrico. 3.4) Corrente de Saturação Reversa Na POLARIZAÇÃO reversa, quando o potencial é maior do lado N, o EQUILÍBRIO da junção PN é rompido e ela conduz a chamada corrente de saturação reversa, de magnitude DESPREZÍVEL. Esta corrente praticamente não varia com a TENSÃO, até antes da ruptura, mas varia substancialmente com a TEMPERATURA. NOME: ________________________________________________________________________________
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