MATERIAIS ELÉTRICOS AVALIAÇÃO PARCIAL 2018

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MATERIAIS ELÉTRICOS
	Avaliação Parcial: CCE0252_SM_ V.1 
	Aluno(a): 
	Matrícula: 
	Acertos: 10,0 de 10,0
	Data: 27/10/2018 09:21:59 (Finalizada)
	
	
	1a Questão (Ref.:201602633005)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Alunos do curso de Engenharia da UNESA realizaram um experimento básico representado na figura a seguir.
 
  
  
Entre os pontos A e B estabeleceram diversas diferenças de potencial, V, no condutor ôhmico designado por R, obtendo os valores de corrente, i, expressos na tabela a seguir.
 
	i (Ampère)
	2,60
	2,10
	2,00
	6,30
	V (volt)
	5,00
	4,30
	4,20
	12,60
 
Baseado nas informações anteriores, podemos concluir que a resistência do resistor ôhmico é melhor quantificada por.
 
 
		
	
	0,75 ohms
	
	0,5 ohms
	
	1,6 ohms
	 
	2,0 ohms
	
	2,5 ohms
	
	
	Gabarito Coment.
	
	
	
	
	2a Questão (Ref.:201602633010)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Um aluno do curso de Engenharia, conhecedor das propriedades elétricas dos materiais, recebeu a tarefa de aumentar a resistência de uma bobina elétrica, que deve passar de 20 ohms para 30 ohms. Considerando-se que não haverá variação na área da seção reta do material e que o comprimento inicial do fio que compõe a bobina é de 5m, pode-se dizer que:
		
	
	O novo comprimento poderá estar entre 3,3m e 7,5m.
	
	O novo comprimento deverá ser de 3,3m.
	
	Não é possível alterar o valor da resistência através da variação do comprimento do fio.
	 
	O novo comprimento deverá ser de 7,5m.
	
	O valor de resistência requerido só poderá ser obtido aumenta-se em 33,3% o diâmetro do fio que compõe a bobina.
	
	
	
	3a Questão (Ref.:201602572383)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Deseja-se construir um resistor com resistência igual 1,25 mΩ. Para isso será utilizado um condutor de seção reta igual a 0,38 mm2 e comprimento igual a 10 mm. Determine o valor da resistividade do material a ser utilizado.
		
	 
	4,75 x 10-6 Ω.cm
	
	7,81 x 10-6 Ω.cm
	
	3,21 x 10-6 Ω.cm
	
	3,95 x 10-6 Ω.cm
	
	6,45 x 10-6 Ω.cm
	
	
	
	4a Questão (Ref.:201602633033)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Materiais cristalinos são aqueles que apresentam em sua microestrutura uma ordenação atômica, podendo manifestar diversos padrões como o cúbico de corpo centrado (CCC) ou cúbico de face centrada (CFC). Quando um campo elétrico é estabelecido através de uma estrutura cristalina, os elétrons sofrem espalhamento, executando movimentos não retilíneos. Para descrever a velocidade desenvolvida por estas partículas no condutor, criou-se o conceito de velocidade de deslocamento, em Inglês, drift velocity, cuja melhor expressão é dada por:
		
	
	V=N.i.IpI.h
	
	v=s/t
	
	V=R.i
	
	=W.A/l
	 
	v=E.e
	
	
	
	5a Questão (Ref.:201602633042)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Semicondutores modernos são constituídos de substratos de Silício nos quais são inseridos elementos com valências diferentes do próprio Silício, criando-se as variações conhecidas como semicondutores do tipo-p e semicondutores do tipo-n. A expressão σ = N ІeІ µe + P ІeІ µh fornece a condutividade em função da carga do elétron (1,6 x 10 -19 C), onde N e P são as densidades de cargas negativas e positivas por volume (Número de cargas/m3) e de µe e µh , que são as mobilidades elétricas dos elétrons e dos buracos (m2/V m), respectivamente. Considerando- se um semicondutor extrínseco de Silício, no qual a concentração de portadores de cargas positivas é muito maior que a concentração de portadores de cargas negativas, podemos simplificar a expressão anterior para:
		
	 
	σ = P ІeІ µh.
	
	σ = 2 P ІeІ µh
	
	σ = N ІeІ µh.
	
	σ = N ІeІ (µe + µh).
	
	A expressão σ = N ІeІ µe + P ІeІ µh é imutável e nunca deve ser aproximada para uma forma mais simplificada sob pena de alterar-se gravemente a precisão da condutividade.
	
	
	Gabarito Coment.
	
	
	
	
	6a Questão (Ref.:201602633048)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	A resistividade de um material varia com a temperatura e, para pequenas variações, podemos assumir que a mesma obedece a expressão =0+T, onde 0 e  ao constantes. Para variações maiores de temperatura, a expressão da resistividade pode assumir a forma  =0+ T+T2 , onde 0 , b e são constantes.
Baseado nas informações anteriores, indique a forma geométrica que melhor indica a variação da resistividade com a temperatura no último caso citado.
		
	 
	Parábola.
	
	Elipse.
	
	Hipérbole.
	
	Círculo.
	
	Reta.
	
	
	
	7a Questão (Ref.:201603199559)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	A condutividade de um semicondutor varia com diversos parâmetros, entre os quais podemos citar a concentração de portadores de carga, a mobilidade destes portadores, o estado de deformação plástica do material e a temperatura, entre outros parâmetros. Com relação a dependência da temperatura em particular, tem-se que a condutividade varia segundo a expressão  = Cn T-3/2 e (-Eg/2kT), na qual "C" é uma constante associada ao material, "T" é a tempera em Kelvin, "Eg" é a "energia de gap" e "k" é a constante de Boltzmann, igual a 8,62 x 10-5 eV/K.
Com base na expressão anterior, PODEMOS afirmar que:
		
	
	A expressão apresentada possui um ponto de máximo, indicando que até determinada temperatura a condutividade aumenta, diminuindo logo depois
	 
	A medida que a temperatura aumenta, a condutividade diminui.
	
	A expressão apresentada possui um ponto de mínimo, indicando que até determinada temperatura a condutividade diminui, aumentando logo depois.
	
	O efeito da condutividade na temperatura é desprezível, de tal forma que podemos considerá-la constante a medida que a temperatura aumenta
	
	A medida que a temperatura aumenta, a condutividade aumenta.
	
	
	Gabarito Coment.
	
	
	
	
	8a Questão (Ref.:201603253740)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Assinale a alternativa correta:
		
	
	No diodo semicondutor de silício, a queda de tensão em seus terminais quando polarizado diretamente, isto é, com a polaridade positiva da fonte de tesão conectada no material tipo N e a polaridade negativa conectada ao material tipo P, é 0,3V.
	
	No diodo semicondutor de silício, a queda de tensão em seus terminais quando polarizado diretamente, isto é, com a polaridade positiva da fonte de tesão conectada no material tipo N e a polaridade negativa conectada ao material tipo P, é 0,7V.
	
	No diodo semicondutor de silício, a queda de tensão em seus terminais quando polarizado diretamente, isto é, com a polaridade positiva da fonte de tesão conectada no material tipo P e a polaridade negativa conectada ao material tipo N, é 0,3V.
	 
	No diodo semicondutor de silício, a queda de tensão em seus terminais quando polarizado diretamente, isto é, com a polaridade positiva da fonte de tesão conectada no material tipo P e a polaridade negativa conectada ao material tipo N, é 0,7V.
	
	No diodo semicondutor de silício, a queda de tensão em seus terminais quando polarizado diretamente, isto é, com a polaridade positiva da fonte de tesão conectada no material tipo N e a polaridade negativa conectada ao material tipo P, é 1V.
	
	
	
	9a Questão (Ref.:201602571130)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Um condutor de cobre com seção reta circular, 12 metros de comprimento e raio de 1,5 mm é percorrido por um acorrente de 2,2 A. Determine a diferença de potencial sobre este condutor. Considere a condutividade do cobre igual a 5,8 x 107 S/m.
		
	
	6,4 V
	
	640 mV
	
	120 mV
	
	1,2 V
	 
	64 mV
	
	
	Gabarito Coment.
	
	
	
	
	10a Questão (Ref.:201602633128)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Capacitores são dispositivos projetados para armazenar carga elétrica e que tem esta capacidade ampliada quando inserimos entre suas placas um material dielétrico, comomostrado na figura a seguir. Considerando-se que  a capacitância, C, de um capacitor é a razão entre a sua carga, Q, e a diferença de potencial, V, ao qual o mesmo está submetido, ou seja, C=Q/V, assinale a opção corretaque fornece a capacitância do capacitor mostrado na figura.
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
 
		
	
	C=Q´/V.
	 
	C=(Q0 + Q´) / V
	
	Q0 = C. V
	
	C=Q0 / V
	
	0.