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Eletrônica Prof° Anderson Sena UNIDADE 1 SEMICONDUTORES Eletrônica Prof° Anderson Sena Estrutura da Matéria Molécula: É a menor porção em que um material pode ser dividido sem que, com isso, venha sofrer alterações em suas propriedades. H20 – Estrutura da molécula de água Eletrônica Prof° Anderson Sena Estrutura da Matéria Átomo: É o menor elemento químico que compõe a molécula. É composto pelas partículas denominadas elétrons, prótons e nêutrons. Estrutura do átomo Eletrônica Prof° Anderson Sena Estrutura da Matéria Camadas: São os níveis de energia onde se localizam os elétrons. Cada camada suporta um número máximo de elétrons. Camada atômica Eletrônica Prof° Anderson Sena Estrutura da Matéria Camada de Valência: É a última camada do átomo. É responsável pela junção dos átomos para a formação das moléculas. Na natureza, os únicos elementos que apresentam a última camada completa (8 elétrons) são os gases nobres. As camadas inferiores, uma vez completas, não cedem nem recebem elétrons. Logo, os elétrons de valência são os únicos em condição de participar de fenômenos químicos ou elétricos. Eletrônica Prof° Anderson Sena Estrutura da Matéria Valência: Um átomo é estável quando apresenta a última camada completa, ou seja, a primeira camada possui dois e as restantes, no mínimo, oito elétrons. Valência Eletrônica Prof° Anderson Sena Estrutura da Matéria Eletrovalência: Quando um dos átomos doa de forma definitiva um elétron ao átomo vizinho. Eletrovalência Eletrônica Prof° Anderson Sena Estrutura da Matéria Covalência: Quando os átomos compartilham elétrons para atingir a estabilidade. Covalência Eletrônica Prof° Anderson Sena Condutores, Isolantes e Semicondutores Condutores: São elementos que possuem elétrons livres em grande quantidade e fracamente ligados ao núcleo. Ex: ouro, prata e cobre Aplicando-se uma tensão nas extremidades de um fio de cobre, os elétrons livres irão se movimentar de forma ordenada formando a “corrente elétrica”. Quanto maior o número de elétrons livres, maior será o fluxo de corrente. Eletrônica Prof° Anderson Sena Condutores, Isolantes e Semicondutores Os elétrons livres são os elétrons que saem dos átomos. Os elétrons livres são responsáveis pela corrente elétrica nos materiais condutores. Estrutura atômica do Cobre Eletrônica Prof° Anderson Sena Condutores, Isolantes e Semicondutores Condutores Cabos de eletricidade Linhas de transmissão de energia Placas de circuito eletrônico Cabos de comunicação Eletrônica Prof° Anderson Sena Condutores, Isolantes e Semicondutores Isolantes: São elementos onde os elétrons encontram-se fortemente ligados ao núcleo. Oferecem uma resistência elétrica elevada ao fluxo de corrente. Ex: borracha, vidro, porcelana Resistência Elétrica => dificuldade de se obter uma maior intensidade de corrente elétrica em um meio. Eletrônica Prof° Anderson Sena Condutores, Isolantes e Semicondutores Isolantes: Isoladores elétricos Proteção isolante dos condutores Luvas e botas isolantes Eletrônica Prof° Anderson Sena Condutores, Isolantes e Semicondutores Semicondutores: São elementos cuja resistência situa-se entre a dos condutores e a dos isolantes. Ex: silício e germânio. Tanto o silício quanto o germânio possuem um total de quatro elétrons na camada de valência. Representação esquemática dos átomos de Germânio (Ge) e Silício (Si) Eletrônica Prof° Anderson Sena Condutores, Isolantes e Semicondutores Chip de silício Semicondutores: Silício Dispositivos semicondutores Eletrônica Prof° Anderson Sena Condutores, Isolantes e Semicondutores Isolantes são materiais que apresentam de 5 a 8 elétrons na camada de valência, sendo que o material com 5 elétrons será menos isolante que um material de 8 elétrons na ultima camada. Quanto mais camada o elemento tiver, menos isolante ele será. Condutores possuem de 1 a 3 elétrons em sua camada de valência, sendo que o elemento que tiver 1 elétron na camada de valência será mais condutor que um elemento que possuir 3 elétrons. Quanto mais camadas o elemento tiver, mais condutor ele será. Semicondutores como o Germânio e o Silício apresentam 4 elétrons na camada de valência. Eletrônica Prof° Anderson Sena Condutores, Isolantes e Semicondutores Resistividade de alguns materiais Eletrônica Prof° Anderson Sena Semicondutores Estrutura cristalina do silício a -273°C Para haver corrente é necessário romper as ligações covalentes. Eletrônica Prof° Anderson Sena Semicondutores Formação das lacunas Formação das Lacunas: Com o rompimento da ligação covalente (temperatura ambiente) ocorre a liberação do elétron. O espaço vazio originado (lacuna ou buraco) comporta-se como uma carga positiva, se movimentado no cristal. Eletrônica Prof° Anderson Sena Semicondutores Mecanismo de Condução de Elétrons e Lacunas: Cada elétron retirado do material pelo pólo positivo da bateria ocasiona a formação de uma lacuna, porém o pólo negativo dela se encarrega de repor um outro elétron. Existem duas correntes dentro do material semicondutor, uma de portadores positivos (lacunas) e outra de portadores negativos (elétrons). Mecanismo de condução de elétrons e lacunas Eletrônica Prof° Anderson Sena Semicondutores Mecanismo de condução de elétrons e lacunas Mecanismo de Condução de Elétrons e Lacunas: Eletrônica Prof° Anderson Sena Semicondutores Tipo P e N Recombinação: Durante o movimento elétrons e lacunas se recombinam. Desse modo, não existirão portadores de carga (elétrons ou lacunas) livres indefinidamente. Dopagem: Processo utilizado para constituir os semicondutores P e N através da adição pequenas quantidades de impurezas ao silício ou ao germânio. Eletrônica Prof° Anderson Sena Formação do Semicondutor Tipo P É adicionado ao silício pequena quantidade de material trivalente (3 elétrons na última camada) como o Índio (In). Nesse caso, estará sempre sobrando uma lacuna. O material semicondutor com excesso de lacunas é denominado tipo P. Tornam-se estruturas que aceitam elétrons. Adição de material trivalente ao silício Eletrônica Prof° Anderson Sena Formação do Semicondutor Tipo N É adicionado ao silício pequena quantidade de material pentavalente (5 elétrons na última camada) como o Arsênio (As). Nesse caso, estará sempre sobrando um elétron. O material semicondutor com excesso de elétrons é denominado tipo N. Tornam-se estruturas que fornecem elétrons. Adição de material pentavalente ao silício Eletrônica Prof° Anderson Sena Impurezas Doadoras e Receptoras Impurezas Doadoras: São impurezas responsáveis por fornecer elétrons excedentes no processo de dopagem do silício ou do germânio. Criando o material ou estrutura tipo N. Ex: antimônio, fósforo e arsênio. Impurezas Receptoras: São impurezas responsáveis por dar origem à formação de lacunas no processo de dopagem do silício ou do germânio. Criando o material ou estrutura tipo P. Ex: alumínio, índio e boro. Eletrônica Prof° Anderson Sena Grafeno Material que promete substituir o silício na fabricação de componentes eletrônicos. O grafeno é constituído por uma camada extremamente fina de grafite. Trata-se de uma forma pura de carbono descoberta em 2004. Eletrônica Prof° Anderson Sena Grafeno O que torna o material especial é a estrutura hexagonal com que seus átomos individuais estão distribuídos, que gera uma folha plana (com somente um átomo de espessura) que, se enroladas, geram nanotubos de carbono. Eletrônica Prof° Anderson Sena Grafeno Um material tão ou mais revolucionário do que o silício e o plástico, extremamente forte, leve, flexível, ótimo condutor de eletricidade, excelente condutor térmico e quase totalmente transparente. A estrutura atômica das moléculas proporcionamáxima flexibilidade com extrema resistência.
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