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GAT 107- Eletrôncia Industrial Universidade Federal De Lavras REO-02: Guia de Simulação – Modulação PWM e Semicondutores Período de Estudo: 10/06 a 16/06 Prof. Sílvia Costa Ferreira, Departamento de Automática, Universidade Federal de Lavras (UFLA) 1. O que vamos simular? O objetivo desta simulação é introduzir os conceitos de modulação por largura de pulso utilizada no acionamento de semicondutores, tais como MOSFETs e IGBTs. Também são explorados os conceitos de perdas em condução e de chaveamento. 2. Modulação PWM Utilizando o programa de simulação em Eletrônica de Potência PSIM® simule um circuito para modulação por largura de pulso utilizando um amplificador operacional no modo comparador. Lembre-se que na prática a modulação PWM na maioria das vezes é feita no microcontrolador, sem necessidade de circuitos analógicos externos. Utilizaremos o ampop apenas para reforçar os conceitos envolvidos. Configure os blocos da seguinte forma: Source -> Sawtooth Vpeak=1 Frequency = 50000 Fall time =0 Source -> DC -> Amplitude = 0.XX, onde XX são os dois últimos números de matrícula. 3.1. Apresentação dos Resultados Apresente as formas de onda: 1. Tensão CC de referência (𝑣𝑟𝑒𝑓) e onda portadora dente de serra (𝑣𝑡𝑟𝑖) 2. Tensão PWM (𝑣𝑝𝑤𝑚) resultante da modulação Ajuste os valores da tensão 𝑣𝑟𝑒𝑓 e a frequência da onda 𝑣𝑡𝑟𝑖 de acordo com os valores apresentados na tabela abaixo e apresente os valores médios obtidos: Ciclo de Trabalho Frequência de Chaveamento Valor médio de 𝒗𝒑𝒘𝒎 𝐷 = 0. 𝑋𝑋 𝑓 = 50000 0,335v 𝐷 = 0. 𝑋𝑋 ∗ 0,5 𝑓 = 50000 0,151v 𝐷 = 0. 𝑋𝑋 𝑓 = 10000 0,446v 𝐷 = 0. 𝑋𝑋 ∗ 0,5 𝑓 = 10000 0,228v Identificação do aluno Nome: Leonardo Monteiro da Sé Matrícula: 201611244 GAT 107- Eletrôncia Industrial Universidade Federal De Lavras Observe que: SE 𝑋𝑋 ≤ 10, então 𝑋𝑋 = 10; SE 𝑋𝑋 ≥ 85, então 𝑋𝑋 = 85; 3.2. Discussão dos Resultados Baseado nos resultados obtidos: 1. Discuta a influência do ciclo de trabalho no valor médio do sinal modulado. O ciclo de trabalha nos indica o tempo que o sinal está no valor máximo, ou seja, no seu valor nominal. Esse tempo influência diretamente no valor médio do sinal modulado, visto que a média e calculada pela área do gráfico (D*Vmax). Por exemplo, em um sinal cujo o duty cicle e igual 50% (0,5) e a tensão máxima e igual 10v, a tensão media desse sinal é igual a 5v. 2. Discuta a influência da frequência de chaveamento no valor médio do sinal modulado. Não há relação alguma entre o valor médio e a frequência de chaveamento. A frequência de chaveamento ela só é importante em determinados momentos alta quando utilizamos MOSFET’s e baixa quando utilizamos IGBT’s. 3. Acionamento de um MOSFET Para introduzir o acionamento de um MOSFET e avaliar suas características de chaveamento e condução, iremos utilizar um modelo real de MOSFET disponibilizado pelo PSIM, e montar o seguinte circuito: Dois componentes ainda não utilizados por vocês devem ser configurados nesta simulação: o driver e o MOSFET. O driver é representado no PSIM por um componente chamado ON-OFF controller (multi- level). Cuidado para não confundi-lo com o ON- OFF controller. Configure-o de acordo com a figura abaixo: GAT 107- Eletrôncia Industrial Universidade Federal De Lavras Já no MOSFET buscaremos simular as perdas em condução (ajustando Rds_on) e as perdas de comutação. As perdas de comutação se dão devido aos atrasos ao ligar e desligar, consequência das capacitâncias parasitas do semicondutor. Configure o MOSFET de acordo com os parâmetros mostrados abaixo Mantenha os seguintes parâmetros para: Ciclo de Trabalho Frequência de Chaveamento 𝐷 = 0. 𝑋𝑋 𝑓 = 50000 Observando ainda que: SE 𝑋𝑋 ≤ 10, então 𝑋𝑋 = 10; SE 𝑋𝑋 ≥ 85, então 𝑋𝑋 = 85; E configure os tempos de simulação de forma que: 4.1. Apresentação dos Resultados Apresente as formas de onda: Tensão no MOSFET 𝑣𝑐ℎ(𝑡) e corrente que circula pelo mesmo 𝑖𝑐ℎ(𝑡) 1. Potência dissipada no MOSFET 𝑃𝑐ℎ = 𝑣𝑐ℎ(𝑡) ∗ 𝑖𝑐ℎ(𝑡) Para gerar o gráfico da potência siga os passos abaixo: 1. Adicione uma nova tela no seu gráfico; GAT 107- Eletrôncia Industrial Universidade Federal De Lavras 2. Selecione Ich e a multiplicação; 1. Finalize selecionando Vch e OK; 4.2. Discussão dos Resultados Baseado nos resultados obtidos: 1. Calcule os valores teóricos para perda de condução do MOSFET e compare com os valores medidos na simulação. Teórico: Pch = 408 w Simulado: Pch = 370,62w Os valores foram diferentes devido a perdas existentes no cicuito. 2. Apresente os tempos que este MOSFET gasta para ligar e desligar (𝑡𝑜𝑛e 𝑡𝑜𝑓𝑓). 𝑡𝑜𝑓𝑓 = 790ns 𝑡𝑜𝑛 = 245ns