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UFC – UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ – CAMPUS SOBRAL CURSO DE ENGENHARIA ELÉTRICA DISCIPLINA: ELETRÔNICA ANALÓGICA PROFESSOR: MARCOS ROGERIO DE CASTRO PRÁTICA Nº 04 TBJ OPERANDO COMO CHAVE ALUNO MATRÍCULA FRANCISCO DENILSON MESQUITA RIBEIRO 400306 SOBRAL – CE 2020 SUMÁRIO 1. Introdução ................................................................................................................................ 3 2. Objetivos da Prática ................................................................................................................ 4 3. Material Utilizado ................................................................................................................... 4 4. Procedimento Experimental ................................................................................................... 5 5. Questionário ............................................................................................................................. 6 6. Conclusão ................................................................................................................................. 9 7. Referências Bibliográficas .................................................................................................... 10 1. Introdução Fazendo uso da curva característica do circuito de saída ilustrada na Figura 01, pode-se projetar o circuito de tal forma que o TBJ tipo NPN comporte-se como uma chave, onde se notam as regiões de operação do componente quando em corte e quando em saturado. Em regime de saturação forte, admite-se um ganho de corrente de projeto reduzido de tal forma que um pequeno valor de corrente aplicado a base sature instantaneamente o componente. Figura 01 – Curva Característica de Saída Fonte: Manual da Prática Para um dado ponto de operação adotado, obtido a partir da interseção entre a curva de carga e a curva característica do circuito de saída, e interno a região de operação segura, projeta-se o circuito com TBJ. A equação (1) permite determinar o valor da resistência de base a partir de uma corrente de base considerada, da mesma forma a equação (2) faz-se uso da curva característica de saída para determinar o valor da resistência 𝑅𝑐. 𝑅𝑏 = (1) 𝑅𝑐 = ∙ (2) 2. Objetivos da Prática Projetar e analisar o funcionamento de um TBJ como chave mediante simulação e experimentação. 3. Material Utilizado Osciloscópio Fonte de tensão CC em 12V; Fonte de tensão de onda-quadrada em 2,2V e frequência 10kHz; Resistores de 3,9kΩ de 15kΩ; Transistor BC548; Multímetro ou amperímetro e voltímetro. 4. Procedimento Experimental A prática iniciou determinando-se os valores dos resistores. Sabendo-se que 𝑉𝑏𝑏 = 2,2𝑉, 𝑉𝑏𝑒 = 0,7𝑉, 𝑉𝑐𝑐 = 12𝑉, 𝑉𝑐𝑒 = 0,3𝑉, 𝐼𝑏 = 100𝜇𝐴 e 𝛽 = 30, de (1) e (2) temos: 𝑅𝑏 = , , = 15𝑘Ω (3) 𝑅𝑐 = , ∙ = 3,9𝑘Ω (4) Simulou-se no multisim o circuito da figura 02. A simulação é mostrada na figura 03. Observou-se no osciloscópio as formas de onda de 𝑉𝑏𝑏, 𝑉𝑐𝑒 e 𝑉𝑅𝑐. Figura 02 – Circuito a ser simulado Fonte: Manual da Prática Figura 03 – Simulação no multisim Fonte: Própria Autoria 5. Questionário a) Traçar as formas de onda de tensão experimental e simulada para o TBJ: 𝑉𝑏𝑏, 𝑉𝑐𝑒 e 𝑉𝑅𝐶. R: As formas de onda de 𝑉𝑏𝑏, 𝑉𝑐𝑒 e 𝑉𝑅𝑐, podem ser vistas nas figuras 04, 05 e 06, respectivamente. Figura 04 – Forma de onda de Vbb Fonte: Própria Autoria Figura 05 – Forma de onda de Vce Fonte: Própria Autoria Figura 06 – Forma de onda de VRc Fonte: Própria Autoria b) Comente detalhadamente a respeito das curvas traçadas em (a) tomando como referência o comportamento do circuito e a curva característica do circuito de saída. R: A curva da tensão 𝑉𝑏𝑏 é uma onda quadrada que tem máximo de 2,2𝑉 e mínimo de 0𝑉, logo seu valor rms é 1,1𝑉, como esperado. A curva da tensão 𝑉𝑐𝑒 também foi uma onda quadrada, mas dessa vez com um máximo de 12𝑉 e um mínimo tão próximo de zero quanto considerável, assim seu valor rms é aproximadamente 6𝑉, o que nos leva a conclusão que se está operando na região de corte. Já a curva da tensão 𝑉𝑅𝑐 é bastante semelhante a anterior, pois além de também ser uma onda quadrada, tem um máximo de aproximadamente 12𝑉 e um mínimo também muito próximo de zero, o que nos dá um valor rms aproximado de 6𝑉. d) Pesquisar a respeito dos tipos de encapsulamento. R: TO-220: É um modelo de encapsulamento utilizado normalmente para semicondutores como transistores e retificadores controlados de silício, bem como circuitos integrados. Este invólucro contém três terminais, mas pode-se encontrar ele com dois, quatro, cinco ou sete ligações também. Uma característica notável é um guia de metal com um furo, utilizado na montagem onde se necessita de um dissipador de calor já que componentes fabricados utilizando este invólucro, podem dissipar mais calor do que aqueles construídos em TO-92, por exemplo; TO-126: Este modelo é idêntico ao TO-220, tirando a característica do guia metálico, porém ele contém o furo para se prender o componente no dissipador. TO-247: Este encapsulamento é utilizado para alocar neles semicondutores de potência; TO-92: O encapsulamento TO-92 é empregado em transistores de baixa potência, do tipo TBJ e FET, em alguns casos encontra-se outros modelos como: TO-92, TO-94 e TO96. Eles têm as mesmas dimensões, porém a distribuição dos pinos muda de um tipo para outro. e) Pesquisar a respeito das principais especificações do TBJ encontradas na folha de dados dos fabricantes de modo que o componente trabalhe como chave. R: Para funcionar como chave o transistor deve operar na região de saturação e na região de corte. De acordo com as especificações do TBJ, a tensão de saturação entre os terminais coletor-emissor, 𝑉𝐶𝐸 = 0,25𝑉 para as correntes 𝐼 = 10𝑚𝐴 e 𝐼 = 0,5𝑚𝐴 e 𝑉𝐶𝐸 = 0,60𝑉 para 𝐼 = 100𝑚𝐴 e 𝐼 = 5,0𝑚𝐴. Para região de corte, a corrente do coletor 𝐼 = 15𝑛𝐴, com 𝑉 = 30𝑉 e 𝐼 = 0. O mínimo valor do ganho de corrente 𝛽 é 110. f) Pesquise aplicações que fazem uso do TBJ funcionando como chave. R: O TBJ operando como chave pode ser usado para implementar as portas lógicas AND e OR, além de ser usado para circuitos chaveadores em multiplexadores, para controlar os estados ligado e desligado de uma lâmpada, entre outros. 6. Conclusão Esta prática realmente cumpriu com o seu objetivo que era projetar e analisar o funcionamento de um TBJ como chave mediante simulação e experimentação. Nela, pode-se observar a curva das tensões envolvidas no circuito, bem como analisar estas tomando como referência o próprio circuito e a curva característica de saída. 7. Referências Bibliográficas [1] BOYLESTAD, Robert L.; NASHELSKY, Louis. Dispositivos Eletrônicos e Teoria dos Circuitos; São Paulo; Pearson Education do Brasil, 2013.