ELETRÔNICA LAH(1)

Prévia do material em texto

Página 1 de 5 
 
 
 
 
GRADUAÇÃO EAD 
SEGUNDA CHAMADA 2018.2B 
 15/12/2018 
 
QUESTÃO 1. 
Dado o retificador de meia onda abaixo: 
 
Adotando calcule o valor do ângulo de condução inicial θ. 
 
R: 2,67º. 
 
QUESTÃO 2. 
Na figura a seguir, algumas regiões foram delimitadas nas curvas características estáticas de um transistor 
bipolar de junção (TBJ). 
 
 
 
ELETRÔNICA 
 Página 2 de 5 
 
Da análise da figura, conclui-se que: 
 
R: a região 1 é a região de corte. 
 
QUESTÃO 3. 
Calcule os valores das resistências da base para que o circuito do transistor alimente uma lâmpada com 
potências variáveis de 25W, 50W e 75W, respectivamente. (Considere um fator hfe=100). 
 
 
 
R: 1,986kΩ; 1,418kΩ e 1,154kΩ. 
 
QUESTÃO 4. 
(Adaptada- Cesgranrio 2010) Considere os seguintes dados de projeto relativos ao circuito abaixo: o diodo 
zener tem 6,8V de tensão nominal e opera com correntes: IZmin = 15mA e IZmax = 80 mA; o transistor de 
potência opera com VBE = 0,7V, e RB = 140Ω; a corrente de carga varia de 0 (sem carga) a IL = 2,25 A 
(plena carga). 
 
Para que o regulador opere normalmente, a tensão de entrada Ve pode variar, em V, entre os limites: 
 
R: 15,2 e 18,0 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 Página 3 de 5 
 
 
 
 
 
QUESTÃO 5. 
Um dos grandes avanços no chaveamento linear a transistores TJB foi a criação da configuração Darlington 
(Darlington, S. 1950) a qual é mostrada conforme a Figura 1 abaixo. Nela pode-se notar diversos transistores 
ligados em (stack) pilha ou cascata, este tipo de configuração permitiu um grande ganho ao controle eletrônico 
linear. Sobre esta configuração escolha as assertivas corretas. 
 
(FIGURA 1) 
 
 
I. A configuração Darlinton é utilizada para controle de grandes correntes utilizando transistores TJB com o 
uso de pequenas correntes de base. Esta característica transforma o transistor em uma chave 
semicondutora fria, o que de certa forma aumenta a sua suportabilidade e seu tempo de vida em um 
circuito, porém diminui a velocidade no chaveamento devido aos delays ao longo da cascata. 
II. O uso dos resistores entre as bases conforme na figura não é essencial, porém o seu uso 
permite a modelagem independente das correntes de polarização e reduz o tempo necessário para 
desligar um par condutor, isto é, diminui o delay na operação de abertura e fechamento. 
III. Desconsiderando a presença dos resistores entre as bases o ganho de corrente é dado 
por , esta relação pode ser facilmente obtida de posse das relações entre as 
correntes de base e de coletor ao longo da cascata, sendo a mesma dada por para cada 
transistor. 
IV. A configuração Darlington é indicada para controle de pequenas correntes transformando a cascata em 
uma chave resultante quente e rápida, já que o ganho de corrente é amplificado. 
V. Na Figura 1 pode-se notar a presença de transistores do tipo PNP cujo uso é indicado para levar corrente 
da fonte a um ponto específico do circuito. 
 
Estão corretas as assertivas: 
 
R: I II III 
 
 
 Página 4 de 5 
 
 
 
 
 
QUESTÃO 6. 
(Adaptada Cesgranrio 2009) No circuito da figura abaixo, o Diodo Zener é considerado ideal e opera, em sua 
região ativa, com tensão nominal de 16 V. Qual o valor do resistor R, em k, para que a corrente no Zener seja de 
2 mA? 
 
R: 35kΩ 
 
QUESTÃO 7. 
No circuito abaixo, qual o valor que mais se adequa a Vzo? Dados: 𝑉𝑍=6, 8𝑉;𝑖𝑍=5mA; 𝑟𝑍=20Ω; 𝐼𝑍k=0,2mA. 
 
R: 6,7V . 
 
QUESTÃO 8. 
Em um amplificador Darligton, a corrente de saída é de 500mA. Um dos transistores tem um ganho de corrente 
de 250. O ganho do outro TBJ, se a corrente de entrada for de é? 
R: 80A 
 
QUESTÃO 9. 
(FUNRIO 2012) Para a inserção de capacitores em circuitos integrados, alguns tipos de estruturas são 
possíveis. Um destes tipos é o capacitor MOS. Analisando-se um capacitor MOS, pode-se afirmar que sua 
capacitância 
R: depende tanto da frequência quanto da tensão do sinal aplicado. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 Página 5 de 5 
 
QUESTÃO 10. 
Uma das características de um transistor MOSFET é a existência de uma tensão de limiar (threshold). Analise 
as assertivas a seguir, sobre esta tensão: 
 
I. Para tensões entre porta (gate) e fonte (source), VGS, abaixo de uma tensão de limiar (Vt), não haverá ou 
será muito pequeno o fluxo de corrente entre fonte e dreno. 
II. Quando VGS < Vt, a densidade de cargas acumuladas no canal é nula ou muito pequena já que a 
intensidade de campo elétrico não será suficiente para a formação do canal condutor. 
 
Com relação a essas assertivas, pode-se afirmar que: 
 
R: I e II são verdadeiras, e II é uma justificativa correta de I.