Antonio Marcos LABORATORIO_Eletronica GERAL 2017-2 (2)

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DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA
CURSO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
ROTEIROS PARA O LABORATÓRIO e LISTAS DE EXERCÍCIOS
Disciplina: ENG1550 – Eletrônica Geral Professor: Dr. Antônio Marcos de Melo Medeiros
2o Semestre de 2017
 (
10
 
)
Experiência extra
Circuitos divisores de tensão e corrente
Aluno:	Turma: 	
 	Objetivo	
Rever os conceitos de ligações série e paralelo de resistores, realizando medidas com voltímetro e amperímetro.
 	Material Utilizado	
01 Fonte DC ajustável; 01 Matriz de contatos; 01 Multímetro;
Resistores de 100, 220, 330, 560 e 1k;
 	Procedimento Prático	
1 – Meça utilizando um multímetro os valores dos resistores
2 – Monte o circuito da figura 1, com os seguintes valores: V = 12 V, R1 = 220 , R2 = 330 , R3 = 560 , R4 = 1 K e R5 = 100 .
Figura 1
3 – Utilizando um multímetro meça os valores de tensão e corrente nos resistores e preencha a tabela 1 a seguir.
	
	R1
	R2
	R3
	R4
	R5
	Corrente (mA)
	
	
	
	
	
	Tensão (V)
	
	
	
	
	
 	Questões	
1. Faça os cálculos teóricos de tensão e corrente nos resistores e compare com os valores medidos, comentando sobre as possíveis divergências;
2. Adicione ao circuito uma fonte de tensão de 10 V, em série com o resistor de 100, com o mesmo referencial da fonte de 12 V e determine, usando o teorema de superposição o valor da corrente que passa pelo resistor de 1 k;
 	Simulação	
Fazer a simulação em qualquer um dos simuladores e fazer o relatório comparando os valores da tabela 1.
Podendo utilizar o Pspice, multsim, Proteus, etc.
 	Bibliografia	
· Anotações feitas em sala de aula durante exposição teórica;
· BOYLESTAD, R. L & NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos, Editora Prentice-Hall do Brasil, 6a Edição, 1996;
Experiência 1
O Diodo Semicondutor
Aluno:	Turma: 	
 	Objetivo	
Levantar a curva característica do diodo semicondutor; Determinar o ponto de trabalho do diodo utilizando a reta de carga.
 	Material Utilizado	
01 Fonte DC ajustável; 01 Matriz de contatos; 01 Multímetro;
01 Resistor: 470 /1W; 01 Diodo 1N4007;
 	Procedimento Prático	
1 – Utilizando um ohmímetro, identifique os terminais do diodo. 2 – Monte o circuito da figura 1.
Figura 1
3 – Ajuste a tensão na fonte para se obter os valores de tensão descritos tabela 1 abaixo. Meça e anote a corrente no circuito.
	VS(fonte)
	0
	2
	4
	6
	8
	10
	12
	14
	16
	18
	20
	22
	VD(V)
	
	
	
	
	
	
	
	
	
	
	
	
	ID(mA)
	
	
	
	
	
	
	
	
	
	
	
	
4 – Inverta a polaridade da fonte e preencha a tabela 2 abaixo.
	VS(V)
	-5
	-10
	-15
	-20
	-25
	-30
	ID(mA)
	
	
	
	
	
	
 	Questões	
1 – Com os dados obtidos na tabela 1 e 2 da figura 1 construa a curva característica do diodo (VD x ID).
2 – Sobreponha ao gráfico (VD x ID) a reta de carga para o circuito indicado na figura 1, com a tensão da fonte em 5V. Determine o ponto de trabalho (VDQ e IDQ) do diodo nestas condições.
 	Simulação	
Fazer a simulação em qualquer um dos simuladores e fazer o relatório comparando os valores da tabela 1.
Podendo utilizar o Pspice, multsim, Proteus, etc.
 	Bibliografia	
· Anotações feitas em sala de aula durante exposição teórica;
· BOYLESTAD, R. L & NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos, Editora Prentice-Hall do Brasil, 6a Edição, 1996;
Experiência 2
Regulador de Tensão com Diodo Zener
Aluno:	Turma: 	
 (
Objetivo
)
Analisar o comportamento funcional do diodo Zener.
 (
Material
 
Utilizado
)
01 Diodo Zener: 5,6 V;
01 Fonte de tensão variável (0 - 30V); 02 Multímetros;
Resistores: 220 (1/8 W), 1k (1W); 01 Matriz de contatos;
 (
Procedimento
 
Prático
)
1 - Monte o circuito indicado na figura 1, com os seguintes valores: RS = 220  e RL = 1 K.
Figura 1
2 - Varie a tensão da fonte (VS) e preencha a tabela 1 abaixo.
	VS(V)
	2
	4
	6
	8
	10
	12
	14
	16
	18
	20
	VRL
	
	
	
	
	
	
	
	
	
	
	IZ
	
	
	
	
	
	
	
	
	
	
3 - Inverta o sentido da fonte VS, aplicando 5 V e meça o valor da tensão sobre a carga:
VRL = 	
 (
Questões
)
1 – Com base na tabela 1 e no resultado do item 3, descreva o comportamento do zener em função da tensão aplicada;
2 (
Simulação
)– Para uma tensão de 15 V, qual o valor do resistor RS, que garante a atuação do Zener como regulador de tensão no circuito da figura 1?
Fazer a simulação em qualquer um dos simuladores e fazer o relatório comparando os valores da tabela 1.
Podendo utilizar o Pspice, multsim, Proteus, etc.
 (
Bibliografia
)
· Anotações feitas em sala de aula durante exposição teórica;
· BOYLESTAD, R. L & NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos, Editora Prentice-Hall do Brasil, 6a Edição, 1996;
Experiência 3
Circuito com Zener e diodos comuns
Aluno:	Turma: 	
 (
Objetivo
)
Analisar o comportamento de um circuito, com diodos comuns, a partir de uma regulação de tensão obtida pela
utilização de um diodo Zener.
 (
Material
 
Utilizado
)
01 Matriz de contatos;
03 Diodos 1N4007;
01 Diodo Zener de 5,6 V ;
01 Fonte de tensão variável de 0 a 30V; 02 Multímetros;
05 Resistores de 1k ;
 (
Procedimento
 
Prático
)
1 - Monte o circuito da figura 1, com VZ = 5,6 V, R1 = R2 = R3 = R4 = R5 = 1K :
Figura 1
2 – Varie a tensão de entrada VE e meça o valor da corrente em R2, R3 e no Zener, conforme tabela 1 abaixo:
	VE (V)
	5
	8
	10
	16
	20
	I (R2) (mA)
	
	
	
	
	
	I (R3) (mA)
	
	
	
	
	
	IZ (mA)
	
	
	
	
	
3 – Para um valor de VE = 25 V meça os valores das tensões sobre os diodos:
VD1 =		VD2 =	VD3 = 	
4 – Aplique uma tensão VE = -15 V e meça os valores de corrente no diodo Zener e no resistor R4.
I (Zener) =		I (R4) = 	
 (
Questões
)
1 – Com base na tabela 1 obtida no item 2 do procedimento, descreva o comportamento do diodo Zener em relação aos valores de tensão VE aplicados.
2 – Faça os cálculos teóricos do procedimento 2, considerando a 2a aproximação para os diodos, e compare com os valores medidos.
3 – Faça os cálculos teóricos do item 3, considerando a 2a aproximação para os diodos, e compare com os valores medidos.
4 – Para o circuito montado, com VZ = 12 V, R1 = 200 , R2 = 500 , R3 = 300  e R4 = 100  e R5 = 400 , considerando os diodos ideais, calcule o menor valor de VE, para que o zener esteja atuando como regulador de tensão e para uma tensão VE = 25 V determine os valores das correntes em todos os resistores do circuito.
 	Simulação	
Fazer a simulação em qualquer um dos simuladores e fazer o relatório comparando os valores da tabela 1.
Podendo utilizar o Pspice, multsim, Proteus, etc.
 	Bibliografia	
· Anotações feitas em sala de aula durante exposição teórica;
· BOYLESTAD, R. L & NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos, Editora Prentice-Hall do Brasil, 6a Edição, 1996;
Experiência 4 Circuitos Retificadores
Aluno:	Turma:	_
 	Objetivo	
Verificar o efeito retificador de circuitos implementados com diodos; Verificar as formas de onda de sinais de tensão em retificadores de meia onda;
Verificar as formas de onda de sinais de tensão em retificadores de onda completa.
 	Material Utilizado	
01 Transformador 220/(12 + 12)V; 02 Diodos 1N4007;
01 Resistor 470 - 5 W;
01 Osciloscópio;
02 Multímetros;
01 Matriz de contatos;
 	Procedimento Prático	
1 – Monte o circuito indicado na figura 1.
Figura 1
2 - Desenhe as formas de onda na saída do transformador e na carga RL. VI (t)
t(s)
VRL(t)
t(s)
3 – Meça os valores (DC) da tensão e corrente na carga RL:
VL = 	
IL = 	
4 – Monte o circuito, conforme indicado na figura 2.
Figura 2
5 - Desenhe as formas de onda na saída do transformador (12 V) e na carga RL.
 (
V
I
(t)
V
RL
(t)
t(s)
t(s
))
6 – Meça os valores (DC) da tensão e corrente na carga RL:
VL =	IL = 	
 	Questões	
1 – Calcule a tensão e corrente média na carga para o circuito do item 1 do procedimento experimental, e compare com os valores medidos, no item 3;
2 – Calcule a tensão e corrente média na carga, para o circuito do item 4 do procedimento experimental, e compare com os valores medidos, no item 6
4 – Qual a freqüência de saída dos pulsos no retificador de meia onda? É onda completa?
5 – Qual a vantagem do retificadorde onda completa em relação ao retificador de meia onda?
 	Simulação	
Fazer a simulação em qualquer um dos simuladores e fazer o relatório comparando os valores calculados.
Podendo utilizar o Pspice, multsim, Proteus, etc.
 	Bibliografia	
· Anotações feitas em sala de aula durante exposição teórica;
· BOYLESTAD, R. L & NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos, Editora Prentice-Hall do Brasil, 6a Edição, 1996;
Experiência 5
O Filtro capacitivo
Aluno:	Turma: 	
 	Objetivo	
Verificar o comportamento dos retificadores com filtros capacitivos
 	Material Utilizado	
01 Matriz de contatos;
01 Transformador 220/(12 + 12)V; 04 Diodos 1N4007;
01 capacitor de 470 F/25V eletrolítico; 01 capacitor de 100F/25V eletrolítico; 01 Resistor 470;
01 Osciloscópio;
01 Multímetro;
 	Procedimento Prático	
1 – Monte o circuito conforme a figura 1:
Figura 1
2 – Preencha a tabela abaixo, medindo os valores de tensão e corrente, indicados.
	VRL(DC) [V]
	IRL(DC) [mA]
	VRL max [V]
	VRL min [V]
	VRL
[V]
	
	
	
	
	
3 – Faça a ligação de um capacitor eletrolítico de 100 F, em paralelo com RL.(Observe a polaridade!).
4 – Preencha a tabela abaixo, medindo os valores de tensão e corrente, indicados.
	VRL(DC)
[V]
	IRL(DC)
[mA]
	VRL max
[V]
	VRL min
[V]
	VRL
[V]
	
	
	+
	
	
5 . Substitua o capacitor por um de 470F e preencha a tabela a seguir:
	VRL(DC) [V]
	IRL(DC) [mA]
	VRL max [V]
	VRL min [V]
	VRL
[V]
	
	
	
	
	
 	Questões	
1 – Para o circuito do item 1 do procedimento experimental, calcule os valores de VL(DC), IL(DC) e compare com os valores medidos.
2 – Para o circuito do item 3 e 5 do procedimento experimental, calcule os valores de VL(DC), IL(DC) e VL e compare com os valores medidos.
3 – Para o circuito do item 3 do procedimento experimental, determine o valor da capacitância do filtro de modo que a tensão de saída tenha uma oscilação de 1,5 V.
 	Simulação	
Fazer a simulação em qualquer um dos simuladores e fazer o relatório comparando os valores calculados.
Podendo utilizar o Pspice, multsim, Proteus, etc.
 	Bibliografia	
· Anotações feitas em sala de aula durante exposição teórica;
· BOYLESTAD, R. L & NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos, Editora Prentice-Hall do Brasil, 6a Edição, 1996;
Experiência 6
Curva característica do TBJ
Aluno:	Turma: 	
 	Objetivo	
Levantar experimentalmente as características de entrada e de saída de um transistor.
 	Material Utilizado	
· Fonte de tensão DC;
 (
Resistor de 2,7 kΩ;
 
Resistor
 
de
 
22
 
Ω;
Potenciômetro de escala linear, 0Ω a 10 kΩ;
 
Potenciômetro de escala linear, 0Ω a 1kΩ;
 
Multímetro;
Transistor tipo TBJ BC 548;
 
Matriz
 
de contatos;
)






 	Procedimento Prático	
1) Meça com ohmímetro conforme figura 1 e anote na tabela abaixo as resistências no modo de operação direta e reversa entrem a base-emissor e base-coletor:
Figura 1
	Modo de operação
	Base-Emissor
	Base-Coletor
	Rdireto
	
	
	Rreverso
	
	
2) Monte o circuito da figura 2:
Figura 2
3) Varie a tensão VBE utilizando o potenciômetro de 10KΩ, conforme a tabela 1 abaixo. Para cada caso meça e anote a corrente de base, mantendo constante, por meio do potenciômetro de 1KΩ, a tensão VCE em 3V.
	VBE (V)
	0
	0,1
	0,2
	0,3
	0,4
	0,5
	0,6
	0,7
	0,75
	IB(mA)
	
	
	
	
	
	
	
	
	
4) Monte o circuito da figura 3, ajuste a corrente de base (IB)em 0 mA utilizando o potenciômetro de 10KΩ. Varie a tensão VCE conforme a tabela abaixo, por meio do potenciômetro de 1KΩ. Para cada caso, meça e anote o valor da corrente IC.
Figura 3
5) Repita o item 4 para os demais valore de IB, conforme a tabela 2 abaixo:
	VCE (V)
	0
	1
	2
	3
	4
	5
	IB(mA)
	
IC(mA)
	
	
	
	
	
	
	0
	
	
	
	
	
	
	
	0,05
	
	
	
	
	
	
	
	0,1
	
	
	
	
	
	
	
	0,15
	
	
	
	
	
	
	
	0,20
 	Questões	
1 – Construa o gráfico da tabela 1 do item 3 ( IB x VBE) e o gráfico da tabela 2 do item 5 (IC x VCE) .
2 – Construa o gráfico do ganho β e determine o βmédio do transistor em laboratório e compare com do fabricante.
 	Simulação	
Fazer a simulação em qualquer um dos simuladores e fazer o relatório comparando os valores calculados.
Podendo utizar o Pspice, multsim, Proteus, etc.
 	Bibliografia	
· Anotações feitas em sala de aula durante exposição teórica;
· BOYLESTAD, R. L & NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos, Editora Prentice-Hall do Brasil, 6a Edição, 1996;
Experiência 7 Polarização do Transistor
Aluno:	Turma: 	
 	Objetivo	
Verificar, experimentalmente, os tipos de circuitos de polarização de um transistor na configuração emissor comum.
 	Material Utilizado	
01 Fonte de alimentação ajustável; 02 Multímetros digitais;
Resistores: 100, 330, 1,2k, 5,6k, 150k; 01 Transistor: BC548;
01 Matriz de contatos.
 	Procedimento Prático	
1 – Meça com o Ohmímetro o ganho de corrente ( HFE) do transistor BC548.
HFE = 	
2 – Monte o circuito conforme indicado na figura 1.
 (
330

12V
)150k
Figura 1
3 – Meça e anote os valores indicados no quadro 1.
	IB
	IC
	IE
	VBE
	VCE
	VBC
	
	
	
	
	
	
Quadro1
4 – Monte o circuito conforme indicado na figura 2.
 (
330

12V
BC
 
548
100

)150k
Figura 2
5 – Meça e anote os valores indicados no quadro 2.
	IB
	IC
	IE
	VBE
	VCE
	VBC
	
	
	
	
	
	
Quadro 2
6 – Monte o circuito conforme indicado na figura 3.
 (
330

12V
BC
100

)5,6k
1,2k
Figura 3
7 – Meça e anote os valores indicados no quadro 3.
	IB
	IC
	IE
	VBE
	VCE
	VBC
	
	
	
	
	
	
Quadro 3
 	Questões	
1 – Calcule o valor de , utilizando os valores de IB e IC, obtidos nos quadros 1, 2 e 3. Compare com o valor medido no item 1.
2 – Determine os valores de IB, IC, IE, VCE, para os circuitos da figura 1, 2 e 3 e compare com os valores medidos, nos itens 3, 5 e 7 do procedimento experimental.
3 – Dimensione RB, RC e RE para polarizar o transistor do circuito da figura 2, conforme os dados fornecidos: Dados do transistor:  = 200; VBE = 0,7V.
Dados do projeto: VCC = 15V; VCE = VCC/2; VRE = VCC/10; IC = 30mA.
 	Simulação	
Fazer a simulação em qualquer um dos simuladores e fazer o relatório comparando os valores calculados.
Podendo utizar o Pspice, multsim, Proteus, etc.
 	Bibliografia	
· Anotações feitas em sala de aula durante exposição teórica;
· BOYLESTAD, R. L & NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos, Editora Prentice-Hall do Brasil, 6a Edição, 1996;
Experiência 8
O Transistor atuando como chave
Aluno:	Turma: 	
 	Objetivo	
Verificar, experimentalmente, a atuação do transistor como chave, em circuitos de inversão e adequação de sinais.
 	Material Utilizado	
01 Fonte de alimentação ajustável (0 – 30 V);
02 Multímetros digitais;
03 Resistores de: 1k, 10k e 5.6k (1/8 W); 02 Transistor BC548;
01 Matriz de contatos; 01 Diodo 1N4007
01 Osciloscópio;
01 Gerador de áudio;
 	Procedimento Prático	
1 – Meça o valor de ganho do Transistor	HFE T1=	HFE T2= 	
2 – Monte o circuito conforme indicado na figura 1.
Figura 1
3 – Ajuste o gerador de função em 60 Hz (sinal quadrado) e varie a amplitude a partir de zero, observando através do osciloscópio, para que valor de tensão de entrada, ocorre a saturação do transistor T1.
VI  	
4 – Ajuste o gerador de função em 60 Hz, 8 V pp. Verifique com o osciloscópio e faça os esboços das formas de onda nos coletores dos transistor T1 e T2.
5 – Através de amperímetros meça os valores de corrente em T1 e T2:
	IBT1
	IBT2
	IRL
	
	
	
 	Questões	
1 – Determine o valor teórico de VI para que ocorra a saturação do transistor T1 no circuito da figura 1 e compare com o valor medido;
2 – Para uma tensão VI quadrada, 60 Hz, 6 V pp e uma tensão de alimentação VCC de 10 V, quais os valores de RB e RC para que o circuito da figura 1, esteja atuando como um circuito inversor?
 	Simulação	
Fazer a simulação em qualquer um dos simuladores e fazer o relatório comparando os valores calculados.
Podendo utilizar o Pspice, multsim, Proteus, etc.
 	Bibliografia	
· Anotações feitas em sala de aula durante exposição teórica;
· BOYLESTAD, R. L & NASHELSKY, L. DispositivosEletrônicos e Teoria de Circuitos, Editora Prentice-Hall do Brasil, 6a Edição, 1996;
Experiência 9
O TJB atuando como fonte de corrente
Aluno:	Turma: 	
 	Objetivo	
Verificar, experimentalmente, a atuação do transistor como fonte de corrente, através da variação da resistência de saída, mantendo-se constante o sinal de entrada.
 	Material Utilizado	
01 Fonte de alimentação ajustável (0 – 30 V);
02 Multímetros digitais;
03 (
substituir
 
ele
 
no
 
Spice
 
2N2222
)Resistores de: 1k, 10 k e 5.6k; 02 Transistor BC548;
01 Matriz de contatos; 01 Diodo 1N4007;
 	Procedimento Prático	
1 (
obter
 
pelo
 
catálogo
 
em
 
PDF
)– Meça o valor de ganho do Transistor	HFE T1= 	
2 (
Corrente
 
constante
)– Monte o circuito da figura 1
 (
Figura
 
1
7 –
 
Para
 
os
 
valores
 
de
 
R
C
 
indicados
 
na
 
tabela
 
a
 
seguir
 
meça
 
os
 
valores
 
das
 
correntes
 
e
 
tensões:
V
CE
I
C
I
E
V
CE
I
C
I
E
V
CE
I
C
I
E
R
C
 
= 10 K
R
C
 
= 5.6 K
R
C
 
= 1K
)
 (
475u
) (
472u
) (
14,53
 
-
 
4,75
) (
9,78
) (
472u
) (
472u
) 	Questões	
 (
2
 
–
 
Utilizando
 
duas
 
fontes
 
independentes
 
para
 
a
 
polarização
 
do
 
circuito
 
da
 
figura
 
1,
 
para
 
V
BB
 
=
 
10
 
V,
 
quais
 
os
 
valores
 
de
 
V
CE
 e I
C
 
para R
C
 = 1
 
K
 

 
e
 
V
CC
 = 10,
 
15
 
e
 
20 V.
)1 – Faça os cálculos teóricos das medidas realizadas para o circuito da figura 1 e comente os resultados em relação a atuação do transistor;
 	Simulação	
Fazer a simulação em qualquer um dos simuladores e fazer o relatório comparando os valores calculados.
Podendo utilizar o Pspice, multsim, Proteus, etc.
 	Bibliografia	
· Anotações feitas em sala de aula durante exposição teórica;
· BOYLESTAD, R. L & NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos, Editora Prentice-Hall do Brasil, 6a Edição, 1996;
Experiência 10
O TJB como amplificador de pequenos sinais
Aluno:	Turma: 	
 	Objetivo	
Verificar, experimentalmente, a atuação do transistor em circuitos para amplificação de pequenos sinais senoidais.
 	Material Utilizado	
01 Matriz de contatos;
01 Fonte de alimentação ajustável (0 – 30 V);
02 Multímetros digitais;
 (
2N2222
 
nas
 
simulações
 
do
 
SPICE
)Resistores: 330 , 5.6 K, 1.2 K; 02 Resistores de 65 ;
02 Transistor: BC548;
02 capacitores eletrolíticos de 1 F; 01 Capacitor eletrolítico de 100 F;
01 Osciloscópio;
01 Gerador de áudio;
 	Procedimento Prático	
1 (
obter
 
pelo
 
catálogo
)- Meça o valor de ganho do Transistor	HFE =  = 	
2 - Monte o circuito conforme indicado na figura 1, com C1= C2 = 1 F, Ce = 100 F, R1 = 5.6 k, R2 = 1.2 k, Re1 = Re2 = 62 , RC = 330  e VCC = 12 V.
Figura 1
	IC (mA)
	IE (mA)
	VB (V)
	VE (V)
	VC (V)
	
	
	
	
	
 (
3 -
 
Com
 
o gerador
 
de
 
função desligado,
 
realize
 
as medidas
 
indicadas
 
na
 
tabela
 
1
 
a
 
seguir:
) (
10,86m
) (
10,92
) (
2,06V
) (
1,35V
) (
8,415V
) (
500mV
) (
1,0
 
V
)4 - Ajuste o gerador de sinais em 10 kHz e varie a amplitude conforme a tabela a seguir, visualizando as formas der ondas de entrada (gerador de função) e saída (Vo), preenchendo os valores da saída na tabela 2 a seguir.
	Amplitude de Vi (mV) (osciloscópio)
	Amplitude de Vo (V) (osciloscópio)
	100
	
	200
	
	400
	
	600
	
 	Questões	
1 - Faça os cálculos teóricos para o circuito da figura 1 e compare com os valores medidos;
2 – No circuito da figura 1, determine os valores dos ganhos de corrente (Ai) e tensão (AV), com a colocação de um capacitor de 10 F em paralelo com RE;
3 – Faça os cálculos teóricos para o circuito da figura 2 e compare com os valores medidos;
4 – No circuito da figura 2, determine os valores dos ganhos de corrente (Ai) e tensão (AV), retirando-se o capacitor Ce do circuito.
 	Simulação	
Fazer a simulação em qualquer um dos simuladores e fazer o relatório comparando os valores calculados.
Podendo utilizar o Pspice, multsim, Proteus, etc.
 	Bibliografia	
· Anotações feitas em sala de aula durante exposição teórica;
· BOYLESTAD, R. L & NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos, Editora Prentice-Hall do Brasil, 6a Edição, 1996;
Experiência 11
O Transistor de Efeito de Campo (JFET)
Aluno:	Turma: 	
 	Objetivo	
Obter, experimentalmente, as curvas característica e de transferência de um Transistor de efeito de campo canal n.
 	Material Utilizado	
02 Fontes de alimentação ajustavam (0 –30 V);
02 Multímetros digitais; 01 Resistor de 100;
01 Transistor: BF245A; 01 Matriz de contatos;
 	Procedimento Prático	
1 - Monte o circuito conforme indicado na figura 1.
	
Figura 1
2 (
V
GS
 
(V)
-1,2
-1
-0,8
-0,4
0
I
D
 
(mA)
)– Ajuste, através da Fonte VDD, o valor da tensão VDS em 10 V e preencha a tabela 1, variando VGS por meio da Fonte VGG.
Tabela 1
3 – Para um VDS = 10 V, varie a Fonte VGG, até que ID seja nulo e meça o valor de VGS.
VGS (para ID = 0) = 	
4 - Meça os valores de ID, variando os valores de VDS e VGS, através das Fontes VGG e VDD, conforme a tabela 2.
	
	VDS (V)
	VGS (V)
	0,5
	1,0
	1,5
	2,0
	4,0
	8,0
	- 1,2
	
	
	
	
	
	
	- 1
	
	
	
	
	
	
	-0,8
	
	
	
	
	
	
	-0,4
	
	
	
	
	
	
	0
	
	
	
	
	
	
Tabela 2 – Valores das correntes ID, com as variações de VDS e VGS
 	Questões	
1 – Com base nos dados da Tabela 2, desenhe as curvas características de operação do JFET 245A; 2 – Com base cos dados da Tabela 1, desenhe a curva de transferência do JFET 245A;
3 – Determine os valores de IDSS e VP do JFET 245A.
 	Simulação	
Fazer a simulação em qualquer um dos simuladores e fazer o relatório comparando os valores calculados.
Podendo utilizar o Pspice, multsim, Proteus, etc.
 	Bibliografia	
· Anotações feitas em sala de aula durante exposição teórica;
· BOYLESTAD, R. L & NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos, Editora Prentice-Hall do Brasil, 6a Edição, 1996;
Experiência 12
O Transistor de Efeito de Campo (JFET)
Aluno:	Turma: 	
 	Objetivo	
Verificar, experimentalmente, os tipos de circuitos de polarização de um FET
 	Material Utilizado	
02 Fonte de alimentação ajustável; 01 matriz de contato;
01 FET BF 245A;
02 Multímetro;
01 resistor 470 Ω; 01 resistor 680 Ω, 01 resistor 1 kΩ, 01 resistor 1,2 kΩ;
01 resistor 2,2 kΩ, 01 resistor 33 kΩ; 01 resistor 100 kΩ, 01 resistor 1MΩ;
 	Procedimento Prático	
1- Na configuração de polarização fixa é aplicada uma tensão constante na porta que polariza reversamente o canal, reduzindo a corrente de dreno, monte o circuito da figura 1 e meça VGS, ID e VD e anote os valores na tabela a seguir:
Figura 1
	FET
	CALCULADO
	MEDIDO
	
	ID
	VD
	VGS
	ID
	VD
	VGS
	1
	
	
	
	
	
	
2 – Autopolarização: monte o circuito da figura 2 e meça os valores de ID, VD e VS. Anote os valores obtidos na tabela abaixo.
Figura 2
	FET
	CALCULADO
	MEDIDO
	
	ID
	VD
	VS
	ID
	VD
	VS
	1
	
	
	
	
	
	
3) Configuração de Polarização com Divisor de Tensão, Monte o circuito da figura 3 e meça os valores de ID, VD e VS.
Figura 3
	FET
	CALCULADO
	MEDIDO
	
	ID
	VD
	VS
	ID
	VD
	VS
	1
	
	
	
	
	
	
 	Questões	
1 – Utilizando os valores de IDSS e o valor de Vp obtido na aula anterior. Calcule os valores de ID, VD e VS para o circuito do item 1 através das equações da teoria (método matemático) e anote os valores obtidos na tabela do item 1.
2 – Utilizando os valores de IDSS e o valor de Vp obtido na aula anterior. Calcule os valores de ID, VD e VS para o circuito do item 2 através das equações da teoria (método matemático) e anote os valores obtidos na tabela do item 2.
3 – Utilizando os valores de IDSS e o valor de Vp obtido na aula anterior. Calcule os valores de ID, VD e VS para o circuito do item 3 (utilizando método gráfico) e anote os valores calculados na tabela item 3.
 	Simulação	
Fazer a simulação em qualquer um dos simuladores e fazer o relatório comparando os valores calculados.
Podendo utilizar o Pspice, multsim, Proteus, etc.
 	Bibliografia	
· Anotações feitas em sala de aula durante exposição teórica;
· BOYLESTAD, R. L & NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos, Editora Prentice-Hall do Brasil, 6a Edição, 1996;
Experiência 13
O AmplificadorNas Configurações: Circuito Inversor e Não Inversor
Aluno:	Turma: 	
 	Objetivo	
Verificar, experimentalmente, a atuação do Amplificador Operacional, nas configurações básicas de circuitos inversor e não inversor.
 	Material Utilizado	
01 Fonte simétrica ± 15 V; 01 Gerador de áudio;
01 Osciloscópio;
01 Multímetro digital;
01 CI LM 741;
02 Resistores de 10 kΩ , 01 de 27 kΩ, 01 de 39 kΩ, 01 de 47 kΩ e 01 de 82 kΩ; 01 Matriz de contatos;
Alicates, cabos e fios;
 	Procedimento Prático	
1 – Monte o circuito, conforme indicado na figura 1.
Figura 1
2 - Ajuste o gerador de áudio para uma tensão quadrada de amplitude de 0,5 V em 400 Hz e faça um esboço das tensões de entrada Vi e saída Vo:
3 - Ainda com o gerador de áudio ajustado com amplitude 0,5 V em 400 Hz, preencha os valores da Tabela 01, para os valores indicados de R2.
	R2(kΩ)
	27
	39
	47
	87
	Vo (amplitude) [V]
	
	
	
	
Tabela 01 - Valores da tensão Vo com as variações de R2
4 - Monte o circuito conforme indicado na Figura 02.
Figura 2
5 - Ajuste o gerador de áudio para uma tensão quadrada de amplitude de 0,5 V em 400 Hz e faça um esboço das tensões de entrada Vi e saída Vo:
6 - Ainda com o gerador de áudio ajustado com amplitude 0,5 V em 400 Hz, preencha os valores da tabela apresentada na Tabela 02, para os valores indicados de R2.
	R2(kΩ)
	27
	39
	47
	87
	Vo (amplitude) [V]
	
	
	
	
Tabela 02 - Valores da tensão Vo com as variações de R2
 	Questões	
1 – Realize os cálculos teóricos e compare com os valores obtidos experimentalmente, apresentados nas Tabelas 01 e 02.
2 – Faça um esboço das formas de onda das saídas Vo para os circuitos das Figuras 01 e 02, considerando uma tensão Vi (t) de:
a) 1,2 sen (800t);
b) 0,8 V;
c) - 3 V;
d) 8 V
 	Simulação	
Fazer a simulação em qualquer um dos simuladores e fazer o relatório comparando os valores calculados.
Podendo utilizar o Pspice, multsim, Proteus, etc.
 	Bibliografia	
· Anotações feitas em sala de aula durante exposição teórica;
· BOYLESTAD, R. L & NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos, Editora Prentice-Hall do Brasil, 6a Edição, 1996;
Experiência 14
O Amplificador Operacional nas configurações: Circuito Somador e Circuito subtrator
Aluno:	Turma: 	
 	Objetivo	
Verificar, experimentalmente, a atuação. do. Amplificador Operacional, nas configurações básicas de circuitos somador e subtrator.
 	Material Utilizado	
01 Fonte simétrica ± 15 V; 01 Gerador de áudio;
01 Osciloscópio;
01 Multímetro digital;
02 CI LM 741;
03 Resistores de 10 kΩ;
03 Resistor de 100 kΩ; 03 de 47 kΩ; 02 de 33 kΩ e 02 de 68 kΩ; 01 de 82 kΩ; 01 Matriz de contatos;
Alicates, cabos e fios;
 	Procedimento Prático	
1 – Monte o circuito, conforme indicado na figura 1.
Figura 1
2 - Ajuste o. gerador de áudio para uma tensão quadrada de amplitude de 0,5 V em 400 Hz e faça um esboço das tensões de entrada V1 e saída Vo:
3 - Ainda com o gerador de áudio ajustado com amplitude 0,5 V em 400 Hz, preencha os valores da Tabela 01, para os valores indicados de R2.
	R2(kΩ)
	33
	47
	68
	82
	Vo (amplitude) [V]
	
	
	
	
Tabela 01 - Valores da tensão Vo com as variações de R1
4 - Monte o circuito conforme indicado na Figura 02.
Figura 2
5 - Com um multímetro, meça os valores das tensões indicadas na Tabela 02:
	V1
	V2
	V3
	V4
	Vo
	
	
	
	
	
Tabela 02 - Valores das tensões
6 - Retire o resistor R1 do circuito da Figura 02 e meça os valores das tensões indicadas na Tabela 03 para diferentes valores de R1:
	R1 (kΩ)
	V3
	V4
	Vo
	33
	
	
	
	47
	
	
	
	68
	
	
	
	82
	
	
	
Tabela 03 - Valores da tensão Vo com as variações de R2
 	Questões	
1 – Realize os cálculos teóricos e compare com os valores obtidos experimentalmente, apresentados nas Tabelas 1 e 2.
2 – Faça um esboço das formas de onda das saídas Vo para os circuitos das Figuras 01 e 02, considerando uma tensão Vi (t) de:
a) 1,2 sen (800t);
b) 0,8 V;
c) - 3 V;
d) 8 V
3 – Com base nos valores apresentados na Tabela 03, determine o comportamento funcional do Amplificador Operacional.
 	Simulação	
Fazer a simulação em qualquer um dos simuladores e fazer o relatório comparando os valores calculados.
Podendo utilizar o Pspice, multsim, Proteus, etc.
 	Bibliografia	
· Anotações feitas em sala de aula durante exposição teórica;
· BOYLESTAD, R. L & NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos, Editora Prentice-Hall do Brasil, 6a Edição, 1996;
 	ANEXO	
Estrutura do Relatório:
Capa:
Contendo a identificação do Local (UCG), da disciplina (Eletrônica Geral), título da experiência, autor e data da realização.
1 – Introdução
1.1 – Objetivos da experiência;
1.2 – Resumo teórico
2 – Desenvolvimento
2.1 – Material utilizado;
2.2 – Procedimento;
2.3 – Resultados e análises
3 – Conclusão
1a LISTA DE EXERCÍCIOS
Referência: Capítulo 1 e 2
1) Explique como são obtidos os semicondutores extrínsecos tipo N e tipo P.
2) Para o circuito abaixo, verificou-se que para uma tensão, sobre o diodo de 1,2 V uma corrente de aproximadamente 30 mA.
a) Considerando o diodo ideal, para um valor de R de 500 , quais são os valores de corrente e potência estabelecidos no resistor R? (24 mA e 28 mW)
b) Repita o item a) para a 2a e 3a aproximação; ( 22.6 mA e 255 mW; 20 mA e 200 mW)
c) Se a fonte tivesse seus terminais invertidos, qual o valor da corrente? Por que? (Id = 0)
3) Utilizando a 2a aproximação, para o circuito a seguir, com R1 = 500 , R2 = 400  e R3 = 300  determine:
a) A corrente e a potência nos resistores R1, R2 e R3;(10.3 mA e 53.4 mW; 10.3 mA e 40 mW)
b) O valor das tensões nos diodos D1 e D2. (- 4.85 V; 0.7 V)
c) Repita as letras a) e b) para uma fonte de 12 V no sentido contrário.
( a) 14 mA e 100 mW; 0 e 0; 14 mA e 59 mW; b) 0.7 V e – 4.94 V)
4) Considerando os diodos ideais, R1 =500  e R2 = 200 , para o circuito a seguir:
a) Qual é o valor das correntes nos resistores R1 e R2? (20 mA, 50 mA)
b) Se o sentido da fonte fosse invertido qual o valor da potência dissipada nos resistores?
(0.2 W; 0)
c) Repita os itens a) e b), considerando a 2a aproximação para os diodos.
( a) 17.2 mA e 46,5 mA; b) 148 mW e 0)
11 ) Para o circuito representado a seguir, com VZ = 12 V, RS = 200  e RL = 2 K:
a) Qual é o valor mínimo de VS para que o diodo Zener esteja atuando como regulador de tensão? (13.2 V)
b) Para uma tensão VS = 40 V, qual o valor da corrente no diodo Zener? (134 mA)
c) Para uma tensão VS = 10 V, qual o valor de corrente na carga RL? (4.54 mA)
2a LISTA DE EXERCÍCIOS
Referência: Capítulo 1 e 2
1) Para um retificador de meia onda, alimentando uma carga RL = 150 , através de um transformador com 500 espiras no primário e 20 espiras no secundário, para uma tensão no primário do transformador v(t) = 300 sen 500 t:
a) Desenhe o circuito que representa o sistema;
b) Qual é o valor da tensão média na carga RL? (3.81 V)
c) Faça um esboço das formas de onda de tensão e corrente na carga RL;
d) Qual o valor mínimo de tensão em RL com colocação de um capacitor C = 1000 F?
(10.66 V)
e) Qual o valor da corrente em RL, com a ligação do capacitor? (44.5 mA)
2) Para um retificador de onda completa, alimentando uma carga RL = 10 , através de um transformador com uma tensão no primário v(t) = 300 sen 500 t:
a) Desenhe o circuito que representa o sistema;
b) Qual o valor da relação de transformação (N1/N2), para que uma corrente média de aproximadamente 190 mA seja estabelecida na carga? (50)
c) Faça um esboço das formas de onda de tensão e corrente na carga;
d) Quais as especificações dos diodos? (TPI  6 V e Id  95 mA)
3) Para um retificador em ponte, alimentado por um transformador com relação de transformação N1/N2 = 10 e tensão no primário de 220 V (60Hz).
a) Qual o valor da carga RL para que uma potência média de 1.566 W seja dissipada? (250 )
b) Qual o valor de oscilação na tensão em RL com a colocação de um capacitor, em paralelo, no valor de C = 500 F? (2.1 V)
c) Qual o valor da potência dissipada em RL, após a ligação do capacitor? (3.62 W)
d) Qual é, em graus, o ângulo de condução dos diodos? (21.24o)
4) Para um retificadorem ponte alimentando uma carga RL = 200 , através de um transformador com N1/ N2 = 10, com tensão no primário igual a v(t) = 200 sen (400t):
a) Qual o valor da corrente média na carga? (63.6 mA)
b) Que valor de capacitor deve ser ligado em paralelo a RL, para que a potência média na carga seja de 1.85 W? (513 F)
c) Faça um esboço das formas de onda de tensão em RL, sem e com o capacitor.
d) Qual o valor da corrente média na carga se um capacitor de 100 F fosse, ligado em paralelo ao primeiro capacitor? (97 mA)
5) Repita o exercício anterior, para um retificador de meia onda.
( a) 31.8 mA; b) 1027 F; c) 96.5 mA)
3a LISTA DE EXERCÍCIOS
Referência: Capítulo 3 e 4
1) Para o circuito abaixo, com: CC é igual a 300, VBB = 10 V, VCC = 15 V, RB = 500 K e RC = 620 , determine:
a) o valor da corrente na base; (18 A)
b) o valor da tensão entre coletor e emissor; (11,54 V)
c) o valor da potência dissipada no transistor. (64 mW)
2) Projete o circuito de polarização para o transistor do exercício anterior, de modo que se tenha VBB = 5 V, VCC
= 10 V, VCE = 7.5 V e IC = 10 mA. (RB = 129 K e RC = 250 )
3) Para o circuito a seguir, sabendo que: VBB= 5 V, VCC= 10V, RE = 15 K e RC = 2K .
a) Desenhe a reta de carga para a operação do transistor; (ICS = 0,59 mA e VCE = 10 V)
b) Qual o ponto de operação para VCC= 15 V? (IC = 0,29 mA e VCE = 5,13 V)
4) Para o circuito apresentado no exercício 1, substitua a fonte VBB por um gerador de sinal que forneça periodicamente: 0 < t < T/2  V = 10V e T/2 < t < T  V = 0.
a) Se RB = 10 K , qual o menor valor de RC para que o transistor esteja atuando como um circuito inversor?
(53,76 )
b) Se CC é igual a 80, qual o ponto de operação no período de 0 < t < T/2, para um valor de RC = 100 ? (17,4 mA e 7,56 V)
c) Para as condições da letra b), qual o menor valor de VBB, que garante a saturação forte de transistor? (19,45 V)
5) Para o circuito a seguir, com VCC = 18 V, R1 = 39 K, R2= 8.2 K, Rc = 3.3 K e Re = 1 K, CC é igual a 120, determine:
a) A corrente no coletor; (2,43 mA)
b) A tensão VCE; (5,25 V)
c)	IB, VE e VB (20 A, 2,43 V e 3,13 V)
6) Para o circuito a seguir, com VCC = 16 V, RB=470 K, RE= 0.51 K, RC = 3.6 K, CC é igual a 120, determine:
a) IB; (15,87 A)
b) IC; (1,9 mA)
c)	VC. (9,14 V)
7) Para o circuito abaixo, considere: CC = 200, VBB = 10 V, VCC = 10V, RB = 220 K e RC = 620 :
a ) Desenhe a reta de carga para o circuito e determine o ponto de operação do transistor;
(ICS = 16 mA e VCE = 10 V; IC = 8,45 mA e VCE = 4,76 V)
b) Para um valor de VBB = 5 V, qual é o valor máximo de RB, para que o transistor esteja operando na região de saturação? (53,35 K)
c) Projete um circuito para: VCE= 6 V e IC = 8 mA.
(RC = 500  e RB = 232,5 K)
8) Para o circuito a seguir, considere os valores de VCC=10 V, R1 = 18 K, R2= 3 K, RC = 3.3 K e Re = 1 K, CC é igual a 150, determine:
a) O valor da tensão no coletor; (7,59 V)
b) O ponto de operação para RC = 1 K.
(IC = 0,73 mA e VCE = 8,54 V)
9) Para o circuito abaixo, com: CC é igual a 200, VBB = 10 V, VCC = 5 V, RB = 600 K e RC = 520 , determine:
a) valor da corrente na base; (15,5 A)
b) desenhe a reta de carga para o transistor; (ICS = 9,6 mA e VCE = 5 V)
c) determine o ponto de operação do transistor; IC = 3,1 mA e VCE = 3,39 V
d) Projete um circuito de polarização para que se tenha VBB = 5 V, RC = 550  , VCE = 3.5 V e IC = 10 mA.
(VCC = 9 V e RB = 86 K).
4a LISTA DE EXERCÍCIOS
Referência: Capítulo 7 e 8
1 - Para o circuito a seguir com:  = 100, r0 = 50 K e Vi = 0.02 sen (377t):
a) Qual o valor eficaz da tensão de saída (Vo)? (3.74 V)
b) Qual é o erro percentual no valor do ganho de corrente se considerar ro =  ? (5.67%)
2 - Para os circuitos a seguir, determine os valores de Zi, Zo, AV e Ai (demonstre!)
Zi = 19.61  Z0 = 5 K AV = 250
Ai = - 1
Zi = 59.34 K Z0 = 2.2 K AV = - 3.89
Ai = 104.92
Zi = 132.72 K Z0 = 12.56  AV = 0.996
Ai = - 39.67
5a LISTA DE EXERCÍCIOS
Referência: Capítulo 5 e 6
1 - Faça o esboço da curva de transferência de um JFET de canal P, para:
IDSS = 4 mA e VP = 3 V
2 - Para o circuito apresentado na figura a seguir, determine o ponto de operação e o valor de VDS para JFET se: IDSS= 12 mA, VP = - 4V, RD = 1.2 K, RG = 1 M, VDD=12 V e VGG = 1.5 V. (4.69 mA; -1.5 V, 6.37 V)
3 - Faça o esboço da curva característica e da equação do circuito, determinando matematicamente o ponto de operação do JFET, apresentado a seguir, se IDSS = 8 mA, VP = - 6V, RD = 3.3 K, RG = 1 M e VDD = 20 V:
a) para RS = 100 ; (6.4 mA, - 0.64 V)
b) para RS = 10 K. (0.46 mA, - 4.6 V)
4 - Para o circuito a seguir, com IDSS = 10 mA, VP = - 3.5	V, RD
= 2.2 K, RS = 0.51 K, R1 = 910 K, R2 = 110 K e VDD = 20 V, determine o ponto de operação do JFET.(5.8 mA, - 0.58 V)
6 - LISTA DE EXERCÍCIOS
Referência: capítulos 13 e 14
1 - Faça os exercícios 3, 7 e 10 do item 13.4 do Livro Boylestad. 2 - Faça os exercícios 2 e 7 do item 14.1 do Livro Boylestad.