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Recuperatorio segundo parcial (teoría) 1) Efectuar el análisis electrostático [ρ (x), ε (x), Ψ(x)] de una juntura MOS ideal en el modo de inversión...

Recuperatorio segundo parcial (teoría)
1) Efectuar el análisis electrostático [ρ (x), ε (x), Ψ(x)] de una juntura MOS ideal en el modo de inversión
2) Graficar la estructura de un MOSFET de canal N con Vg > Vth
a. Vd = 0
b. 0 < Vd < Vth
c. Vd = Vdsat
d. Vd > Vdsat


Essa pergunta também está no material:

Parciales de dispositivos electronicos
3 pág.

Eletrônica I Universidad Tecnológica NacionalUniversidad Tecnológica Nacional

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