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Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:

O transistor de efeito de campo é um dispositivo semicondutor unipolar de três terminais que tem características muito semelhantes às dos seus homólogos transistores bipolares. Por exemplo, alta eficiência, operação instantânea, robusto e econômico e pode ser usado na maioria das aplicações de circuitos eletrônicos para substituir seus primos BJT. Há vários tipos de polarização dos transistores de efeito de campo.


A A configuração com polarização fixa é uma das poucas configurações que se pode resolver pelo método matemático e pelo método gráfico.
B A configuração com polarização fixa é uma das poucas configurações que se pode resolver apenas pelo método gráfico.
C A configuração com polarização fixa é uma das poucas configurações que não se pode resolver nem pelo método matemático e nem pelo método gráfico.
D A configuração com polarização fixa é uma das poucas configurações que se pode resolver apenas pelo método matemático.
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Avaliação Final (Objetiva) -Eletrônica Analógica I Individual
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Avaliação Final (Objetiva) -Eletrônica Analógica I Individual

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A alternativa correta é a letra D: "A configuração com polarização fixa é uma das poucas configurações que se pode resolver apenas pelo método matemático."

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Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:

O transistor de efeito de campo pode ser feito muito mais pequeno do que um BJT transistor equivalente e, em conjunto com o seu baixo consumo de energia e de dissipação de potência mínimo, tornam ideais para uso em circuitos integrados, como a gama CMOS de chips lógicos digitais. Há vários tipos de polarização dos transistores de efeito de campo.


A A configuração com autopolarização elimina a necessidade de duas fontes de tensão CC-CA. A tensão de controle porta-fonte é determinada através de Rf.
B A configuração com autopolarização elimina a necessidade de duas fontes de tensão CC. A tensão de controle porta-fonte é determinada através de Rs.
C A configuração com autopolarização elimina a necessidade de duas fontes de tensão CA. A tensão de controle porta-fonte é determinada através de Rq.
D A configuração com autopolarização elimina a necessidade de duas fontes de tensão CA-CC. A tensão de controle porta-fonte é determinada através de Rz.

Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:

Os diodos Zener tem esse nome em homenagem ao físico americano Clarence Melvin Zener (1905-1993), que foi o primeiro a descrever o mecanismo de ruptura de isoladores elétricos. Os diodos Zener são um tipo de diodo que, diferentemente da maioria das aplicações nas quais os diodos operam na região de condução, o diodo Zener opera sempre polarizado reversamente.


A A partir do momento que a tensão de ruptura do componente é atingida, a tensão fica constante, de forma que ele funciona como um regulador de tensão. É claro que, se a tensão crescer demais, o diodo zener também vai abrir e se comportar como um circuito aberto.
B A partir do momento que a tensão de ruptura do componente é atingida, a tensão fica constante, de forma que ele funciona como um tiristor. É claro que, se a tensão crescer demais, o diodo zener também vai queimar e entrar em curto.
C A partir do momento que a tensão de ruptura do componente é atingida, a tensão fica constante, de forma que ele funciona como uma fonte não linear de corrente. É claro que, se a tensão crescer demais, o diodo zener também vai abrir e se comportar como um circuito aberto.
D A partir do momento que a tensão de ruptura do componente é atingida, a tensão fica constante, de forma que ele funciona como um regulador de tensão. É claro que, se a tensão crescer demais, o diodo zener também vai queimar e entrar em curto.

Com relação ao exposto e à prática virtual, assinale a alternativa CORRETA:

A Com pouca intensidade da luz, a resistência do LDR irá aumentar, fazendo com que a resistência
de Thevenin do circuito aumente e a corrente de base seja muito pequena.

B Com pouca intensidade da luz, o LDR irá se comportar como um curto circuito, fazendo com que
a resistência de Thevenin do circuito diminua e a corrente de base seja muito pequena.

C Com pouca intensidade da luz, a resistência do LDR irá diminuir, fazendo com que a resistência
de Thevenin do circuito diminua e a corrente de base seja muito pequena.

D Com pouca intensidade da luz, a resistência do LDR irá aumentar, fazendo com que a resistência
de Thevenin do circuito diminua e a corrente de base seja muito pequena.

Sabemos que a relação entre os parâmetros de entrada e de saída em um transistor de efeito de
campo não é linear, obedecendo à equação de Shockley que é uma função quadrática, resultando em
uma curva, em vez de uma reta conforme foi analisado para os transistores bipolares de junção. Com
base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:

A
Quando pensamos na análise CA, a não linearidade pode complicar o raciocínio, sendo o método
gráfico o mais rápido para a maioria dos amplificadores FET, porém pode limitar a precisão de
décimos. Vale lembrar que em um FET a variável de controle é uma corrente enquanto em um
TBJ é uma capacitância.

B
Quando pensamos na análise CA, a não linearidade pode complicar o raciocínio, sendo o método
gráfico o mais rápido para a maioria dos amplificadores FET, porém pode limitar a precisão de
microcentésimos. Vale lembrar que em um FET a variável de controle é uma tensão enquanto em
um TBJ é uma impedância.

C
Quando pensamos na análise CC, a não linearidade pode complicar o raciocínio, sendo o método
gráfico o mais rápido para a maioria dos amplificadores FET, porém pode limitar a precisão de
décimos. Vale lembrar que em um FET a variável de controle é uma tensão enquanto em um TBJ
era uma corrente.

D
Quando pensamos na análise CC, a não linearidade pode complicar o raciocínio, sendo o método
gráfico o mais rápido para a maioria dos amplificadores MOSFET, porém pode limitar a precisão
de milicentésimos. Vale lembrar que em um FET a variável de controle é uma corrente enquanto
em um TBJ é uma tensão.


A - C e A
B - C e B
C - C e D
D - A e D

[Laboratório Virtual – Eletrônica Analógica – Leds e Diodos] Através da prática virtual Leds e Diodos
foi possível verificar o comportamento do LED com a imposição de diferentes valores de tensão
nesse componente. O LED do experimento estava em polarização direta, como podia ser visto no
circuito. Seguindo outro caso específico, considere um diodo emissor de luz com limiar de tensão de
1,2 V, sem resistor presente no circuito, é polarizado inversamente em um circuito. Assumindo uma
tensão inversa máxima aceitável é de 4 V.

Sobre o problema exposto, assinale a alternativa CORRETA:

A Ao aplicarmos 1,2 V no circuito, o LED irá conduzir corrente elétrica, mas não irá acender.

B Ao aplicarmos 1,2 V no circuito, o LED irá acender mesmo estando polarizado inversamente.

C Ao aplicarmos 1,2 V no circuito, o LED não irá conduzir corrente elétrica, mas irá acender.

D Ao aplicarmos 1,2 V no circuito, o LED não irá acender por estar polarizado inversamente.


A - Apenas a alternativa A está correta.
B - Apenas a alternativa B está correta.
C - Apenas a alternativa C está correta.
D - Apenas a alternativa D está correta.

O surgimento do transistor abriu caminho para o surgimento de diversas outras invenções
importantes, por exemplo os CIs (Circuitos Integrados), que nada mais é que um dispositivo pequeno
que contém milhares de transistores. Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:

A Com o advento deste pequeno componente temos lustres e outros milagres eletrônicos em nosso
cotidiano.

B Com o advento deste pequeno componente temos a possibilidade de construir circuitos mais
simples e baratos, mas com menor eficiência.

C Com o advento deste pequeno componente temos a possibilidade de construir circuitos mais
complexos e eficientes, mas com maior custo.

D Com o advento deste pequeno componente temos a possibilidade de construir circuitos mais
simples e eficientes, com menor custo e maior confiabilidade.


A - Apenas a alternativa A está correta.
B - Apenas a alternativa B está correta.
C - Apenas a alternativa C está correta.
D - Apenas a alternativa D está correta.

Existem vários tipos de transistor e cada um deles possui um funcionamento e aplicação específica. Iremos descrever neste artigo sobre como funciona um transistor TBJ (transistor de junção bipolar). Um componente bipolar é chamado assim devido a serem constituídos de materiais do tipo P e do tipo N. Isso significa que para sua correta operação o material tipo P depende de portadores de carga positiva (lacunas) e o material de tipo N depende de portadores de carga negativa (elétrons). Os materiais semicondutores (tipo P ou tipo N) conseguem conduzir uma corrente elétrica, porém não conseguem conduzir tão bem quanto um material condutor. Como exemplo, podemos citar o silício e o germânio. Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:

( ) O transistor consiste em três camadas de material, sendo que duas delas são feitas de material igual.
( ) O princípio de operação do transistor é que uma pequena quantidade de corrente na base irá provocar o fluxo de uma grande quantidade de corrente no coletor.
( ) O transistor pode ter apenas duas configurações: base-comum e emissor-comum.
( ) O transistor pode ter apenas duas configurações: base-emissor e emissor-comum.

Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:



A F - V - F - V.
B V - V - F - F.
C F - V - V - F.
D V - F - V - F.

Um datasheet, folha de dados ou folha de especificações é um documento que resume o desempenho e outras características técnicas de um produto, máquina, componente, material, subsistema ou software em detalhe suficiente para que possa ser usado por um engenheiro de projeto para integrar o componente em um sistema. Com base no expo


A V - V - F - F.
B F - V - V - F.
C F - V - F - V.
D V - F - V - F.

Assinale a alternativa CORRETA sobre os dados necessários para uma correta utilização do dispositivo semicondutor:

Tensão inversa, em condições específicas de temperatura e corrente
Corrente inversa máxima, em condição específica de temperatura
Corrente de saturação reversa, em condições específicas de temperatura e tensão
Tensão reversa nominal, PIV ou PRV ou V(BR), em condição específica de temperatura
Dissipação máxima de potência, em condição específica de temperatura
Níveis de capacitância
Tempo de recuperação reversa
Faixa de temperatura de operação
A - Tensão inversa, em condições específicas de temperatura e corrente, Corrente inversa máxima, em condição específica de temperatura, Corrente de saturação reversa, em condições específicas de temperatura e tensão, Tensão reversa nominal, PIV ou PRV ou V(BR), em condição específica de temperatura, Dissipação máxima de tensão, em condição específica de temperatura, Níveis de capacitância, Tempo de recuperação reversa, Faixa de temperatura de operação.
B - Tensão inversa, em condições específicas de temperatura e corrente, Corrente direta máxima, em condição específica de temperatura, Corrente de saturação reversa, em condições específicas de temperatura e tensão, Tensão reversa nominal, PIV ou PRV ou V(BR), em condição específica de temperatura, Dissipação máxima de resistência, em condição específica de temperatura, Níveis de capacitância, Tempo de recuperação reversa, Faixa de temperatura de operação.
C - Tensão direta, em condições específicas de temperatura e corrente, Corrente direta máxima, em condição específica de temperatura, Corrente de saturação reversa, em condições específicas de temperatura e tensão, Tensão reversa nominal, PIV ou PRV ou V(BR), em condição específica de temperatura, Dissipação máxima de potência, em condição específica de temperatura, Níveis de capacitância, Tempo de recuperação reversa, Faixa de temperatura de operação.
D - Tensão direta, em condições específicas de temperatura e corrente, Corrente inversa máxima, em condição específica de temperatura, Corrente de saturação reversa, em condições específicas de temperatura e tensão, Tensão reversa nominal, PIV ou PRV ou V(BR), em condição específica de temperatura, Dissipação máxima de corrente, em condição específica de temperatura, Níveis de capacitância, Tempo de recuperação reversa, Faixa de temperatura de operação.

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