A opção correta é a letra E: "O IGBT é um dispositivo de três camadas, sendo duas camadas p-dopadas e uma camada n-dopada." Os IGBTs são dispositivos semicondutores utilizados em eletrônica de potência, que combinam as características de transistores bipolares de junção (BJTs) e de transistores de efeito de campo (FETs). Eles possuem três camadas, sendo duas camadas p-dopadas e uma camada n-dopada, o que permite que eles tenham alta capacidade de bloqueio para tensões inversas e baixa resistência para condução de corrente.
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