Vamos analisar as alternativas sobre o IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada): A) É composto de source isolado por camada de SiO2 dupla e base conectada diretamente ao coletor. - Incorreta, pois o IGBT não possui uma base conectada diretamente ao coletor. B) O ganho de corrente de gate-dreno depende da corrente no coletor. - Incorreta, o ganho de corrente do IGBT não depende diretamente da corrente no coletor. C) Possui os terminais base, gate e dreno. - Incorreta, os terminais do IGBT são gate, coletor e emissor, não base. D) Trata-se de uma combinação entre o transistor de efeito de campo e o transistor bipolar. - Correta, o IGBT combina características de ambos os tipos de transistores. E) Não pode ser utilizado para acionamento de motores elétricos, apenas para cargas resistivas. - Incorreta, o IGBT pode ser utilizado para acionamento de motores elétricos. Portanto, a alternativa correta é: D) Trata-se de uma combinação entre o transistor de efeito de campo e o transistor bipolar.