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Conforme a capacidade do assunto exposto, analise as sentenças a seguir: I. Os dois materiais do tipo p estão conectados entre si e também ao terminal porta (G - gate). II. Os dois materiais do tipo p estão conectados entre si e também ao terminal porta (D - drain). III. A construção de um JFET de canal n é possível verificar que a maior parte do material constituinte é do tipo n, que forma o canal entre as camadas imersas de material do tipo p. IV. A parte superior do material do tipo n por meio de um contato ôhmico temos a conexão do dreno (D - drain) e na parte inferior do mesmo através de outro contato ôhmico temos a fonte (S - source). É correto o que se afirma em:

A III e IV, apenas.
B III, apenas.
C I e II, apenas.
D I, II e III, apenas.
E I, III e IV, apenas.
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Vamos analisar cada uma das sentenças: I. Os dois materiais do tipo p estão conectados entre si e também ao terminal porta (G - gate). Falso, em um JFET, o terminal porta é geralmente associado ao material do tipo n, não ao tipo p. II. Os dois materiais do tipo p estão conectados entre si e também ao terminal porta (D - drain). Falso, o terminal drain também está associado ao material do tipo n, não ao tipo p. III. A construção de um JFET de canal n é possível verificar que a maior parte do material constituinte é do tipo n, que forma o canal entre as camadas imersas de material do tipo p. Verdadeiro, essa afirmação está correta, pois descreve a estrutura de um JFET de canal n. IV. A parte superior do material do tipo n por meio de um contato ôhmico temos a conexão do dreno (D - drain) e na parte inferior do mesmo através de outro contato ôhmico temos a fonte (S - source). Verdadeiro, essa afirmação também está correta, descrevendo a conexão do dreno e da fonte em um JFET. Com base nas análises, as sentenças verdadeiras são III e IV. Portanto, a alternativa correta é: A) III e IV, apenas.

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