Avaliacao II - Eletronica Analogica 3

Prévia do material em texto

<p>Prova Impressa</p><p>GABARITO | Avaliação II - Individual (Cod.:990358)</p><p>Peso da Avaliação 2,00</p><p>Prova 88185852</p><p>Qtd. de Questões 10</p><p>Acertos/Erros 9/1</p><p>Nota 9,00</p><p>O JFET ou junção FET é um transistor de efeito de campo que usa materiais portadores de carga</p><p>colocados perpendicularmente e em contato direto com seu canal para que se possa controlar a</p><p>passagem de corrente elétrica. Em dispositivos JFET canal N, a corrente de dreno (Id) é controlada</p><p>aplicando-se uma tensão reversa em sua porta-fonte (GATE-SOURCE). Deste modo, uma barreira é</p><p>formada na camada tipo P, expandindo-a e estreitando a passagem da corrente no canal N.</p><p>Conforme a capacidade do assunto exposto, analise as sentenças a seguir:</p><p>I. Os dois materiais do tipo p estão conectados entre si e também ao terminal porta (G - gate).</p><p>II. Os dois materiais do tipo p estão conectados entre si e também ao terminal porta (D - drain).</p><p>III. A construção de um JFET de canal n é possível verificar que a maior parte do material constituinte</p><p>é do tipo n, que forma o canal entre as camadas imersas de material do tipo p.</p><p>IV. A parte superior do material do tipo n por meio de um contato ôhmico temos a conexão do dreno</p><p>(D - drain) e na parte inferior do mesmo através de outro contato ôhmico temos a fonte (S - source).</p><p>É correto o que se afirma em:</p><p>A III e IV, apenas.</p><p>B III, apenas.</p><p>C I e II, apenas.</p><p>D I, II e III, apenas.</p><p>E I, III e IV, apenas.</p><p>É muito comum encontrar sistemas amplificadores que se baseiam em transistores com dois estágios.</p><p>O primeiro estágio consiste de transistores de efeito de campo, enquanto o segundo consiste de</p><p>transistores bipolares. Essa associação permite maior segurança, além de melhor controle de tensão e</p><p>corrente, simultaneamente, o que não seria observado caso somente um tipo de transistor fosse</p><p>utilizado.</p><p>Fonte: adaptado de: BOYLESTAD, R. L.; NASHELSKY, L. Dispositivos eletrônicos e teoria de</p><p>circuitos. Londres: Editora Pearson, 1984. Disponível em:</p><p>https://mega.nz/file/W8VUXJDS#OMcDhhsa935XwtlEEpNlFEGb2bvbN9iA-yEDhLjRpAE. Acesso</p><p>em: 2 abr. 2024.</p><p>VOLTAR</p><p>A+ Alterar modo de visualização</p><p>1</p><p>Revisar Conteúdo do Livro</p><p>2</p><p>Mobile User</p><p>Mobile User</p><p>Considerando as razões que motivam a utilização de um transistor de efeito de campo como estágio</p><p>de entrada de amplificação, antes de um transistor bipolar, analise as sentenças a seguir:</p><p>I. Maior estabilidade térmica.</p><p>II. Boa sensibilidade a tensão, devido à alta impedância de entrada.</p><p>III. Boa sensibilidade de corrente, devido à alta impedância de entrada.</p><p>IV. Boa capacidade de armazenamento de carga em seu campo elétrico.É correto o que se afirma em:</p><p>A I, apenas.</p><p>B II, III e IV, apenas.</p><p>C I, II e IV, apenas.</p><p>D I, II e III, apenas.</p><p>E III e IV, apenas.</p><p>A chegada dos transistores é um marco na linha evolutiva da sociedade contemporânea, de modo que</p><p>estes componentes são encontrados em diversas aplicações, como sistemas embarcados e</p><p>praticamente todos os eletrônicos, podendo integrar um sistema amplificador de sinais.</p><p>Fonte: adaptado de: MALVINO, A. P.; ABDO, R. Eletrônica. São Paulo: Pearson Education do</p><p>Brasil, 1997. v.1.</p><p>Conforme o texto passado e sobre o funcionamento dos transistores, identifique a veracidade dentre</p><p>as afirmativas a seguir:</p><p>I. O uso de pequenas intensidades de tensão é capaz de amplificar equipamentos de áudio.</p><p>II. O transistor bipolar é controlado pela corrente de coletor, o que dá diretrizes para a corrente de</p><p>base, por exemplo.</p><p>III. A aplicação como uma chave no circuito, tem a alimentação da tensão de entrada reduzida de</p><p>0,7V em sua junção Base-Emissor.</p><p>É correto o que se afirma em:</p><p>A I e III, apenas.</p><p>B II, apenas.</p><p>C I, II e III.</p><p>D II e III, apenas.</p><p>E I, apenas.</p><p>[Laboratório Virtual – Circuito com Lógica Booleana] Através da realização do laboratório, foi</p><p>possível verificar o comportamento do LED utilizando um circuito com uma porta lógica OR (OU) e</p><p>duas variáveis de entrada. Em um experimento real, muitas vezes não temos um circuito integrado</p><p>que possui a porta necessária. Dessa forma, é possível utilizar a autossuficiência das portas NAND</p><p>(NÃO-E) e NOR (NÃO-OU) para criar um circuito que se comporte como uma OR. As portas lógicas</p><p>NAND e NOR são autossuficientes e podem ser usadas para construir qualquer circuito lógico digital.</p><p>3</p><p>4</p><p>Sobre o circuito que poderia substituir a porta OR utilizando a autossuficiência, assinale a alternativa</p><p>CORRETA:</p><p>A São utilizadas três portas Não-E para conseguir uma porta OU (OR).</p><p>B Essa substituição é impossível dentro da eletrônica digital.</p><p>C A porta OR pode ser obtida a partir do curto-circuito das entradas da porta Não-E.</p><p>D É necessário a utilização de apenas duas portas Não-E, resultando na obtenção da porta OU</p><p>(OR).</p><p>O IGBT é um dispositivo utilizado para o acionamento de cargas quando deseja-se atuar com sinais</p><p>em determinadas velocidades e com as características de tecnologias de transistores combinadas.</p><p>Fonte: adaptado de: MALVINO, A.; BATES, D. Eletrônica. 8. ed. Porto Alegre: AMGH, 2016. v. 2.</p><p>Sobre o IGBT, assinale a alternativa CORRETA:</p><p>A Não pode ser utilizado para acionamento de motores elétricos, apenas para cargas resistivas.</p><p>B O ganho de corrente de gate-dreno depende da corrente no coletor.</p><p>C Trata-se de uma combinação entre o transistor de efeito de campo e o transistor bipolar.</p><p>D Possui as terminais base gate e dreno.</p><p>E É composto de source isolado por camada de SiO2 dupla e base conectada diretamente ao</p><p>coletor.</p><p>Um engenheiro, ao projetar um circuito com transistores se deparou com um modelo de transistor</p><p>bipolar onde o seu ganho (hFE) pode variar de 100 até 300.</p><p>Ao estabelecer que este componente irá operar com uma corrente em seu coletor de 100 mA, qual</p><p>será a corrente na base do transistor se o ganho for estabelecido em 200?</p><p>A 500 pA.</p><p>B 50 mA.</p><p>C 0,5 mA.</p><p>D 100 mA.</p><p>E 1 A.</p><p>5</p><p>6</p><p>[Laboratório Virtual – Circuito com Lógica Booleana] Um dos circuitos integrados (CIs) utilizados no</p><p>experimento era o SN 74HC08N, o qual é composto por quatro portas AND de duas entradas cada.</p><p>Ao projetar um circuito com portas lógicas, devemos verificar se o circuito integrado possui todas as</p><p>portas lógicas necessárias ou se será necessário inserir um outro CI para atender aos requisitos do</p><p>projeto. A figura apresenta um circuito lógico que será projetado:</p><p>Sobre a utilização do circuito integrado para o projeto da figura, assinale a alternativa CORRETA:</p><p>A Serão necessários dois CIs SN 74HC08N para construir o circuito lógico apresentado, visto que</p><p>as portas lógicas OR (OU) e nem portas NOT (Inversora) estarão presentes no segundo CI.</p><p>B Não será possível construir o circuito lógico apresentando apenas com o CI SN 74HC08N, pois</p><p>esse componente não é composto por portas lógicas OR (OU) e nem portas NOT (Inversora).</p><p>C Será possível construir o circuito lógico apresentando apenas com o CI SN 74HC08N, pois esse</p><p>componente também possui portas AND de três entradas.</p><p>D Será possível construir o circuito lógico apresentado apenas com o CI SN 74HC08N, pois esse</p><p>componente possui todas as portas lógicas do circuito.</p><p>O transistor NPN possui suas junções NP uma voltada contra a outra, com o cristal P (positivo) para</p><p>as costas da outra junção, formando, então, o transistor de junção bipolar (TJB) NPN. Esse é acionado</p><p>com carga positiva em relação ao emissor.</p><p>Com base no exposto, analise as sentenças a seguir:</p><p>I. A aplicação de transistores não se limita somente à amplificação de sinais, realizando um projeto</p><p>apropriado, podem ser utilizados como chaves de computadores e aplicações de controle.</p><p>II. O projeto apropriado para o transistor atuar como um PNP exige que o ponto de operação alterne</p><p>do ponto de corte ao ponto de saturação sobre a mesma reta tangente do coletor e do emissor.</p><p>III. O transistor PNP possui suas junções NP uma voltada contra a outra, com o cristal P (positivo)</p><p>para as costas da outra junção, formando, então, o transistor de junção bipolar (TJB) PNP. Esse é</p><p>acionado com carga positiva em relação ao emissor.</p><p>IV. Os transistores PNP operam com</p><p>valores positivo/ negativo/ positivo, o transistor PNP possui duas</p><p>junções PN, acomodadas uma voltada para outra, os cristais negativos ficam um em contato com o</p><p>outro, sendo assim, temos a formação do transistor de junção bipolar (TJB) PNP.</p><p>É correto o que se afirma em:</p><p>A II, apenas.</p><p>7</p><p>8</p><p>B I e IV, apenas.</p><p>C I, II e III, apenas.</p><p>D II, III e IV, apenas.</p><p>E II e III, apenas.</p><p>O transistor MOSFET opera de maneira similar aos transistores JFET, mas com características</p><p>específicas devido a sua construção. Como os MOSFET contém uma camada de dióxido de silício</p><p>isolando o gate, são observadas melhorias operacionais para determinas aplicações.</p><p>Fonte: adaptado de: https://powerunit-ju.com/wp-content/uploads/2016/11/Book-</p><p>Power_Electronics_Handbook_3rd_Edition_M_Rashid.pdf. Acesso em: 2 abr. 2024.</p><p>Com relação às melhorias operacionais observadas no transistor MOSFET, analise as afirmativas a</p><p>seguir:</p><p>I. Menor dissipação de calor.</p><p>II. Maior impedância de entrada.</p><p>III. Maior sensibilidade de tensão.</p><p>IV. Maior sensibilidade de corrente.É correto o que se afirma em:</p><p>A I, II e III, apenas.</p><p>B I, II e IV, apenas.</p><p>C III e IV, apenas.</p><p>D II, III e IV, apenas.</p><p>E I, apenas.</p><p>Em análise a um amplificador com estágio, utilizando MOSFET, foi possível observar que ele possuía</p><p>um ponto de operação Q, variando entre 0,1 A e 3 A, no dreno.</p><p>Considerando os MOSFETs atuando como amplificadores, assinale a alternativa CORRETA:</p><p>A A polarização do MOSFET como PDT não é permitida, restringindo-se apenas aos transistores</p><p>bipolares.</p><p>B O MOSFET deve operar na região de corte para que possamos amplificar o sinal de entrada, pois</p><p>o sinal de saída deve ser limpo e o sinal de entrada imune a qualquer interferência.</p><p>C O MOSFET deve operar na região de saturação para que possamos amplificar o sinal de entrada,</p><p>pois há uma superposição de sinais neste processo.</p><p>D O ponto de operação é fixo quando o sinal de entrada varia.</p><p>E A inclinação da reta de carga se refere ao produto da tensão gate-source e da frequência do sinal</p><p>em VI variando no tempo.</p><p>9</p><p>10</p><p>https://powerunit-ju.com/wp-content/uploads/2016/11/Book-Power_Electronics_Handbook_3rd_Edition_M_Rashid.pdf</p><p>https://powerunit-ju.com/wp-content/uploads/2016/11/Book-Power_Electronics_Handbook_3rd_Edition_M_Rashid.pdf</p><p>Imprimir</p>