Grátis: Sobre o IGBT, assinale a alternativa CORRETA: A Não pode ser utilizado para acionamento de motores elétricos, apenas para cargas resistivas. B O g... – Questões Respondidas

Eletrônica Analógica

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Sobre o IGBT, assinale a alternativa CORRETA:

A Não pode ser utilizado para acionamento de motores elétricos, apenas para cargas resistivas.
B O ganho de corrente de gate-dreno depende da corrente no coletor.
C Trata-se de uma combinação entre o transistor de efeito de campo e o transistor bipolar.
D Possui as terminais base gate e dreno.
E É composto de source isolado por camada de SiO2 dupla e base conectada diretamente ao coletor.

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Vamos analisar as alternativas sobre o IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada): A) Não pode ser utilizado para acionamento de motores elétricos, apenas para cargas resistivas. Incorreta. O IGBT é amplamente utilizado para acionamento de motores elétricos. B) O ganho de corrente de gate-dreno depende da corrente no coletor. Incorreta. O ganho de corrente do IGBT não depende diretamente da corrente no coletor. C) Trata-se de uma combinação entre o transistor de efeito de campo e o transistor bipolar. Correta. O IGBT é, de fato, uma combinação de características de transistores bipolares e de efeito de campo. D) Possui os terminais base, gate e dreno. Incorreta. Os terminais do IGBT são coletor, emissor e gate. E) É composto de source isolado por camada de SiO2 dupla e base conectada diretamente ao coletor. Incorreta. Essa descrição não é precisa para o IGBT. Portanto, a alternativa correta é: C) Trata-se de uma combinação entre o transistor de efeito de campo e o transistor bipolar.

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Conforme a capacidade do assunto exposto, analise as sentenças a seguir: I. Os dois materiais do tipo p estão conectados entre si e também ao terminal porta (G - gate). II. Os dois materiais do tipo p estão conectados entre si e também ao terminal porta (D - drain). III. A construção de um JFET de canal n é possível verificar que a maior parte do material constituinte é do tipo n, que forma o canal entre as camadas imersas de material do tipo p. IV. A parte superior do material do tipo n por meio de um contato ôhmico temos a conexão do dreno (D - drain) e na parte inferior do mesmo através de outro contato ôhmico temos a fonte (S - source). É correto o que se afirma em:

A III e IV, apenas.
B III, apenas.
C I e II, apenas.
D I, II e III, apenas.
E I, III e IV, apenas.

Conforme o texto passado e sobre o funcionamento dos transistores, identifique a veracidade dentre as afirmativas a seguir: I. O uso de pequenas intensidades de tensão é capaz de amplificar equipamentos de áudio. II. O transistor bipolar é controlado pela corrente de coletor, o que dá diretrizes para a corrente de base, por exemplo. III. A aplicação como uma chave no circuito, tem a alimentação da tensão de entrada reduzida de 0,7V em sua junção Base-Emissor. É correto o que se afirma em:

A I e III, apenas.
B II, apenas.
C I, II e III.
D II e III, apenas.
E I, apenas.

Sobre o circuito que poderia substituir a porta OR utilizando a autossuficiência, assinale a alternativa CORRETA:

A São utilizadas três portas Não-E para conseguir uma porta OU (OR).
B Essa substituição é impossível dentro da eletrônica digital.
C A porta OR pode ser obtida a partir do curto-circuito das entradas da porta Não-E.
D É necessário a utilização de apenas duas portas Não-E, resultando na obtenção da porta OU (OR).

Com base no exposto, analise as sentenças a seguir: I. A aplicação de transistores não se limita somente à amplificação de sinais, realizando um projeto apropriado, podem ser utilizados como chaves de computadores e aplicações de controle. II. O projeto apropriado para o transistor atuar como um PNP exige que o ponto de operação alterne do ponto de corte ao ponto de saturação sobre a mesma reta tangente do coletor e do emissor. III. O transistor PNP possui suas junções NP uma voltada contra a outra, com o cristal P (positivo) para as costas da outra junção, formando, então, o transistor de junção bipolar (TJB) PNP. Esse é acionado com carga positiva em relação ao emissor. IV. Os transistores PNP operam com valores positivo/ negativo/ positivo, o transistor PNP possui duas junções PN, acomodadas uma voltada para outra, os cristais negativos ficam um em contato com o outro, sendo assim, temos a formação do transistor de junção bipolar (TJB) PNP. É correto o que se afirma em:

A II, apenas.
B I e IV, apenas.
C I, II e III, apenas.
D II, III e IV, apenas.
E II e III, apenas.

Com relação às melhorias operacionais observadas no transistor MOSFET, analise as afirmativas a seguir: I. Menor dissipação de calor. II. Maior impedância de entrada. III. Maior sensibilidade de tensão. IV. Maior sensibilidade de corrente. É correto o que se afirma em:

A I, II e III, apenas.
B I, II e IV, apenas.
C III e IV, apenas.
D II, III e IV, apenas.
E I, apenas.

Em análise a um amplificador com estágio, utilizando MOSFET, foi possível observar que ele possuía um ponto de operação Q, variando entre 0,1 A e 3 A, no dreno. Considerando os MOSFETs atuando como amplificadores, assinale a alternativa CORRETA:

A A polarização do MOSFET como PDT não é permitida, restringindo-se apenas aos transistores bipolares.
B O MOSFET deve operar na região de corte para que possamos amplificar o sinal de entrada, pois o sinal de saída deve ser limpo e o sinal de entrada imune a qualquer interferência.
C O MOSFET deve operar na região de saturação para que possamos amplificar o sinal de entrada, pois há uma superposição de sinais neste processo.
D O ponto de operação é fixo quando o sinal de entrada varia.
E A inclinação da reta de carga se refere ao produto da tensão gate-source e da frequência do sinal em VI variando no tempo.