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De acordo com seus conhecimentos, assinale a alternativa que corresponde a principal diferença entre o IGBT e o MOSFET? a. O IGBT combina a facilidade de acionamento dos MOSFETs com as baixas perdas em condução dos transistores bipolares de potência. b. O IGBT não tem região N-. c. O IGBT não é sensível à polarização reversa. d. O IGBT não possui gate. e. O IGBT não tem camada P+.

Rodrigo Silva Braga

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PROVA ELETRÔNICA DE POTÊNCIA

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Vamos analisar as alternativas para identificar a principal diferença entre o IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada) e o MOSFET (Transistor de Efeito de Campo Metal-Óxido-Semicondutor): a) O IGBT combina a facilidade de acionamento dos MOSFETs com as baixas perdas em condução dos transistores bipolares de potência. - Esta afirmação é verdadeira e reflete uma das principais características do IGBT. b) O IGBT não tem região N-. - Isso não é correto, pois o IGBT possui uma estrutura que inclui regiões N-. c) O IGBT não é sensível à polarização reversa. - Isso não é uma diferença principal, pois ambos os dispositivos têm características de polarização. d) O IGBT não possui gate. - Isso é falso, pois o IGBT possui um terminal de gate. e) O IGBT não tem camada P+. - Isso também não é correto, pois a estrutura do IGBT inclui uma camada P+. A alternativa que melhor descreve a principal diferença entre o IGBT e o MOSFET é: a) O IGBT combina a facilidade de acionamento dos MOSFETs com as baixas perdas em condução dos transistores bipolares de potência.

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De acordo com seus conhecimentos, assinale a alternativa que corresponde a principal função dos conversores CC-CA? a. Converter tensão CA em tensão CC. b. Gerar corrente contínua. c. Regular a tensão CC de saída. d. Controlar o brilho da iluminação. e. Converter tensão CC em tensão CA.

De acordo com seus conhecimentos, assinale a alternativa que corresponde a principal vantagem da modulação por largura de pulso (PWM) em conversores de eletrônica de potência? a. Maior frequência de operação. b. Menor tamanho físico. c. Maior potência máxima de saída. d. Maior eficiência. e. Menor custo.

De acordo com seus conhecimentos, assinale a alternativa que corresponde a principal diferença entre o controle de fase em cargas resistivas e cargas indutivas?
a. Cargas resistivas não podem ser controladas por controle de fase.
b. Em cargas resistivas, o desligamento ocorre quando a corrente cai a zero, enquanto em cargas indutivas, os ângulos de disparo devem estar entre 90° e 180°.
c. O controle de fase é usado apenas em cargas resistivas.
d. Em cargas resistivas, o controle é feito por modulação por largura de pulso.
e. Cargas indutivas não podem ser controladas por controle de fase.

De acordo com seus conhecimentos, assinale a alternativa que corresponde ao que acontece quando um diodo é polarizado reversamente? a. A barreira de potencial diminui. b. A largura da região de transição aumenta. c. Os portadores negativos migram para o anodo. d. A corrente flui facilmente. e. A tensão aplicada supera o valor natural da barreira.

De acordo com seus conhecimentos, assinale a alternativa que corresponde a, como os conversores de potência podem afetar circuitos de comunicação e sinalização, e qual é a medida comum para reduzir esse impacto? a. Os conversores de potência aumentam a distorção harmônica em circuitos de comunicação e sinalização. A medida comum para reduzir esse impacto é a utilização de transformadores de isolamento. b. Os conversores de potência reduzem a velocidade de transmissão de circuitos de comunicação e sinalização. A medida comum para reduzir esse impacto é a amplificação do sinal. c. Os conversores de potência causam curtos-circuitos em circuitos de comunicação e sinalização. A medida comum para reduzir esse impacto é a utilização de circuitos de comutação adicional. d. Os conversores de potência podem gerar interferência de radiofrequência, afetando circuitos de controle. A medida comum para reduzir esse impacto é o uso de blindagem aterrada. e. Os conversores de potência não afetam circuitos de comunicação e sinalização. Não é necessária nenhuma medida para reduzir o impacto.

De acordo com seus conhecimentos, assinale a alternativa que corresponde a principal característica da modulação em 3 níveis em sistemas de modulação por largura de pulso? a. Frequência de chaveamento constante. b. Menos componentes ímpares no espectro. c. Maior eficiência energética. d. Menor controle sobre a tensão de saída. e. Maior conteúdo harmônico.

De acordo com seus conhecimentos, assinale a alternativa que corresponde a finalidade da modulação em frequência em sistemas de modulação de potência? a. Reduzir a frequência de chaveamento. b. Variar a largura do pulso. c. Gerar uma onda triangular. d. Controlar a corrente da carga. e. Modificar a forma da onda.

De acordo com seus conhecimentos, assinale a alternativa que corresponde a principal característica do conversor SEPIC em relação à corrente de saída? a. A corrente de saída é sempre descontínua. b. A corrente de saída é inversa à corrente de entrada. c. A corrente de saída é sempre contínua. d. A corrente de saída é sempre maior que a corrente de entrada. e. A corrente de saída é pulsante.

De acordo com seus conhecimentos, assinale a alternativa que corresponde a principal diferença entre os transistores bipolares de junção (BJTs) e os transistores de efeito de campo de metal-óxido-semicondutor (MOSFETs) de potência? a. BJT é controlado por tensão, enquanto o MOSFET é controlado por corrente. b. BJT é usado em frequências mais altas que o MOSFET. c. BJT tem três terminais, enquanto o MOSFET tem dois terminais. d. BJT é usado apenas em aplicações de baixa potência. e. MOSFET é usado apenas em aplicações de alta potência.