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Materiais semicondutores são materiais sólidos cristalinos e possuem uma capacidade de conduzir cargas elétricas (condutividade elétrica) de nível intermediário entre os materiais chamados condutores elétricos e os materiais chamados isolantes elétricos.
Com relação a esse assunto, assinale a alternativa CORRETA:
A As impurezas utilizadas para dopar os materiais condutores e torná-los semicondutores são o silício e o germânio.
B Um fator que nunca terá influência na condutividade elétrica dos materiais semicondutores é a temperatura.
C A dopagem eletrônica é a adição de impurezas químicas em um material condutor para torná-lo semicondutor.
D O elemento químico silício consegue efetuar ligações covalentes nos seus elétrons de valência, compartilhando-os.
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Aprendendo com Desafios

há 7 meses

Respostas

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há 6 meses

Vamos analisar cada uma das alternativas para encontrar a correta: A) As impurezas utilizadas para dopar os materiais condutores e torná-los semicondutores são o silício e o germânio. - Esta afirmação está incorreta, pois o silício e o germânio são, na verdade, materiais semicondutores. As impurezas utilizadas para dopagem são elementos como fósforo ou boro. B) Um fator que nunca terá influência na condutividade elétrica dos materiais semicondutores é a temperatura. - Esta afirmação é falsa, pois a temperatura tem um impacto significativo na condutividade elétrica dos semicondutores. Geralmente, o aumento da temperatura aumenta a condutividade. C) A dopagem eletrônica é a adição de impurezas químicas em um material condutor para torná-lo semicondutor. - Esta afirmação é incorreta, pois a dopagem é feita em materiais semicondutores para alterar suas propriedades elétricas, não em materiais condutores. D) O elemento químico silício consegue efetuar ligações covalentes nos seus elétrons de valência, compartilhando-os. - Esta afirmação é correta. O silício possui quatro elétrons de valência e forma ligações covalentes compartilhando esses elétrons. Portanto, a alternativa correta é: D) O elemento químico silício consegue efetuar ligações covalentes nos seus elétrons de valência, compartilhando-os.

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Para proteção e manobras em circuitos e sistemas elétricos existem diversos dispositivos eletroeletrônicos disponíveis. Visando preservar equipamentos e sistemas elétricos, é importante que sejam utilizados dispositivos de proteção inseridos nos circuitos elétricos.
Considerando esse assunto, analise as sentenças a seguir:
I- Relés térmicos são dispositivos de proteção de baixíssimo custo e baseiam-se no princípio do fenômeno conhecido como efeito Joule.
II- Fusíveis são dispositivos de interrupção da corrente elétrica constituídos por lâminas unidas de metais de coeficientes de dilatação térmica diferentes.
III- Nobreaks são dispositivos que fornecem energia suplementar ao sistema elétrico durante uma falha de fornecimento na rede principal.
IV- Relés de tempo são dispositivos utilizados normalmente em manobras de atraso na energização e desenergização de circuitos elétricos.
a) As sentenças II e IV estão corretas.
b) As sentenças I e IV estão corretas.
c) As sentenças II e III estão corretas.
d) As sentenças III e IV estão corretas.

No século XX ocorreu um grande avanço tecnológico, promovido em grande parte pela utilização dos materiais semicondutores. Estes possuem uma condutividade elétrica moderada entre os materiais condutores (como o alumínio e cobre) e materiais isolantes (como o vidro e plástico).
Considerando os materiais semicondutores, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
( ) Possuem dois elétrons na camada de valência, permitindo a formação entre si de ligações covalentes.
( ) Os materiais semicondutores utilizados no desenvolvimento de dispositivos eletrônicos são o silício e o germânio.
( ) Os materiais semicondutores utilizados no desenvolvimento de dispositivos eletrônicos são o selênio e o germânio.
( ) Possuem quatro elétrons na camada de valência, permitindo a formação entre si de ligações covalentes.
a) V - F - F - V.
b) F - V - F - V.
c) V - F - V - F.
d) F - V - V - F.

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