Ed
há 6 meses
Vamos analisar cada uma das alternativas para encontrar a correta: A) As impurezas utilizadas para dopar os materiais condutores e torná-los semicondutores são o silício e o germânio. - Esta afirmação está incorreta, pois o silício e o germânio são, na verdade, materiais semicondutores. As impurezas utilizadas para dopagem são elementos como fósforo ou boro. B) Um fator que nunca terá influência na condutividade elétrica dos materiais semicondutores é a temperatura. - Esta afirmação é falsa, pois a temperatura tem um impacto significativo na condutividade elétrica dos semicondutores. Geralmente, o aumento da temperatura aumenta a condutividade. C) A dopagem eletrônica é a adição de impurezas químicas em um material condutor para torná-lo semicondutor. - Esta afirmação é incorreta, pois a dopagem é feita em materiais semicondutores para alterar suas propriedades elétricas, não em materiais condutores. D) O elemento químico silício consegue efetuar ligações covalentes nos seus elétrons de valência, compartilhando-os. - Esta afirmação é correta. O silício possui quatro elétrons de valência e forma ligações covalentes compartilhando esses elétrons. Portanto, a alternativa correta é: D) O elemento químico silício consegue efetuar ligações covalentes nos seus elétrons de valência, compartilhando-os.
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