A eletrônica analógica trabalha com sinais contínuos e exige compreensão cuidadosa do comportamento dinâmico dos dispositivos semicondutores. No caso dos transistores bipolares de junção (TBJs), a análise em corrente alternada (CA) é essencial para avaliar pequenas variações em torno do ponto quiescente. Essa análise permite determinar ganho, impedâncias e a resposta do circuito quando submetido a sinais que se modificam no tempo. Modelos de pequenos sinais, como híbrido-π e modelo T, possibilitam representar o TBJ de forma aproximada para estudar suas características em frequência e sua interação com elementos externos. Esse tratamento facilita prever como o circuito responderá a diferentes amplitudes e bandas de operação, contribuindo para o projeto de amplificadores mais estáveis e precisos. Além disso, valores fornecidos em folhas de dados auxiliam na seleção do transistor e na definição dos parâmetros relevantes usados na análise CA, garantindo desempenho adequado em aplicações analógicas variadas. Considerando um TBJ cuja folha de dados fornece hᵢₑ = 8 kΩ e hfₑ = 320 para operação em pequenos sinais, assinale a alternativa correta. A resistência dinâmica aproximada de emissor será 20 Ω ao aplicar a razão entre hᵢₑ e hfₑ fornecidos. A resistência dinâmica aproximada de emissor será 18 Ω ao considerar o quociente direto entre os parâmetros informados. A resistência dinâmica aproximada de emissor será 25 Ω quando se utiliza a divisão entre os valores de hᵢₑ e hfₑ. A resistência dinâmica aproximada de emissor será 30 Ω ao empregar a relação de pequenos sinais indicada. A resistência dinâmica aproximada de emissor será 25 Ω utilizando somente os valores listados para hᵢₑ e hfₑ.