Pratica 5 - CURVAS CARACTERÍSTICAS DO TRANSISTOR TBJ

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UNIVERSIDADE DA INTEGRAÇÃO INTERNACIONAL DA LUSOFONIA AFRO-
BRASILEIRA 
INSTITUTO DE ENGENHARIAS E DESENVOLVIMENTO 
SUSTENTÁVEL CURSO DE ENGENHARIA DE 
ENERGIAS 
 
 
 
FRANCISCO LUCAS DE SOUZA MAGALHÃES 
MANOEL NAZARENO RIBEIRO FILHO 
JOAO PEDRO MAGALHAES DE LIMA 
 
 
 
DISCIPLINA: EEN112 - LABORATÓRIO DE ELETRÔNICA BÁSICA - T02 
PROFESSOR(A): CICERO SARAIVA SOBRINHO 
 
 
Prática 05 - CURVAS CARACTERÍSTICAS DO TRANSISTOR TBJ 
 
 
 
 
REDENÇÃO-CE 
2022 
 
 
Sumário 
 
1 OBJETIVOS ........................................................................................................................................ 3 
2 METODOLOGIA ................................................................................................................................ 3 
3 RESULTADOS .................................................................................................................................... 5 
4 CONCLUSÃO ..................................................................................................................................... 5 
5 REFERÊNCIAS ................................................................................................................................... 6 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1 OBJETIVOS 
● O objetivo principal desta prática é levantar e traçar as curvas características de um 
transistor de TBJ na configuração emissor-comum mediante simulação e 
experimentação. 
2 METODOLOGIA 
 Figura 1 – Circuito montado na prática. 
 
 
Simulou-se no Proteus o circuito da Figura 1. Os valores de IC (corrente de coletor) em 
função de VCE (tensão entre coletor e emissor) e dado um IB (corrente de base) constante foram 
verificados na simulação e os resultados apresentados na Tabela 1. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Figura 2 – Circuito simulado no Proteus. 
 
Fonte - Autor 
 
Os valores das baterias VBB e VCC foram modificados. Para garantir corrente de base entre 
20 e 80 µA, variou-se Vbb de 2 a 8,7 V na simulação, ao passo que Vcc foi variado de 0 a 15 
V como especificado no manual de práticas de laboratório. 
Tabela 1 – Valores simulados de Ic em função de Vce dado Ib constante 
Corrente no coletor medida Ic (mA) 
 Ibb (µA) 
20 40 60 80 
Vce (V) 0,5 1,31 2,71 3,47 5,41 
1 5,9 11,7 9,97 22,5 
3 5,06 12,1 17,8 23,1 
5 6,21 12,4 18,2 23,7 
10 6,6 13,1 19,4 25,2 
15 6,98 13,9 20,5 26,7 
Fonte: O próprio autor 
O ganho pode ser calculado pela relação mostrada na equação. 
 
Utilizando-se essa relação para os dados da Tabela 1, conclui-se que o ganho simulado 
está na faixa de 200 a 450 como indicado pelo fabricante no datasheet. 
3 RESULTADOS 
Gráfico 1 – Curvas pertinentes: Ic =f(Vce) dado Ib constante 
 
Fonte: O próprio autor 
 
Na Gráfico 1 tem-se a forma de onda pertinente à simulação do circuito. 
4 CONCLUSÃO 
As curvas características do TBJ foram simuladas e obtidas com os valores 
experimentalmente pelo EXCEL. Observou-se uma maior inclinação das curvas traçadas com 
valores experimentais que pode ser atribuída ao efeito Early na região ativa do TBJ. 
Embora alguns valores medidos apontem um ganho acima de 220, ganho máximo para 
o BC547A especificamente, a família de transistores BC546 ao qual foi utilizado pertence 
possui uma faixa de ganho de 200 a 450 de acordo com o datasheet da Motorola. 
 
5 REFERÊNCIAS 
 
BOYLESTAD, R. L., NASHESKY, L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos. 8.ed. 
São Paulo: Prentice Hall, 2011. 
 
Motorola SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA, BC546, BBC547, A, B, CBC548, A, B, 
C. Disponível em: <https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-
pdf/view/2891/MOTOROLA/BC546.html >. Acesso em: 09/07/2022 
 
https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/2891/MOTOROLA/BC546.html
https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/2891/MOTOROLA/BC546.html