Aula_06_Transistores_FET

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Transistores de efeito de 
campo (FET)
Classificação dos transistores
TRANSISTOR
BIPOLAR (BJT) UNIPOLAR (UJT)
NPN PNP MOSFETJFET
DEPLEÇÃO
ENRIQUECI-
MENTO
CANAL
N
CANAL
P
CANAL
N
CANAL
P
CANAL
N
CANAL
P
Transistor de Efeito de Campo: JFET
Funcionamento do JFET
Funcionamento do JFET
Transistor de Efeito de Campo: JFET
Curvas características do JFET
Curvas características do JFET
Efeito da temperatura sobre as 
características do JFET
Efeito da temperatura sobre a curva característica IC vs. VG
do JFET.
Circuito de polarização do JFET
Ganho de tensão do amplificador JFET
Transistor de Efeito de Campo: JFET
Saída de CorrenteEntrada de Corrente Amplificador
de 
Tensão
O JFET é
um aplificador
de tensão
controlada.
DrenoFonte
Dreno
Fonte
Gatilho
Gatilho
Estrutura de um
canal N JFET
Substrato do tipo P
P
Canal N
O canal possui portadores para que se possa 
conduzir da fonte para o dreno.
DrenoFonte
Dreno
Fonte
Gatilho
Gatilho
P
Canal N
Substrato do tipo P
Uma tensão de gatilho
negativa pode empurrar
os portadores do canal 
e desligar o JFET.
0
VDS em volts
ID em mA
-4 V
-5 V
0 V
-1 V
-2 V
-3 V
VGS
Família de curvas características de um canal N de dreno JFET 
Isto é conhecido como um dispositivo de modo depleção. 
n
Fonte
Gatilho
Dreno
VDD
p
n
É possível fazer transistores de efeito de campo
de potência também.
G
S
D
VGG
Polarização de gatilhos potencializa o canal e liga o dispositivo.
Isolador de
óxido metálico
Canal N
MOSFET
0
VDS em volts
ID em mA
1 V
0 V
5 V
4 V
3 V
2 V
VGS
Família de curvas características 
de um dreno MOSFET 
em modo de intensificação 
Dreno
Fonte
Gatilho
Aplicação de JFET: fonte de corrente
JFET com o fonte de corrente constante: (a) circuito
básico; (b) adição de RS para corrigir efeito de
temperatura; (c) referência de tensão de baixo ruído
usando JFET canal P.
Transistor de Efeito de Campo: JFET
Curva característica do JFET
Transistor de Efeito de Campo de 
Óxido Metálico: MOSFET
Transistor de efeito de campo de porta isolada 
ou FET óxido metálico semicondutor
MOSFET
MOSFET
Dispositivo semicondutor de quatro terminais: Gate (G),
Source (S), Dreno (D) e Substrato ou Body (B), controla
a corrente IDS por meio da tensão VGS.
MOSFET
Funcionamento do MOSFET
Modos de operação do MOSFET
(a) Curvas I-V características e (b) curva de transferência (para VDS
= 10 V) para um NMOSFET que tanto pode ser usado no modo de 
depleção quanto no modo de enriquecimento.
Curvas características Curva de transferência
Curvas características do CMOSFET
O MOSFET como Amplificador
MOSFET de potência
Portas lógicas e circuitos digitais
Porta lógica OU
Porta lógica AND
Portas lógicas e circuitos digitais
Porta lógica NAND
O transistor como chave: portas 
lógicas e circuitos digitais
O transistor como chave: portas 
lógicas e circuitos digitais
Porta lógica inversora
Circuitos com transistor: 
amplificador e porta lógica
Transistores FET complementares: CMOS
Par complementar de MOSFETs canal N e canal P = CMOS
Corpo tipo P
P PN + +- N-
Cavidade tipo N
SiO
2
SiO
2 SiO2
SiO
2 SiO2
Poli-
silício
DD GGS S
PMOSNMOS
Transistor CMOS: porta lógica inversora
Vin
+VDD
Vout
Q1
Q2
VDD = 3 a 15 V
Pd = 0,3 mW, 
d = 200 ns, 
VNM = 0,4 VDD
Estado lógico “1” Vo  VDD
Estado lógico “0” Vo = 0 V.
Parâmetros operacionais:
Transistores MOSFET: memória RAM
Comparação de circuitos chave com 
transistor: bipolar (BJT) e JFET
Comparação de transistores: bipolar 
(BJT) vs. FET
Comparação de transistores: bipolar 
(BJT), JFET e MOSFET
Corrente de polarização e impedância de entrada
Símbolos FET
A
B
C
D
A B C D
MOTOR STEPPER
Energia do modo 
de intensificação 
de MOSFETs 
usada como chaves 
Amplificador BJT x FET
Um diodo zener deve ser colocado no terminal gate do 
MOSFET se a tensão no gate vindo da fonte for maior 
que 20V.
Amplificador BJT x FET
BJT PNP PMOSFET