Eletrônica Analógica I: Avaliação II

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Acadêmico:
	
	
	
	Disciplina:
	Eletrônica Analógica I (EEA123)
	
	Avaliação:
	Avaliação II - Individual ( Cod.:670677) ( peso.:1,50)
	
	Prova:
	32812492
	Nota da Prova:
	10,00
	
Legenda:  Resposta Certa   Sua Resposta Errada  
	1.
	O modelo híbrido era o mais utilizado na fase de levantamento de dados de modo que folhas de dados incluíam os parâmetros em sua lista, porém por serem definidos para um conjunto de condições operacionais, pode ocorrer a não correspondência com as condições necessárias para o circuito em desenvolvimento. Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:
	 a)
	Com o passar dos tempos o modelo ry se torna a abordagem mais desejável, sendo este modelo uma versão reduzida do modelo pi híbrido, utilizado quase exclusivamente para alta frequência, porém deixava de incluir um termo de realimentação, que em alguns casos, pode ser importante.
	 b)
	Com o passar dos tempos o modelo ra se torna a abordagem mais desejável, sendo este modelo uma versão reduzida do modelo pi híbrido, utilizado quase exclusivamente para alta frequência, porém deixava de incluir um termo de realimentação, que em alguns casos, pode ser importante.
	 c)
	Com o passar dos tempos o modelo rh se torna a abordagem mais desejável, sendo este modelo uma versão reduzida do modelo pi híbrido, utilizado quase exclusivamente para alta frequência, porém deixava de incluir um termo de realimentação, que em alguns casos, pode ser importante.
	 d)
	Com o passar dos tempos o modelo re se torna a abordagem mais desejável, sendo este modelo uma versão reduzida do modelo pi híbrido, utilizado quase exclusivamente para alta frequência, porém deixava de incluir um termo de realimentação, que em alguns casos, pode ser importante.
	2.
	Na prática, a tecnologia MOSFET é utilizada em equipamentos eletrônicos para amplificar o sinal enviado pela unidade principal para alimentar os alto-falantes. Resulta assim em maior potência do som produzido. o MOSFET também é constituído de camadas P e N, sendo caracterizados de duas formas: transistores MOSFET de canal-N e de canal-P. Os dois tipos são similares, mas o canal-P possui a polaridade de tensão e o sentido de corrente invertidos com relação ao transistor de canal-N. Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
(    ) O nome MOSFET significa transistor de junção de campo metal-boro-semicondutor.
(    ) O MOSFET não apresenta características muito parecidas com o JFET.
(    ) É possível notar que sua construção é obtida através de uma base de silício (sob a qual é construído o dispositivo), é adicionado uma camada grossa de material do tipo p chamada substrato, os terminais da fonte e do dreno são conectados ao material do tipo n por meio de contatos metálicos, a porta é isolada do material do tipo n por uma camada de dielétrico (SiO2) responsável pela alta impedância de entrada do dispositivo.
(    ) O nome agora faz sentido, metal se referindo às conexões do dreno, fonte e porta; óxido referindo-se à camada isolante de dióxido de silício e semicondutor se relaciona à estrutura básica na qual as regiões do tipo p e n são difundidas.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
	 a)
	F - V - F - V.
	 b)
	V - V - F - F.
	 c)
	V - F - V - F.
	 d)
	F - F - V - V.
	3.
	O transistor PNP possui suas junções PN uma voltada contra a outra, com o cristal N (negativo) para as costas da outra junção, formando, então, o transistor de junção bipolar (TJB) PNP. Esse é acionado com carga negativa em relação ao emissor. Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir:
I- A análise dos transistores pnp segue o mesmo padrão estabelecido para o transistor npn. Primeiramente o valor de IB é determinado e, em seguida, aplicamos as relações apropriadas ao transistor e obtemos os restantes das incógnitas necessárias.
II- Ao se observar as equações resultantes é possível perceber que a diferença entre a utilização de um transistor npn por um pnp será o sinal associado a algumas quantidades específicas.
III- O transistor PNP possui suas junções NP uma voltada contra a outra, com o cristal P (positivo) para as costas da outra junção, formando, então, o transistor de junção bipolar (TJB) PNP. Esse é acionado com carga positiva em relação ao emissor.
Assinale a alternativa CORRETA:
	 a)
	Somente a sentença II está correta.
	 b)
	As sentenças I e II estão corretas.
	 c)
	As sentenças II e III estão corretas.
	 d)
	As sentenças I e III estão corretas.
	4.
	Os transistores também são usados para executar operações lógicas e aritméticas. A carga retirada de um transistor pode servir para alimentar um outro e que, se combinados de forma correta, podem executar as operações lógicas básicas, E, OU, NÃO e as aritméticas, adição, subtração, divisão e multiplicação. Com isso, os transistores não apenas podem ser utilizados para armazenar dados, mas como executar operações lógicas e aritméticas sobre esses dados. Isso é fantástico e vem revolucionado todo o mundo. Não só na Ciência da Computação, mas como também em todas as áreas do conhecimento. Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir:
I- Os transistores bipolares de junção são semelhantes aos triodos de junção, embora eles contenham uma junção adicional, o transistor é dito bipolar pois possui tanto lacunas (+) quanto elétrons (-) constituindo o fluxo de corrente através do dispositivo.
II- Com relação à operação de um transistor npn, as características são equivalentes ao transistor pnp, sendo somente necessária a troca das funções das lacunas e dos elétrons.
III- Em um transistor uma das junções é polarizada diretamente enquanto a outra é polarizada inversamente.
Assinale a alternativa CORRETA:
	 a)
	As sentenças I e II estão corretas.
	 b)
	As sentenças II e III estão corretas.
	 c)
	As sentenças I e III estão corretas.
	 d)
	Somente a sentença II está correta.
	5.
	Fontes e espelhos de corrente são subcircuitos eletrônicos que funcionam como cargas ativas em arquiteturas analógicas modernas. Podem ser construídas com transistores de efeito de campo, JFET ou MOS, ou com transistores bipolares, BJT. Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:
	 a)
	Espelhos de corrente são circuitos que refletem uma determinada corrente eddy para um ou mais ramos, criando correntes alternadas com valores iguais ou proporcionais ao da corrente eddy.
	 b)
	Espelhos de corrente são circuitos que refletem uma determinada corrente de referência para um ou mais ramos, criando correntes de espelhamento com valores iguais ou proporcionais ao da corrente de referência.
	 c)
	Espelhos de corrente são circuitos que refletem uma determinada corrente de Foucault para um ou mais ramos, criando correntes de condução com valores iguais ou proporcionais ao da corrente Foucault.
	 d)
	Espelhos de corrente são circuitos que refletem uma determinada corrente de condução para um ou mais ramos, criando correntes contínuas com valores iguais ou proporcionais ao da corrente de condução.
	6.
	O dispositivo eletrônico mais desenvolvido e recrutado grande interesse entre 1904 e 1947 foi a válvula (diodo criada por J. A. Fleming em 1904). Algo importante a ser citado é que impulsionado pelo rádio e a televisão, tendo uma ampliação de aproximadamente 1 milhão de válvulas em 1922 para cerca de 10 milhões de válvulas em 1937. Este setor ao passar dos anos apresentou grandes avanços em diversos setores, sendo projeto, técnica de fabricação, miniaturização além de aplicações em alta potência e alta frequência. Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:
	 a)
	Em 27 de janeiro de 1948, na Bell Telephone Laboratories, William Schockley, Walter H. Brattain e John Baedeen, demonstraram a função de amplificação do primeiro transistor.
	 b)
	Em 25 de novembro de 1947, na Bell Telephone Laboratories, William Schockley, Walter H. Brattain e John Baedeen, demonstraram a função de amplificação do primeiro transistor.
	 c)
	Em 23 de dezembro de 1947, na Bell Telephone Laboratories,William Schockley, Walter H. Brattain e John Baedeen, demonstraram a função de amplificação do primeiro transistor.
	 d)
	Em 23 de dezembro de 1948, na Bell Telephone Laboratories, William Schockley, Walter H. Brattain e John Baedeen, demonstraram a função de amplificação do primeiro transistor.
	7.
	Os transistores são capazes de atuar como controlador de corrente, o que lhe possibilita ser utilizado como amplificações de sinais em equipamentos de som e imagem, ou como chave eletrônica para processamento de sinais em controles industriais, calculadoras, máquinas, computadores, entre outros.
Os transistores são divididos basicamente em três grupos:
- Transistores bipolares: são divididos entre NPN e PNP.
- Transistores unipolares: transistor de unijunção (UJT).
- Transistores de efeito de campo: são divididos entre FET e MOSFET (Metal Oxide Semicondutor Field Effect Transistor).
Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:
	 a)
	A análise CC do TBJ nas configurações npn e pnp são bem diferentes devido a possuir correntes com sentidos opostos, ocasionando tensões de polaridades opostas. Entretanto, quando se trata de uma análise CA, onde o sinal evolui entre valores positivos e negativos, o circuito CA será o mesmo.
	 b)
	A análise CC do MOSFET nas configurações npn e pnp são bem diferentes devido a possuir correntes com sentidos opostos, ocasionando tensões de polaridades opostas. Entretanto, quando se trata de uma análise CA, onde o sinal evolui entre valores positivos, o circuito CA será o mesmo.
	 c)
	A análise CA do TBJ nas configurações npn e pnp são bem diferentes devido a possuir correntes com sentidos opostos, ocasionando tensões de polaridades opostas. Entretanto, quando se trata de uma análise CC, onde o sinal evolui entre valores negativos, o circuito CC será o mesmo.
	 d)
	A análise CA do JFET nas configurações npnp e pnpn são bem diferentes devido a possuir correntes com sentidos opostos, ocasionando tensões de polaridades opostas. Entretanto, quando se trata de uma análise CC, onde o sinal evolui entre valores negativos, o circuito CC será o mesmo.
	8.
	O transistor de efeito de campo (FET) também é formado por três camadas semicondutoras. Diferentemente dos transistores de junção, que são ativados por uma corrente elétrica, os FETs são ativados por tensões elétricas e, por isso, podem amplificar ou anular a tensão elétrica de um circuito. Esses transistores são mais baratos e mais fáceis de serem fabricados que os demais transistores, sendo largamente utilizados em chips eletrônicos. Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir:
I- Os FETs utilizam uma barreira de Schottky (barreiras criadas pelo depósito de um metal como tungstênio sobre um canal do tipo n) na porta é a principal diferença para os MOSFETs tipo n.
II- O Transistor de Efeito de Campo, que, como o próprio nome diz, funciona através do efeito de um campo elétrico na junção. Este tipo de transistor tem muitas aplicações na área de amplificadores (operando na área linear), em chaves (operando fora da área linear) ou em controle de corrente sobre uma carga.
III- Os FETs têm como principal característica uma elevada impedância de entrada o que permite seu uso como adaptador de impedâncias podendo substituir transformadores em determinadas situações, além disso são usados para amplificar frequências altas com ganho superior ao dos transistores bipolares.
Assinale a alternativa CORRETA:
	 a)
	Somente a sentença II está correta.
	 b)
	As sentenças II e III estão corretas.
	 c)
	As sentenças I e II estão corretas.
	 d)
	As sentenças I e III estão corretas.
	9.
	O Silício se tornou tão importante que modificou toda uma região da Califórnia nos Estados Unidos na década de 1950, tornando-a uma das mais promissoras do mundo até hoje. Essa região abrigou e abriga as mais importantes empresas do ramo de projeto de computadores, como Intel, AMD, Dell, IBM e Apple, e depois de softwares que iriam executar nesses computadores, como Microsoft, Oracle e Google. Essa região é chamada de Vale do Silício. O silício possui várias aplicações nos componentes semicondutores em eletrônica, uma das suas aplicações se dá nos diversos tipos de transistores. Um dos TBJs mais utilizados em eletrônica é a configuração base-comum. Com base nessa configuração base-comum dos TBJs, analise as sentenças a seguir:
I- O nome base-comum é proveniente da base estar conectada na entrada e na saída (ser comum a ambas), além disso, normalmente possui o menor potencial, próximo ao terra, quando não está efetivamente conectada ao terra.
II- Por convenção, o sentido da corrente refere-se ao fluxo convencional de elétrons, e não ao fluxo de lacunas, deste modo, para um TBJ, a seta define a direção da corrente de emissor (fluxo convencional).
III- Para uma correta descrição do TBJ, dispositivo com três terminais, é necessário dois conjuntos de curvas características, um que represente a saída e um que represente a entrada (ou o acionamento).
Assinale a alternativa CORRETA:
	 a)
	As sentenças I e II estão corretas.
	 b)
	As sentenças II e III estão corretas.
	 c)
	As sentenças I e III estão corretas.
	 d)
	Somente a sentença II está correta.
	10.
	O Transistor Bipolar de Junção (TBJ ou BJT, do inglês: bipolar junction transistor) é formado por duas junções pn. Há duas possibilidades básicas de TBJs que são: NPN e PNP. O terminal central, denominado base, "controla" a corrente que circula pelos dois terminais principais, emissor e coletor. O TBJ pode ser empregado como um dispositivo amplificador de modo que o sinal senoidal de saída é maior que o sinal senoidal de entrada em amplitude. Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:
	 a)
	Como a amplitude do sinal de saída é menor, podemos dizer também que a potência de saída é maior que a potência de entrada.
	 b)
	Como a amplitude do sinal de entrada é maior, podemos dizer também que a potência de saída é maior que a potência de entrada.
	 c)
	Como a amplitude do sinal de saída é maior, podemos dizer também que a potência de saída é maior que a potência de entrada.
	 d)
	Como a amplitude do sinal de saída é menor, podemos dizer também que a potência de entrada é maior que a potência de saída.