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Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:

Sabemos que a relação entre os parâmetros de entrada e de saída em um transistor de efeito de campo não é linear, obedecendo à equação de Shockley que é uma função quadrática, resultando em uma curva, em vez de uma reta conforme foi analisado para os transistores bipolares de junção.


A Quando pensamos na análise CC, a não linearidade pode complicar o raciocínio, sendo o método gráfico o mais rápido para a maioria dos amplificadores MOSFET, porém pode limitar a precisão de milicentésimos. Vale lembrar que em um FET a variável de controle é uma corrente enquanto em um TBJ é uma tensão.
B Quando pensamos na análise CA, a não linearidade pode complicar o raciocínio, sendo o método gráfico o mais rápido para a maioria dos amplificadores FET, porém pode limitar a precisão de décimos. Vale lembrar que em um FET a variável de controle é uma corrente enquanto em um TBJ é uma capacitância.
C Quando pensamos na análise CA, a não linearidade pode complicar o raciocínio, sendo o método gráfico o mais rápido para a maioria dos amplificadores FET, porém pode limitar a precisão de microcentésimos. Vale lembrar que em um FET a variável de controle é uma tensão enquanto em um TBJ é uma impedância.
D Quando pensamos na análise CC, a não linearidade pode complicar o raciocínio, sendo o método gráfico o mais rápido para a maioria dos amplificadores FET, porém pode limitar a precisão de décimos. Vale lembrar que em um FET a variável de controle é uma tensão enquanto em um TBJ era uma corrente.
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há 2 anos

Respostas

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há 6 meses

Vamos analisar cada uma das alternativas para encontrar a correta: A) Quando pensamos na análise CC, a não linearidade pode complicar o raciocínio, sendo o método gráfico o mais rápido para a maioria dos amplificadores MOSFET, porém pode limitar a precisão de milicentésimos. Vale lembrar que em um FET a variável de controle é uma corrente enquanto em um TBJ é uma tensão. - Correto que a análise CC pode ser complicada, mas a variável de controle em um FET é uma tensão, não uma corrente. B) Quando pensamos na análise CA, a não linearidade pode complicar o raciocínio, sendo o método gráfico o mais rápido para a maioria dos amplificadores FET, porém pode limitar a precisão de décimos. Vale lembrar que em um FET a variável de controle é uma corrente enquanto em um TBJ é uma capacitância. - A variável de controle em um FET é uma tensão, não uma corrente, e a comparação com capacitância não é correta. C) Quando pensamos na análise CA, a não linearidade pode complicar o raciocínio, sendo o método gráfico o mais rápido para a maioria dos amplificadores FET, porém pode limitar a precisão de microcentésimos. Vale lembrar que em um FET a variável de controle é uma tensão enquanto em um TBJ é uma impedância. - A variável de controle em um FET é uma tensão, mas a comparação com impedância não é correta. D) Quando pensamos na análise CC, a não linearidade pode complicar o raciocínio, sendo o método gráfico o mais rápido para a maioria dos amplificadores FET, porém pode limitar a precisão de décimos. Vale lembrar que em um FET a variável de controle é uma tensão enquanto em um TBJ era uma corrente. - Aqui, a análise CC é mencionada corretamente, e a variável de controle em um FET é uma tensão, enquanto em um TBJ é uma corrente. A alternativa correta é a D.

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há 2 anos

A alternativa correta é a letra C: Quando pensamos na análise CA, a não linearidade pode complicar o raciocínio, sendo o método gráfico o mais rápido para a maioria dos amplificadores FET, porém pode limitar a precisão de microcentésimos. Vale lembrar que em um FET a variável de controle é uma tensão enquanto em um TBJ é uma impedância.

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Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:

( ) Podemos notar que na faixa de 10 Hz a 10 kHz, a reatância é grande o suficiente para ter impacto sobre a resposta do sistema.
( ) Para frequências mais elevadas que 10 kHz, as reatâncias são mais baixas e podem ser considerados curto-circuito.
( ) Podemos concluir que capacitores maiores de um sistema exercerão um impacto importante sobre a resposta de um sistema na faixa de baixa frequência e não podem ser ignorados para a região de alta frequência.
( ) Para frequências mais elevadas, as reatâncias não podem afetar gravemente a resposta do circuito. Deste modo, os capacitores menores do sistema exercerão um impacto importante sobre a resposta de um sistema na faixa de alta frequência e não podem ser ignorados para a região de baixa frequência.

Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:


A V - F - V - F.
B F - V - V - F.
C V - V - F - F.
D F - V - F - V.

Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir:

I- Se ligarmos terminais às extremidades de cada material, isso resultará em um dispositivo com dois terminais, onde se torna possível três opções: sem polarização, polarização direta e polarização reversa.
II- A região em torno da junção dos materia

I- Se ligarmos terminais às extremidades de cada material, isso resultará em um dispositivo com dois terminais, onde se torna possível três opções: sem polarização, polarização direta e polarização reversa.
II- A região em torno da junção dos materia
Verdadeiro - Falso
Falso - Verdadeiro
Verdadeiro - Verdadeiro
Falso - Falso

Assinale a alternativa CORRETA:

I- A camada de depleção é uma região escassa de portadores livres.
II- Quando falamos em polarização, nos referimos à aplicação de uma tensão externa aos terminais com o objetivo de extrair uma resposta.

I- A camada de depleção é uma região escassa de portadores livres.
II- Quando falamos em polarização, nos referimos à aplicação de uma tensão externa aos terminais com o objetivo de extrair uma resposta.
A Somente a sentença I está correta.
B As sentenças I, II e III estão corretas.
C Somente a sentença II está correta.
D Somente a sentença III está correta.

Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:

Os transistores são capazes de atuar como controlador de corrente, o que lhe possibilita ser utilizado como amplificações de sinais em equipamentos de som e imagem, ou como chave eletrônica para processamento de sinais em controles industriais, calculadoras, máquinas, computadores, entre outros.
Os transistores são divididos basicamente em três grupos:

- Transistores bipolares: são divididos entre NPN e PNP.
- Transistores unipolares: transistor de unijunção (UJT).
- Transistores de efeito de campo: são divididos entre FET e MOSFET (Metal Oxide Semicondutor Field Effect Transistor).


A A análise CA do JFET nas configurações npnp e pnpn são bem diferentes devido a possuir correntes com sentidos opostos, ocasionando tensões de polaridades opostas. Entretanto, quando se trata de uma análise CC, onde o sinal evolui entre valores negativos, o circuito CC será o mesmo.
B A análise CA do TBJ nas configurações npn e pnp são bem diferentes devido a possuir correntes com sentidos opostos, ocasionando tensões de polaridades opostas. Entretanto, quando se trata de uma análise CC, onde o sinal evolui entre valores negativos, o circuito CC será o mesmo.
C A análise CC do TBJ nas configurações npn e pnp são bem diferentes devido a possuir correntes com sentidos opostos, ocasionando tensões de polaridades opostas. Entretanto, quando se trata de uma análise CA, onde o sinal evolui entre valores positivos e negativos, o circuito CA será o mesmo.
D A análise CC do MOSFET nas configurações npn e pnp são bem diferentes devido a possuir correntes com sentidos opostos, ocasionando tensões de polaridades opostas. Entretanto, quando se trata de uma análise CA, onde o sinal evolui entre valores positivos, o circuito CA será o mesmo.

Com relação ao exposto e à prática virtual, assinale a alternativa CORRETA:

A Com pouca intensidade da luz, a resistência do LDR irá aumentar, fazendo com que a resistência de Thevenin do circuito diminua e a corrente de base seja muito pequena.

B Com pouca intensidade da luz, o LDR irá se comportar como um curto circuito, fazendo com que a resistência de Thevenin do circuito diminua e a corrente de base seja muito pequena.

C Com pouca intensidade da luz, a resistência do LDR irá aumentar, fazendo com que a resistência de Thevenin do circuito aumente e a corrente de base seja muito pequena.

D Com pouca intensidade da luz, a resistência do LDR irá diminuir, fazendo com que a resistência de Thevenin do circuito diminua e a corrente de base seja muito pequena.

Quando trabalhamos com componentes eletrônicos podemos utilizar as características reais do equipamento ou usar um modelo aproximado do componente sem prejudicar a análise do circuito. O resistor é de 100 ohms, é na realidade dentro de um lote os valores podem variar, assim como a fonte de tensão pode não ser precisamente o valor de 12 V, pode ser de 12,02 V e essa pequena variação pode modificar a saída. Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:


A Com pouca intensidade da luz, a resistência do LDR irá aumentar, fazendo com que a resistência de Thevenin do circuito diminua e a corrente de base seja muito pequena.
B Com pouca intensidade da luz, o LDR irá se comportar como um curto circuito, fazendo com que a resistência de Thevenin do circuito diminua e a corrente de base seja muito pequena.
C Com pouca intensidade da luz, a resistência do LDR irá aumentar, fazendo com que a resistência de Thevenin do circuito aumente e a corrente de base seja muito pequena.
D Com pouca intensidade da luz, a resistência do LDR irá diminuir, fazendo com que a resistência de Thevenin do circuito diminua e a corrente de base seja muito pequena.

Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:


A O efeito Millmann é usado para produzir esse capacitor de desvio dominante.
B O efeito Norton é usado para produzir esse capacitor de desvio dominante.
C O efeito Thevenin é usado para produzir esse capacitor de desvio dominante.
D O efeito Miller é usado para produzir esse capacitor de desvio dominante.

Classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:

A fonte de pressão de água pode ser comparada com à tensão aplicada do dreno para a fonte e estabelecer um fluxo de água (elétrons no JFET) a partir da torneira (fonte no JFET). A "porta" através da aplicação de um sinal (tensão) controla o fluxo de água (carga) para o dreno.
Na parte superior do material do tipo n por meio de um contato ôhmico temos a conexão da porta (G - gate) e na parte inferior do mesmo através de outro contato ôhmico temos o dreno (D - drain).
Na construção de um MOSFET de canal p é possível verificar que a maior parte do material constituinte é do tipo pn, que forma o canal entre as camadas imersas de material do tipo np.
O FET tem portadores majoritários mas não tem portadores minoritários.
A V - F - F - V.
B F - V - F - V.
C F - V - V - F.
D V - V - F - F.

Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:


A A configuração com autopolarização elimina a necessidade de duas fontes de tensão CC-CA. A tensão de controle porta-fonte é determinada através de Rf.
B A configuração com autopolarização elimina a necessidade de duas fontes de tensão CC. A tensão de controle porta-fonte é determinada através de Rs.
C A configuração com autopolarização elimina a necessidade de duas fontes de tensão CA. A tensão de controle porta-fonte é determinada através de Rq.
D A configuração com autopolarização elimina a necessidade de duas fontes de tensão CA-CC. A tensão de controle porta-fonte é determinada através de Rz.

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