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Sobre o problema exposto, assinale a alternativa CORRETA:

Através da prática virtual Leds e Diodos foi possível verificar o comportamento do LED com a imposição de diferentes valores de tensão nesse componente. O LED do experimento estava em polarização direta, como podia ser visto no circuito. Seguindo outro caso específico, considere um diodo emissor de luz com limiar de tensão de 1,2 V, sem resistor presente no circuito, é polarizado inversamente em um circuito. Assumindo uma tensão inversa máxima aceitável é de 4 V.


A Ao aplicarmos 1,2 V no circuito, o LED não irá acender por estar polarizado inversamente.
B Ao aplicarmos 1,2 V no circuito, o LED irá acender mesmo estando polarizado inversamente.
C Ao aplicarmos 1,2 V no circuito, o LED não irá conduzir corrente elétrica, mas irá acender.
D Ao aplicarmos 1,2 V no circuito, o LED irá conduzir corrente elétrica, mas não irá acender.
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Praticando Para Aprender

há 2 anos

Respostas

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há 2 anos

A alternativa correta é a letra A: Ao aplicarmos 1,2 V no circuito, o LED não irá acender por estar polarizado inversamente. Quando um LED está polarizado inversamente, ele não conduz corrente elétrica e não emite luz. Portanto, mesmo que a tensão aplicada seja igual ao limiar de tensão do LED, ele não irá acender.

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Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:

( ) Podemos notar que na faixa de 10 Hz a 10 kHz, a reatância é grande o suficiente para ter impacto sobre a resposta do sistema.
( ) Para frequências mais elevadas que 10 kHz, as reatâncias são mais baixas e podem ser considerados curto-circuito.
( ) Podemos concluir que capacitores maiores de um sistema exercerão um impacto importante sobre a resposta de um sistema na faixa de baixa frequência e não podem ser ignorados para a região de alta frequência.
( ) Para frequências mais elevadas, as reatâncias não podem afetar gravemente a resposta do circuito. Deste modo, os capacitores menores do sistema exercerão um impacto importante sobre a resposta de um sistema na faixa de alta frequência e não podem ser ignorados para a região de baixa frequência.

Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:


A V - F - V - F.
B F - V - V - F.
C V - V - F - F.
D F - V - F - V.

Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir:

I- Se ligarmos terminais às extremidades de cada material, isso resultará em um dispositivo com dois terminais, onde se torna possível três opções: sem polarização, polarização direta e polarização reversa.
II- A região em torno da junção dos materia

I- Se ligarmos terminais às extremidades de cada material, isso resultará em um dispositivo com dois terminais, onde se torna possível três opções: sem polarização, polarização direta e polarização reversa.
II- A região em torno da junção dos materia
Verdadeiro - Falso
Falso - Verdadeiro
Verdadeiro - Verdadeiro
Falso - Falso

Assinale a alternativa CORRETA:

I- A camada de depleção é uma região escassa de portadores livres.
II- Quando falamos em polarização, nos referimos à aplicação de uma tensão externa aos terminais com o objetivo de extrair uma resposta.

I- A camada de depleção é uma região escassa de portadores livres.
II- Quando falamos em polarização, nos referimos à aplicação de uma tensão externa aos terminais com o objetivo de extrair uma resposta.
A Somente a sentença I está correta.
B As sentenças I, II e III estão corretas.
C Somente a sentença II está correta.
D Somente a sentença III está correta.

Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:

Os transistores são capazes de atuar como controlador de corrente, o que lhe possibilita ser utilizado como amplificações de sinais em equipamentos de som e imagem, ou como chave eletrônica para processamento de sinais em controles industriais, calculadoras, máquinas, computadores, entre outros.
Os transistores são divididos basicamente em três grupos:

- Transistores bipolares: são divididos entre NPN e PNP.
- Transistores unipolares: transistor de unijunção (UJT).
- Transistores de efeito de campo: são divididos entre FET e MOSFET (Metal Oxide Semicondutor Field Effect Transistor).


A A análise CA do JFET nas configurações npnp e pnpn são bem diferentes devido a possuir correntes com sentidos opostos, ocasionando tensões de polaridades opostas. Entretanto, quando se trata de uma análise CC, onde o sinal evolui entre valores negativos, o circuito CC será o mesmo.
B A análise CA do TBJ nas configurações npn e pnp são bem diferentes devido a possuir correntes com sentidos opostos, ocasionando tensões de polaridades opostas. Entretanto, quando se trata de uma análise CC, onde o sinal evolui entre valores negativos, o circuito CC será o mesmo.
C A análise CC do TBJ nas configurações npn e pnp são bem diferentes devido a possuir correntes com sentidos opostos, ocasionando tensões de polaridades opostas. Entretanto, quando se trata de uma análise CA, onde o sinal evolui entre valores positivos e negativos, o circuito CA será o mesmo.
D A análise CC do MOSFET nas configurações npn e pnp são bem diferentes devido a possuir correntes com sentidos opostos, ocasionando tensões de polaridades opostas. Entretanto, quando se trata de uma análise CA, onde o sinal evolui entre valores positivos, o circuito CA será o mesmo.

Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:

Sabemos que a relação entre os parâmetros de entrada e de saída em um transistor de efeito de campo não é linear, obedecendo à equação de Shockley que é uma função quadrática, resultando em uma curva, em vez de uma reta conforme foi analisado para os transistores bipolares de junção.


A Quando pensamos na análise CC, a não linearidade pode complicar o raciocínio, sendo o método gráfico o mais rápido para a maioria dos amplificadores MOSFET, porém pode limitar a precisão de milicentésimos. Vale lembrar que em um FET a variável de controle é uma corrente enquanto em um TBJ é uma tensão.
B Quando pensamos na análise CA, a não linearidade pode complicar o raciocínio, sendo o método gráfico o mais rápido para a maioria dos amplificadores FET, porém pode limitar a precisão de décimos. Vale lembrar que em um FET a variável de controle é uma corrente enquanto em um TBJ é uma capacitância.
C Quando pensamos na análise CA, a não linearidade pode complicar o raciocínio, sendo o método gráfico o mais rápido para a maioria dos amplificadores FET, porém pode limitar a precisão de microcentésimos. Vale lembrar que em um FET a variável de controle é uma tensão enquanto em um TBJ é uma impedância.
D Quando pensamos na análise CC, a não linearidade pode complicar o raciocínio, sendo o método gráfico o mais rápido para a maioria dos amplificadores FET, porém pode limitar a precisão de décimos. Vale lembrar que em um FET a variável de controle é uma tensão enquanto em um TBJ era uma corrente.

Com relação ao exposto e à prática virtual, assinale a alternativa CORRETA:

A Com pouca intensidade da luz, a resistência do LDR irá aumentar, fazendo com que a resistência de Thevenin do circuito diminua e a corrente de base seja muito pequena.

B Com pouca intensidade da luz, o LDR irá se comportar como um curto circuito, fazendo com que a resistência de Thevenin do circuito diminua e a corrente de base seja muito pequena.

C Com pouca intensidade da luz, a resistência do LDR irá aumentar, fazendo com que a resistência de Thevenin do circuito aumente e a corrente de base seja muito pequena.

D Com pouca intensidade da luz, a resistência do LDR irá diminuir, fazendo com que a resistência de Thevenin do circuito diminua e a corrente de base seja muito pequena.

Quando trabalhamos com componentes eletrônicos podemos utilizar as características reais do equipamento ou usar um modelo aproximado do componente sem prejudicar a análise do circuito. O resistor é de 100 ohms, é na realidade dentro de um lote os valores podem variar, assim como a fonte de tensão pode não ser precisamente o valor de 12 V, pode ser de 12,02 V e essa pequena variação pode modificar a saída. Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:


A Com pouca intensidade da luz, a resistência do LDR irá aumentar, fazendo com que a resistência de Thevenin do circuito diminua e a corrente de base seja muito pequena.
B Com pouca intensidade da luz, o LDR irá se comportar como um curto circuito, fazendo com que a resistência de Thevenin do circuito diminua e a corrente de base seja muito pequena.
C Com pouca intensidade da luz, a resistência do LDR irá aumentar, fazendo com que a resistência de Thevenin do circuito aumente e a corrente de base seja muito pequena.
D Com pouca intensidade da luz, a resistência do LDR irá diminuir, fazendo com que a resistência de Thevenin do circuito diminua e a corrente de base seja muito pequena.

Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:


A O efeito Millmann é usado para produzir esse capacitor de desvio dominante.
B O efeito Norton é usado para produzir esse capacitor de desvio dominante.
C O efeito Thevenin é usado para produzir esse capacitor de desvio dominante.
D O efeito Miller é usado para produzir esse capacitor de desvio dominante.

Classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:

A fonte de pressão de água pode ser comparada com à tensão aplicada do dreno para a fonte e estabelecer um fluxo de água (elétrons no JFET) a partir da torneira (fonte no JFET). A "porta" através da aplicação de um sinal (tensão) controla o fluxo de água (carga) para o dreno.
Na parte superior do material do tipo n por meio de um contato ôhmico temos a conexão da porta (G - gate) e na parte inferior do mesmo através de outro contato ôhmico temos o dreno (D - drain).
Na construção de um MOSFET de canal p é possível verificar que a maior parte do material constituinte é do tipo pn, que forma o canal entre as camadas imersas de material do tipo np.
O FET tem portadores majoritários mas não tem portadores minoritários.
A V - F - F - V.
B F - V - F - V.
C F - V - V - F.
D V - V - F - F.

Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:


A A configuração com autopolarização elimina a necessidade de duas fontes de tensão CC-CA. A tensão de controle porta-fonte é determinada através de Rf.
B A configuração com autopolarização elimina a necessidade de duas fontes de tensão CC. A tensão de controle porta-fonte é determinada através de Rs.
C A configuração com autopolarização elimina a necessidade de duas fontes de tensão CA. A tensão de controle porta-fonte é determinada através de Rq.
D A configuração com autopolarização elimina a necessidade de duas fontes de tensão CA-CC. A tensão de controle porta-fonte é determinada através de Rz.

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