Logo Passei Direto
Buscar
Os materiais semicondutores podem ser classificados em dois tipos principais: tipo p e tipo n, dependendo do processo de dopagem ao qual são submetidos.
Acerca dos elementos dopantes, assinale a alternativa correta:
A Para se obter um material do tipo p, é necessária a adição de um elemento da Família III A, como o arsênio.
B Para se obter um material do tipo p, é necessária a adição de um elemento da Família II A, como o boro.
C Para se obter um material do tipo p, é necessária a adição de um elemento da Família V A, como o gálio.
D Para se obter um material do tipo p, é necessária a adição de um elemento da Família V A, como o arsênio.
E Para se obter um material do tipo p, é necessária a adição de um elemento da Família III A, como o gálio.
User badge image
Aprendendo Através de Exercícios

há 3 dias

Respostas

User badge image

Ed Verified user icon

há 3 dias

Vamos analisar cada alternativa: A) Para se obter um material do tipo p, é necessária a adição de um elemento da Família III A, como o arsênio. Falso. O arsênio é um elemento da Família V A e é utilizado para criar materiais do tipo n. B) Para se obter um material do tipo p, é necessária a adição de um elemento da Família II A, como o boro. Falso. O boro é da Família III A e é utilizado para criar materiais do tipo p, mas a alternativa menciona a Família II A, o que está incorreto. C) Para se obter um material do tipo p, é necessária a adição de um elemento da Família V A, como o gálio. Falso. O gálio é da Família III A e é utilizado para criar materiais do tipo p, não da Família V A. D) Para se obter um material do tipo p, é necessária a adição de um elemento da Família V A, como o arsênio. Falso. O arsênio é da Família V A e é utilizado para criar materiais do tipo n. E) Para se obter um material do tipo p, é necessária a adição de um elemento da Família III A, como o gálio. Verdadeiro. O gálio é um elemento da Família III A e, quando dopado em um semicondutor, cria um material do tipo p. Portanto, a alternativa correta é: E) Para se obter um material do tipo p, é necessária a adição de um elemento da Família III A, como o gálio.

Essa resposta te ajudou?

0
Dislike0

Ainda com dúvidas?

Envie uma pergunta e tenha sua dúvida de estudo respondida!

Essa pergunta também está no material:

Mais perguntas desse material

A configuração de polarização em base comum é uma técnica utilizada em transistores bipolares de junção (BJT) em que a base é mantida em um potencial fixo, geralmente por meio de uma fonte de tensão ou aterramento direto. Essa configuração destaca-se por oferecer baixa impedância de entrada e alta estabilidade, sendo ideal para aplicações em amplificadores de alta frequência. Ao estabilizar o ponto quiescente (ponto Q), a polarização na base comum assegura que o transistor funcione de maneira confiável, mesmo diante de variações de temperatura ou mudanças nos parâmetros do componente. Essa estabilidade é fundamental para garantir desempenho consistente em sistemas eletrônicos avançados.
Sobre o ponto de operação quiescente (Ponto Q) do circuito, analise as afirmativas a seguir, assumindo uma queda de tensão emissor-base VEB = 0,7 V:
I. A tensão coletor-emissor (VCE) do transistor é de -1,46 V. Esse valor indica que o transistor opera na região de saturação.
II. A corrente de coletor (IC) é de aproximadamente 2,44 mA, e esse valor estabelece a tensão no nó do coletor (VC) em aproximadamente -0,76 V.
III. A tensão no nó do emissor (VE) é fixada em aproximadamente +0,7 V em relação ao terra, o que resulta em uma corrente de emissor (IE) de cerca de 2,47 mA.
IV. A tensão coletor-base (VCB) é de aproximadamente -0,76 V, confirmando que a junção coletor-base está reversamente polarizada, uma condição para a operação na região ativa.
A III e IV, apenas.
B I, II e III, apenas.
C I e IV, apenas.
D II e III, apenas.
E II, III e IV, apenas.

Mais conteúdos dessa disciplina