Avaliação Final (Objetiva) - Individual

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GABARITO | Avaliação Final (Objetiva) - Individual
(Cod.:1525411)
Peso da Avaliação 4,00
Prova 104060379
Qtd. de Questões 10
Acertos/Erros 6/4
Nota 6,00
O código Gray é fundamental em diversas áreas da engenharia elétrica e computação, pois minimiza 
erros nas transições entre estados binários. Ao contrário da codificação binária tradicional, no código 
Gray apenas um bit muda por vez entre números consecutivos, o que reduz significativamente a 
chance de erros, especialmente em sistemas digitais sensíveis, como encoders rotativos e conversores 
analógico-digitais. Essa propriedade garante maior precisão e confiabilidade em aplicações 
industriais, sistemas de controle e transmissão de dados, evitando estados indesejados ou 
ambiguidades causadas por mudanças simultâneas de múltiplos bits.
Fonte: adaptado de: BOYLESTAD, R. L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria dos Circuitos. 11. ed. 
São Paulo: Pearson Education do Brasil, 2013. 
Assinale a alternativa correta que corresponde ao código Gray para o binário 11100:
A 11100.
B 10011.
C 11001.
D 00011.
E 10010.
A simplificação de expressões pela álgebra booleana é um processo sistemático para otimizar 
circuitos digitais. Fundamentada em um conjunto de leis e teoremas, essa técnica permite a redução 
do número de literais e operadores em uma equação lógica. Os teoremas de De Morgan são 
particularmente poderosos para manipular expressões que envolvem a negação de operações, 
enquanto a lei da dupla negação é essencial para eliminar inversões redundantes. Uma expressão 
minimizada corresponde a um circuito com menor número de portas lógicas, o que se traduz em 
menor custo, menor consumo de energia e maior velocidade de operação.
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Fonte: FLOYD, T. L. Sistemas Digitais: Fundamentos e Aplicações. 11. ed. Porto Alegre: Bookman, 
2016.
Acerca das técnicas de simplificação da álgebra booleana e dos teoremas de De Morgan, analise as 
afirmativas a seguir sobre a simplificação da expressão F = ((A·B·C')' + B')':
I. A expressão pode ser simplificada para A' + B + C.
II. A forma final completamente simplificada da expressão é A·B·C'.
III. A expressão é equivalente a 1, pois a presença do termo B' somado a uma expressão que contém B 
resulta em uma tautologia.
IV. A aplicação do Teorema de De Morgan na negação mais externa, seguida pela lei da dupla 
negação, resulta na expressão intermediária (A·B·C') · B.
É correto o que se afirma em:
A I, II e III, apenas.
B IV, apenas.
C I, II, III e IV.
D II e IV, apenas.
E I e III, apenas.
As portas lógicas são os elementos construtivos primordiais da eletrônica digital, realizando 
operações booleanas fundamentais. A partir de um conjunto básico de portas, é possível construir 
qualquer circuito lógico combinacional. A análise de seu comportamento é formalmente descrita por 
tabelas-verdade, que mapeiam todas as combinações de entrada para uma única saída. Conceitos 
avançados, como o de portas universais (NAND e NOR), demonstram que todo o universo da lógica 
booleana pode ser implementado a partir de um único tipo de porta, um princípio de grande 
importância prática e teórica na síntese de circuitos digitais.
Fonte: FLOYD, T. L. Sistemas Digitais: Fundamentos e Aplicações. 11. ed. Porto Alegre: Bookman, 
2016.
De acordo com as propriedades, equivalências e implementações de portas lógicas, analise as 
afirmativas a seguir:
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I. Pelo Teorema de De Morgan, uma porta NAND de duas entradas é funcionalmente equivalente a 
uma porta OR cujas entradas foram individualmente invertidas.
II. A porta XOR (OU Exclusivo) pode ser configurada para funcionar como um inversor controlável, 
pois ao fixar uma de suas entradas em nível ALTO (1), a saída se torna a negação da outra entrada.
III. É possível implementar uma função AND utilizando três portas NOR: duas portas são usadas 
como inversores para as entradas A e B, e a terceira porta NOR recebe as saídas desses inversores.
IV. A expressão booleana S = A + A'B pode ser implementada com uma porta AND, uma porta OR e 
uma porta NOT, e sua forma simplificada final é A·B.
É correto o que se afirma em:
A I, II e III, apenas.
B III e IV, apenas.
C I e IV, apenas.
D II e III, apenas.
E II, III e IV, apenas.
A equação de Shockley para o diodo,
que descreve sua característica corrente-tensão (ID vs VD), pode ser invertida para expressar a tensão 
de polarização direta (VD) como uma função logarítmica da corrente que o atravessa. Esta relação 
logarítmica é fundamental em diversas aplicações, como em circuitos logarítmicos, sensores de 
temperatura e na análise precisa de circuitos de polarização. O modelo demonstra que, para um 
aumento exponencial na corrente, a tensão no diodo aumenta de forma aproximadamente linear. A 
análise depende de parâmetros como a tensão térmica (Vt), o fator de idealidade (n) e a corrente de 
saturação reversa (Is), que caracterizam o dispositivo específico.
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Fonte: SEDRA, A. S.; SMITH, K. C. Microeletrônica. 7. ed. Rio de Janeiro: LTC, 2017.
Um engenheiro precisa determinar a tensão de polarização direta (VD) em um diodo de silício para 
uma aplicação de precisão. Sabe-se que o diodo está operando com uma corrente (ID) de 6,0 mA. As 
características do diodo, para a temperatura de operação, são: tensão térmica (Vt) de 26 mV, fator de 
idealidade (n) igual a 1, e corrente de saturação reversa (Is) de 1,0 nA.
Com base nos dados fornecidos, assinale a alternativa que apresenta o valor aproximado da tensão 
aplicada (VD) sobre o diodo:
A 700 mV.
B 47 mV.
C 26 mV.
D 176 mV.
E 405 mV.
A retificação é um processo eletrônico fundamental que consiste na conversão de uma tensão 
alternada (CA) em uma tensão contínua (CC), sendo a base para o funcionamento da grande maioria 
das fontes de alimentação. Os diodos semicondutores são os componentes centrais neste processo, 
aproveitando sua característica de condução unidirecional para permitir a passagem de corrente 
durante um semiciclo da onda de entrada e bloqueá-la no semiciclo oposto. A análise do circuito 
retificador envolve a determinação de parâmetros-chave, como a tensão de pico e a tensão média (ou 
CC) na carga, que dependem tanto da amplitude da tensão de entrada quanto do modelo de diodo 
adotado na análise.
Fonte: MALVINO, A.; BATES, D. J. Eletrônica – Volume 1. 8. ed. Porto Alegre: AMGH, 2016.
 
Acerca do funcionamento do circuito retificador de meia onda apresentado na figura, analise o 
circuito e os dados fornecidos. Considerando o diodo como ideal, determine os valores aproximados 
para a tensão de pico na carga (Vp) e a tensão média na carga (Vcc).
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Assinale a alternativa correta:
A Vp = 179,6 V e Vcc = 114,4 V
B Vp = 127,0 V e Vcc = 0 V
C Vp = 178,9 V e Vcc = 56,9 V
D Vp = 127,0 V e Vcc = 40,4 V
E Vp = 179,6 V e Vcc = 57,2 V
Os materiais semicondutores podem ser classificados em dois tipos principais: tipo p e tipo n, 
dependendo do processo de dopagem ao qual são submetidos. A junção desses dois tipos de materiais 
forma a base para dispositivos semicondutores cruciais, como diodos e transistores, permitindo o 
controle preciso do fluxo de corrente elétrica e possibilitando a criação de uma ampla gama de 
dispositivos eletrônicos.
Sabemos que, para se obter um material semicondutor do tipo p, é necessário adicionar elementos 
dopantes à rede cristalina do material-base. Acerca dos elementos dopantes, assinale a alternativa 
correta:
A Para se obter um material do tipo p, é necessária a adição de um elemento da Família III A,
como o arsênio.
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B Para se obter um material do tipo p, é necessária a adição de um elemento da Família II A, como
o boro.
C Para se obter um material do tipo p, é necessária a adição de um elemento da Família V A, como
o gálio.
D Para se obter um material do tipo p, é necessária a adição de um elemento da Família V A, como
o arsênio.
E Para se obter um material do tipo p, é necessária a adição de um elemento da Família III A,
como o gálio.
A configuração Darlington consiste na conexão de dois transistores de junção bipolar (BJT) em 
cascata, de forma que o emissor do primeiro transistor alimenta a base do segundo. Esta topologia é 
tratada, para fins de análise, como um único "supertransistor" com características notáveis. O ganho 
de corrente (β) total do par é aproximadamente o produto dos ganhos individuais dos transistores, 
resultando em valores extremamente elevados. Essa capacidade de proporcionar uma alta impedância 
de entrada e um ganho de corrente robusto torna o par Darlington ideal para aplicações como drivers 
de potência e estágios de entrada de amplificadores de áudio.
Fonte: adaptado de: BOYLESTAD, R. L.; NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de 
Circuitos. 11. ed. São Paulo: Pearson Education do Brasil, 2013.
Considere o ponto de operação quiescente (Ponto Q) do circuito com par Darlington apresentado na 
figura:
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Nesse sentido, analise as afirmativas a seguir.
I. A tensão no emissor final do par (VE), medida sobre o resistor RE, é de aproximadamente 7,6 V.
II. O ganho de corrente CC aproximado do par Darlington (βD) é o produto dos ganhos individuais, 
resultando em 3750.
III. A corrente de base do segundo transistor (IB2), que é igual à corrente de emissor do primeiro (IE1), 
é de aproximadamente 236 µA.
IV. A corrente de coletor do segundo transistor (IC2), que corresponde à maior parte da corrente total 
do circuito, é de aproximadamente 17,7 mA.
 
É correto o que se afirma em:
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A I e IV, apenas.
B I, II e III, apenas.
C III e IV, apenas.
D II, III e IV, apenas.
E II e III, apenas.
As portas lógicas são os elementos construtivos primordiais da eletrônica digital, realizando 
operações booleanas fundamentais. A partir de um conjunto básico de portas, como AND, OR e NOT, 
é possível construir qualquer circuito lógico combinacional. A análise de seu comportamento é 
formalmente descrita por tabelas-verdade, que mapeiam todas as combinações de entrada para uma 
única saída. Conceitos avançados, como o de portas universais (NAND e NOR), demonstram que 
todo o universo da lógica booleana pode ser implementado a partir de um único tipo de porta, um 
princípio de grande importância prática e teórica na síntese de circuitos digitais.
Fonte: FLOYD, T. L. Sistemas Digitais: Fundamentos e Aplicações. 11. ed. Porto Alegre: Bookman, 
2016.
De acordo com as propriedades, equivalências e implementações de portas lógicas, analise as 
afirmativas a seguir:
I. Pelo Teorema de De Morgan, uma porta NAND de duas entradas é funcionalmente equivalente a 
uma porta OR cujas entradas foram individualmente invertidas.
II. A função XNOR (NÃO-OU Exclusivo), que gera uma saída em nível ALTO quando suas entradas 
são iguais, pode ser implementada utilizando-se a expressão booleana em Soma de Produtos S = A'B' 
+ AB.
III. Sendo a porta NOR uma porta universal, é possível construir uma função AND. Isso é feito 
aplicando-se o Teorema de De Morgan, em que uma porta NOR com entradas invertidas (A' e B') 
produz a função AND, conforme a identidade (A' + B')' = A·B.
IV. A implementação de uma porta OR utilizando-se portas NAND requer duas portas NAND, em que 
a primeira porta NAND tem suas entradas conectadas juntas e a segunda combina a saída da primeira 
com as entradas originais.
É correto o que se afirma em:
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A I, II, III e IV.
B II e IV, apenas.
C I, apenas.
D III e IV, apenas.
E I, II e III, apenas.
Amplificadores de múltiplos estágios com acoplamento direto são configurações em que a saída de 
um estágio de transistor serve diretamente como entrada para o estágio seguinte. Essa técnica elimina 
a necessidade de capacitores de acoplamento, melhorando a resposta em baixas frequências e sendo 
ideal para a fabricação em circuitos integrados. A análise de corrente contínua (CC) de tais circuitos é 
interdependente; a polarização do segundo transistor é diretamente afetada pelas condições de 
operação quiescente do primeiro. Uma análise cuidadosa da topologia e das tensões de nó é, portanto, 
essencial para determinar corretamente o ponto de operação de cada transistor no circuito.
Fonte: adaptado de: BOYLESTAD, R. L.; NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de 
Circuitos. 11. ed. São Paulo: Pearson Education do Brasil, 2013.
Com base nas informações apresentadas, analise o circuito da figura:
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Sobre o exposto, avalie as asserções a seguir e a relação proposta entre elas:
Assuma VBE = 0,7 V para um transistor em condução.
I. A corrente de base do transistor Q2, IB2, é de aproximadamente 36 µA.
PORQUE
II. O valor da corrente de base IB2 é determinado pela razão entre a corrente de coletor IC2 e o ganho 
de corrente β2 do transistor.
A respeito dessas asserções, assinale a opção correta:
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A A asserção I é uma proposição falsa, e a II é uma proposição verdadeira.
B As asserções I e II são verdadeiras, e a II é uma justificativa correta da I.
C A asserção I é uma proposição verdadeira, e a II é uma proposição falsa.
D As asserções I e II são falsas.
E As asserções I e II são verdadeiras, mas a II não é uma justificativa correta da I.
A configuração de polarização em base comum é uma técnica utilizada em transistores bipolares de 
junção (BJT) em que a base é mantida em um potencial fixo, geralmente por meio de uma fonte de 
tensão ou aterramento direto. Essa configuração destaca-se por oferecer baixa impedância de entrada 
e alta estabilidade, sendo ideal para aplicações em amplificadores de alta frequência. Ao estabilizar o 
ponto quiescente (ponto Q), a polarização na base comum assegura que o transistor funcione de 
maneira confiável, mesmo diante de variações de temperatura ou mudanças nos parâmetros do 
componente. Essa estabilidade é fundamental para garantir desempenho consistente em sistemas 
eletrônicos avançados.
Fonte: adaptado de: BOYLESTAD, R. L.; NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de 
Circuitos. 11. ed. São Paulo: Pearson Education do Brasil, 2013.
Considere o circuito na configuração base comum com um transistor PNP de silício, apresentado na 
figura.
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Sobre o ponto de operação quiescente (Ponto Q) do circuito, analise as afirmativas a seguir, 
assumindo uma queda de tensão emissor-base VEB = 0,7 V:
I. A tensão coletor-emissor (VCE) do transistor é de -1,46 V. Esse valor indica que o transistor opera 
na região de saturação.
II. A corrente de coletor (IC) é de aproximadamente 2,44 mA, e esse valor estabelece a tensão no nó 
do coletor (VC) em aproximadamente -0,76 V.
III. A tensão no nó do emissor (VE) é fixada em aproximadamente +0,7 V em relação ao terra, o que 
resulta em uma corrente de emissor (IE) de cerca de 2,47 mA.
IV. A tensão coletor-base (VCB) é de aproximadamente -0,76 V, confirmando que a junção coletor-
base está reversamente polarizada, uma condição para a operação na região ativa.
É correto o que se afirma em:
A I e IV, apenas.
B II, III e IV, apenas.
C II e III, apenas.
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D I, II e III, apenas.
E III e IV, apenas.
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