Prova - Materiais Eletricos - AV1

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Avaliação: CCE0252_AV1_201403336644 » MATERIAIS ELÉTRICOS
Tipo de Avaliação: AV1
Aluno: 201403336644 - CARLOS ROBERTO FERREIRA SOARES 
Professor: JOAO MARQUES DE MORAES MATTOS Turma: 9002/S
Nota da Prova: 8,0 de 8,0 Nota do Trab.: 0 Nota de Partic.: 1 Data: 27/04/2015 09:13:31
1a Questão (Ref.: 201403469884) Pontos: 0,5 / 0,5
Um resistor é construído utilizando­se um material cuja resistividade é igual a 89,1 x 10
­6
 Ω.cm na forma de 
um fio cilíndrico. Determine o valor do resistor para um comprimento de 0,5 metros e uma área da seção 
reta do fio igual a 0,4 mm
2
.
0,99 ohms
1,11 ohms 
2,22 ohms
3,33 ohms
4,44 ohms
2a Questão (Ref.: 201403469889) Pontos: 0,5 / 0,5
Deseja­se construir um resistor com resistência igual 125 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja 
resistividade é igual a 89,1 x 10
­6
 Ω.cm e comprimento igual a 1,3 metros. Determine o valor da área da 
seção reta deste fio.
1,09 cm
2
2,09 cm
2
3,09 cm
2
0,09 cm
2
4,09 cm
2
3a Questão (Ref.: 201403469883) Pontos: 0,5 / 0,5
Um resistor é construído utilizando-se um material cuja resistividade é igual a 1,6 x 10-6 Ω.cm na forma de um fio 
cilíndrico. Determine o valor do resistor para um comprimento de 0,3 metros e uma área da seção reta do fio igual a 0,4 
mm2.
12 mili ohms
13 mili ohms
10 mili ohms
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14 mili ohms
11 mili ohms
4a Questão (Ref.: 201403469887) Pontos: 0,5 / 0,5
Deseja-se construir um resistor com resistência igual 12,5 mΩ. Para isso será utilizado um condutor de seção reta igual a 
0,38 mm2 e comprimento igual a 0,33 metros. Determine o valor da resistividade do material a ser utilizado.
1,88x 10-6 Ω.cm
1,44 x 10
­6
 Ω.cm
0,99 x 10-6 Ω.cm
1,11 x 10-6 Ω.cm
1,22x 10-6 Ω.cm
5a Questão (Ref.: 201403378618) Pontos: 1,0 / 1,0
A planta de Geração Energética Brasileira é formada, em sua grande maioria, por usinas hidrelétricas 
espalhadas pelos quatro sistemas monitorados pelo Operador Nacional do Sistema Elétrico (ONS). Devido a 
estas usinas estarem localizadas longe dos centros consumidores, a energia elétrica precisa ser transmitida 
através de linhas de transmissão. Você, como engenheiro do ONS, recebe a missão para calcular a 
resistência de uma linha de transmissão de 100 km de comprimento, composta por fios de cobre cuja secção 
transversal é igual a 500 mm2. Sabendo-se que a temperatura ambiente é igual a 20oC e que a resistividade 
do cobre nesta temperatura é igual a 1,7x10-8 Ω.m, qual alternativa abaixo indica o valor da resistência 
ôhmica da linha para uma temperatura de 80oC (Adotar na solução que o coeficiente de temperatura do 
cobre é igual a 3,9x10-3 oC-1).
6,8 Ω
4,19 Ω
4,35 Ω
3,89 Ω
3,4 Ω
6a Questão (Ref.: 201403456863) Pontos: 1,0 / 1,0
Como é chamada a grandeza constante que está presente na Lei de Ohm?
Condutividade
Indutância
Condutância
 Resistividade
Resistência
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7a Questão (Ref.: 201403530596) Pontos: 1,0 / 1,0
Pode-se dizer sem medo de cometer um erro crasso que a indústria da microeletrônica se originou entre as décadas de 40 e 50 do 
século XX, quando foram criados os semicondutores intrínsecos de Silício, Gálio e Germânio e suas variações extrínsecas obtidas 
a partir da dopagem com elementos como o Boro e o Fósforo. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ 
An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
Considerando a figura a seguir, escolha a opção correta.
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-n. 
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-p. 
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Germânio. 
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Silício.
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Gálio
8a Questão (Ref.: 201403530597) Pontos: 1,0 / 1,0
Semicondutores extrínsecos são obtidos através da inserção de elementos ¿impureza¿ na rede cristalina do Silício, originando 
portadores de carga na forma de buracos, presentes nos condutores tipo-p, ou elétrons, presentes nos condutores tipo-n. 
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
Considerando a figura a seguir, escolha a opção correta.
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A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Silício. 
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-p. 
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Germânio. 
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Gálio. 
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-n.
9a Questão (Ref.: 201403530627) Pontos: 1,0 / 1,0
Em uma experiência típica envolvendo eletricidade, consideram-se dois corpos, 1 e 2, suspensos por fios isolantes, aos quais foram 
fornecidas cargas elétricas iguais. Observa-se que o corpo 1 adquire carga em toda a sua superfície, enquanto o corpo 2 mantém a 
carga concentrada no ponto de carregamento. Considerando as informações, escolha a alternativa correta:
Uma explicação para tal fenômeno é que no corpo 1, as cargas possuem liberdade de movimentação, 
enquanto no corpo 2, isso não ocorre.
Provavelmente 1 e 2 são semicondutores. 
A diferença entre um condutor e um isolante é que o primeiro pode ser carregado 
Provavelmente tanto o material 1 como o 2 são cerâmicos. 
O corpo 1 trata-se de um isolante elétrico, enquanto o corpo 2 é um condutor elétrico. 
10a Questão (Ref.: 201403530633) Pontos: 1,0 / 1,0
Capacitores são dispositivos projetados para armazenar carga elétrica e que tem esta capacidade ampliada quando inserimos entre 
suas placas um material dielétrico, como mostrado na figura a seguir. Considerando-se que a capacitância, C, de um capacitor é a 
razão entre a sua carga, Q, e a diferença de potencial, V, ao qual o mesmo está submetido, ou seja, C=Q/V, assinale a opção 
correta que fornece a capacitância do capacitor mostrado na figura.
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
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Q0 = C. V 
0. 
C=Q /´V. 
C=Q0 / V 
C=(Q0 + Q )´ / V 
Período de não visualização da prova: desde 14/04/2015 até 04/05/2015.
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