ELETRONICA ANALOGICA I AVA2

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Avaliação II - Individual (Cod.:826899)
Código da prova: 61125404
Disciplina: Eletrônica Analógica I (EEA123)
Período para responder: 16/03/2023 - 31/03/2023
Peso: 1,50
1 - Para o estudo das operações básicas de um transistor bipolar de junção foi utilizado um transistor pnp.
Com relação à operação de um transistor npn, as características são equivalentes, sendo somente necessário a
troca das funções das lacunas e dos elétrons. O transistor pnp não possui a polarização base-emissor e o
transistor pnp não possui a polarização base-emissor. Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir:
I- Muitos portadores minoritários atravessam para a região do tipo n (base) através da junção pn (emissor-
base) que está diretamente polarizada. II- Devido a ser muito fina a camada do tipo n e pouco condutiva,
poucos portadores contribuíram para a corrente de base, sendo essa corrente normalmente na ordem de
microampères, enquanto a corrente do coletor e do emissor é na ordem de miliampères. III- A maior parte
dos portadores majoritários entrará através da junção polarizada reversamente no material do tipo p
conectado ao terminal do coletor. Assinale a alternativa CORRETA:
A ) Somente a sentença II está correta.
B ) As sentenças I e III estão corretas.
C ) As sentenças I e II estão corretas.
D ) As sentenças II e III estão corretas.
2 - O transistor FET, do inglês "Field Effect Transistor", ou, em português Transistor de Efeito de Campo,
funciona através do efeito de um campo elétrico na junção. Este tipo de transistor tem muitas aplicações na
área de amplificadores, em chaves ou em controle de corrente sobre uma carga. Com base nesse contexto,
classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas: ( ) Os transistores de efeito de campo (FET -
field-effect transistor, do inglês) é um dispositivo semelhante ao TBJ, sendo a principal diferença o TBJ um
dispositivo controlado por corrente enquanto o JFET é um dispositivo controlado por tensão. ( ) O nome
"efeito de campo" é derivado da característica de que para os dispositivos MOSFET é estabelecido um
campo magnético pelas cargas presentes que controlaram o caminho de condução do circuito de entrada sem
necessidade de contato direto entre as grandezas controladas e controladoras. ( ) Uma das principais
características do FET é sua baixa impedância, os ganhos de tensão CC são muito menores que o TBJ e são
mais estáveis em termos de temperatura, sendo um dos principais motivos de seu uso em circuitos
integrados. ( ) Assim como os TBJs podem ser npn e pnp, os JFETs podem ser de canal n e de canal p, porém
os transistores bipolares de junção, assim como o nome diz, são bipolares (condução por dois portadores de
carga: elétrons ou lacunas) e os transistores de efeito de campo são dispositivos unipolares (dependem
unicamente da condução de elétrons - canal n - ou de lacunas - canal p). Assinale a alternativa que apresenta
a sequência CORRETA:
A ) V - V - F - F.
B ) F - V - F - V.
C ) V - F - F - V.
D ) F - V - V - F.
3 - O nome MOSFET significa transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor. Nos Transistores de
Efeito de Campo Semicondutor de Óxido Metálico, MOSFET, é como um transistor FET, porém o terminal
Porta isolado demais por uma fina camada de óxido de silício, o que faz com que os transistores MOSFET
tenham uma alta impedância (resistência) na entrada. Os transistores MOSFET são largamente utilizados em
fontes de alimentação como chaveadores, pois sua alta resistência na entrada e seu baixo consumo facilitam
tal operação. Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas: ( ) A
construção de um MOSFET tipo depleção de canal p é exatamente oposta à apresentada para de canal n, ou
seja, existe um substrato do tipo n e um canal do tipo p, permanecendo com os mesmos terminais, porém as
polaridades e sentido de tensão e corrente são invertidos. ( ) A curva característica é semelhante, porém
refletida em relação ao eixo IC. ( ) A equação de Shockley ainda é aplicável e requer apenas a utilização do
sinal correto de IJ e VD. ( ) Quando se trata do MOSFET tipo intensificação do canal p, teremos a mesma
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situação descrita para o MOSFET tipo depleção, onde todos os materiais, tensão e corrente são invertidos.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
A ) V - V - F - F.
B ) F - V - F - V.
C ) V - F - F - V.
D ) F - V - V - F.
4 - Os transistores estão presentes nos circuitos integrados, que compõem as portas lógicas utilizadas em
circuitos elétricos de diversas máquinas, eletrodomésticos, computadores, celulares etc. Com base nesse
contexto, analise as sentenças a seguir: I- Os transistores têm três regiões que são: o emissor (E), a base (B) e
o coletor (C). II- O coletor é fortemente dopado, uma vez que deve enviar portadores de corrente para a base
e posteriormente ao emissor, a base e emissor possuem dopagem leve. III- O coletor reúne os portadores, o
emissor envia os portadores e a base funciona como uma válvula de controle de portadores do emissor para o
coletor. Assinale a alternativa CORRETA:
A ) As sentenças I e II estão corretas.
B ) As sentenças I e III estão corretas.
C ) As sentenças II e III estão corretas.
D ) Somente a sentença II está correta.
5 - Um modelo é a combinação de elementos de circuito, apropriadamente selecionados, que se assemelham
tanto quanto possível ao funcionamento real de um dispositivo semicondutor sob condições específicas de
operação. Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:
A ) Existem três modelos que são comumente usados para a análise CA para pequenos sinais: o modelo ry,
o modelo pi híbrido e o modelo híbrido equivalente.
B ) Existem três modelos que são comumente usados para a análise CA para pequenos sinais: o modelo rh,
o modelo pi híbrido e o modelo hibrido equivalente.
C ) Existem três modelos que são comumente usados para a análise CA para pequenos sinais: o modelo ra,
o modelo pi híbrido e o modelo híbrido equivalente.
D ) Existem três modelos que são comumente usados para a análise CA para pequenos sinais: o modelo re,
o modelo pi híbrido e o modelo híbrido equivalente.
6 - Na prática, a tecnologia MOSFET é utilizada em equipamentos eletrônicos para amplificar o sinal
enviado pela unidade principal para alimentar os alto-falantes. Resulta assim em maior potência do som
produzido. o MOSFET também é constituído de camadas P e N, sendo caracterizados de duas formas:
transistores MOSFET de canal-N e de canal-P. Os dois tipos são similares, mas o canal-P possui a polaridade
de tensão e o sentido de corrente invertidos com relação ao transistor de canal-N. Com base nesse contexto,
classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas: ( ) O nome MOSFET significa transistor de
junção de campo metal-boro-semicondutor. ( ) O MOSFET não apresenta características muito parecidas
com o JFET. ( ) É possível notar que sua construção é obtida através de uma base de silício (sob a qual é
construído o dispositivo), é adicionado uma camada grossa de material do tipo p chamada substrato, os
terminais da fonte e do dreno são conectados ao material do tipo n por meio de contatos metálicos, a porta é
isolada do material do tipo n por uma camada de dielétrico (SiO2) responsável pela alta impedância de
entrada do dispositivo. ( ) O nome agora faz sentido, metal se referindo às conexões do dreno, fonte e porta;
óxido referindo-se à camada isolante de dióxido de silício e semicondutor se relaciona à estrutura básica na
qual as regiões do tipo p e n são difundidas. Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
A ) V - V - F - F.
B ) F - V - F - V.
C ) F - F - V - V.
D ) V - F - V - F.
7 - Fontes e espelhos de corrente são subcircuitos eletrônicos que funcionam como cargas ativas em
arquiteturas analógicas modernas. Podem ser construídas com transistores de efeito de campo, JFET ou
MOS, ou com transistores bipolares, BJT. Com baseno exposto, assinale a alternativa CORRETA:
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A ) Espelhos de corrente são circuitos que refletem uma determinada corrente de condução para um ou
mais ramos, criando correntes contínuas com valores iguais ou proporcionais ao da corrente de condução.
B ) Espelhos de corrente são circuitos que refletem uma determinada corrente de Foucault para um ou mais
ramos, criando correntes de condução com valores iguais ou proporcionais ao da corrente Foucault.
C ) Espelhos de corrente são circuitos que refletem uma determinada corrente eddy para um ou mais ramos,
criando correntes alternadas com valores iguais ou proporcionais ao da corrente eddy.
D ) Espelhos de corrente são circuitos que refletem uma determinada corrente de referência para um ou
mais ramos, criando correntes de espelhamento com valores iguais ou proporcionais ao da corrente de
referência.
8 - O JFET é um dispositivo controlado por tensão de entrada que controla uma corrente de saída. O nome
"efeito de campo" do JFET vem das zonas de depleção que rodeiam cada zona p e onde os elétrons livres da
zona n se recombinam com as lacunas da zona p. Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças
verdadeiras e F para as falsas: ( ) A fonte de pressão de água pode ser comparada com à tensão aplicada do
dreno para a fonte e estabelecer um fluxo de água (elétrons no JFET) a partir da torneira (fonte no JFET). A
"porta" através da aplicação de um sinal (tensão) controla o fluxo de água (carga) para o dreno. ( ) Na parte
superior do material do tipo n por meio de um contato ôhmico temos a conexão da porta (G - gate) e na parte
inferior do mesmo através de outro contato ôhmico temos o dreno (D - drain). ( ) Na construção de um
MOSFET de canal p é possível verificar que a maior parte do material constituinte é do tipo pn, que forma o
canal entre as camadas imersas de material do tipo np. ( ) O FET tem portadores majoritários mas não tem
portadores minoritários. Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
A ) V - F - F - V.
B ) V - V - F - F.
C ) F - V - F - V.
D ) F - V - V - F.
9 - O transistor PNP possui suas junções PN uma voltada contra a outra, com o cristal N (negativo) para as
costas da outra junção, formando, então, o transistor de junção bipolar (TJB) PNP. Esse é acionado com
carga negativa em relação ao emissor. Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir: I- A análise
dos transistores pnp segue o mesmo padrão estabelecido para o transistor npn. Primeiramente o valor de IB é
determinado e, em seguida, aplicamos as relações apropriadas ao transistor e obtemos os restantes das
incógnitas necessárias. II- Ao se observar as equações resultantes é possível perceber que a diferença entre a
utilização de um transistor npn por um pnp será o sinal associado a algumas quantidades específicas. III- O
transistor PNP possui suas junções NP uma voltada contra a outra, com o cristal P (positivo) para as costas da
outra junção, formando, então, o transistor de junção bipolar (TJB) PNP. Esse é acionado com carga positiva
em relação ao emissor. Assinale a alternativa CORRETA:
A ) Somente a sentença II está correta.
B ) As sentenças I e III estão corretas.
C ) As sentenças I e II estão corretas.
D ) As sentenças II e III estão corretas.
10 - O transistor de efeito de campo (FET) também é formado por três camadas semicondutoras.
Diferentemente dos transistores de junção, que são ativados por uma corrente elétrica, os FETs são ativados
por tensões elétricas e, por isso, podem amplificar ou anular a tensão elétrica de um circuito. Esses
transistores são mais baratos e mais fáceis de serem fabricados que os demais transistores, sendo largamente
utilizados em chips eletrônicos. Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir: I- Os FETs utilizam
uma barreira de Schottky (barreiras criadas pelo depósito de um metal como tungstênio sobre um canal do
tipo n) na porta é a principal diferença para os MOSFETs tipo n. II- O Transistor de Efeito de Campo, que,
como o próprio nome diz, funciona através do efeito de um campo elétrico na junção. Este tipo de transistor
tem muitas aplicações na área de amplificadores (operando na área linear), em chaves (operando fora da área
linear) ou em controle de corrente sobre uma carga. III- Os FETs têm como principal característica uma
elevada impedância de entrada o que permite seu uso como adaptador de impedâncias podendo substituir
transformadores em determinadas situações, além disso são usados para amplificar frequências altas com
ganho superior ao dos transistores bipolares. Assinale a alternativa CORRETA:
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A ) As sentenças I e II estão corretas.
B ) Somente a sentença II está correta.
C ) As sentenças II e III estão corretas.
D ) As sentenças I e III estão corretas.