Modelagem do Transistor BJT

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UPEM
Núcleo de Pesquisa em Mecatrônica 
CEFET/RJ campus Nova Iguaçu
Eletrônica I
(GELE0631)
Caṕıtulo 5
Análise CA do Transistor BJT
Rene Cruz Freire
rene.freire@cefet-rj.br
Centro Federal de Educação Tecnológica Celso Suckow da Fonseca
Campus Nova Iguaçu
8/2023
Sumário
Introdução
Modelagem do Transistor BJT
Modelo re do Transistor
Emissor-comum com Polarização Fixa
Polarização por Divisor de Tensão
Emissor-comum com Polarização do Emissor
Configuração de Seguidor de Emissor
Configuração Base-comum
Configuração com Realimentação do Coletor
Efeito de RL e Rs
Determinação do Ganho de Corrente
Tabelas-Resumo
Conexão Darlington
Introdução
Objetivos do Caṕıtulo 5
▶ Familiarizar-se com os modelos re e h́ıbrido para o
transistor TBJ.
▶ Aprender a usar o modelo equivalente para determinar os
parâmetros CA importantes para um amplificador.
▶ Compreender os efeitos de uma resistência de fonte e um
resistor de carga no ganho global e nas caracteŕısticas de
um amplificador.
▶ Conhecer as caracteŕısticas CA gerais de uma variedade de
importantes configurações com TBJ.
▶ Desenvolver alguma habilidade para solução de problemas
em circuitos amplificadores CA.
Modelagem do Transistor BJT
▶ Um modelo é a combinação de elementos de circuito,
apropriadamente selecionados, que se assemelham tanto
quanto posśıvel ao funcionamento real de um dispositivo
semicondutor sob condições espećıficas de operação.
▶ Em outras palavras, um modelo é um circuito equivalente
que representa as caracteŕısticas CA do transistor.
▶ Um modelo usa elementos de circuito que se aproximam do
comportamento do transistor.
▶ Existem dois modelos comumente usados na análise CA de
pequenos sinais de um transistor:
▶ re .
▶ Hı́brido equivalente.
Modelagem do Transistor BJT
▶ Capacitores escolhidos com reatância muito pequena na
frequência de aplicação → substitúıdos por baixa
resistência ou curto-circuito.
▶ Remoção da alimentação CC e inserção do equivalente de
curto-circuito para os capacitores.
Modelagem do Transistor BJT
Circuito com transistor
Modelagem do Transistor BJT
Circuito anterior após a remoção da fonte CC e inserção dos
curtos no lugar dos capacitores
Modelagem do Transistor BJT
Circuito circuito redesenhado para análise CA de pequenos
sinais
Modelagem do Transistor BJT
Resumo da obtenção do equivalente CA de um circuito a
trasistor:
1. Fixando-se todas as fontes de tensão CC em zero e
substituindo-as por um curto-circuito equivalente.
2. Substituindo-se todos os capacitores por um curto-circuito
equivalente.
3. Removendo-se todos os elementos em paralelo com os
curtos-circuitos equivalentes introduzidos nas etapas 1 e 2.
4. Redesenhando-se o circuito de um modo mais conveniente e
lógico.
Modelo re do Transistor
Configuração emissor-comum
▶ Substituindo o transistor por uma fonte de corrente
controlada e um diodo.
Sendo rD =
26mV
ID
Modelo re do Transistor
Configuração emissor-comum
▶ Melhorando o circuito equivalente:
Zi =
Vi
Ib
=
Vbe
Ib
Vbe = Iere = (Ic + Ib)re = (βIb + Ib)re = (β + 1)Ibre
Zi =
Vbe
Ib
=
(β + 1)Ibre
Ib
= (β + 1)re ∼= βre
Modelo re do Transistor
Configuração emissor-comum
▶ Circuito equivalente melhorado:
▶ A impedância vista “entrando” na base do circuito é um
resistor igual a β vezes o valor de re .
▶ Agora os circuitos de entrada e de sáıda estão isolados e
conectados apenas pela fonte controlada — uma forma
muito mais fácil de trabalhar ao analisar circuitos.
Modelo re do Transistor
Configuração emissor-comum
▶ Agora, temos uma representação apropriada para o circuito
de entrada, mas, além da corrente de sáıda do coletor
definida pelo ńıvel de β e IB , não temos uma representação
adequada para a resistência de sáıda (ro) do dispositivo.
▶ De modo geral, é desejável ter impedâncias de sáıda
elevadas para evitar sobrecarregar o próximo estágio de um
projeto.
▶ Tensão Early: extensão da inclinação das curvas
caracteŕısticas até se cruzarem em um único ponto no eixo
horizontal.
▶ À medida que a corrente de base aumenta, a inclinação da
reta aumenta, o que resulta em uma redução da impedância
de sáıda com um aumento da corrente de base e de coletor.
Modelo re do Transistor
Configuração emissor-comum
Modelo re do Transistor
Configuração emissor-comum
▶ Calculando a impedância de sáıda:
ro =
∆V
∆I
=
VA +VCEQ
ICQ
▶ Como VA >>> VCEQ
:
ro ∼=
VA
ICQ
▶ Quando VA não estiver dispońıvel, ro pode ser determinada
a partir da inclinação de qualquer das curvas
caracteŕısticas.
∆y
∆x
=
∆IC
∆VCE
=
1
ro
→ ro =
∆VCE
∆IC
▶ Geralmente temos 40kΩ ≤ ro ≤ 50kΩ.
Modelo re do Transistor
Configuração emissor-comum
▶ Modelo re para a configuração emissor-comum do
transistor, incluindo os efeitos de ro .
▶ O mesmo modelo é usado para a configuração
coletor-comum.
Modelo re do Transistor
Configuração base-comum
▶ Substituindo o transistor por uma fonte de corrente
controlada e um diodo.
Modelo re do Transistor
Configuração base-comum
▶ Neste caso teremos re = 26mV /IE .
▶ Uma resistência de sáıda ro adicional pode ser determinada
a partir das curvas caracteŕısticas, sendo bastante alta.
Modelo re do Transistor
Configuração base-comum
▶ Circuito equivalente melhorado.
Emissor-comum com Polarização Fixa
▶ A análise CA para pequenos sinais começa com a remoção
dos efeitos de VCC e a substituição dos capacitores CC de
acoplamento C1 e C2 por curtos-circuitos equivalentes.
Emissor-comum com Polarização Fixa
▶ Substituição do modelo re no circuito.
Emissor-comum com Polarização Fixa
▶ Impedância de entrada.
Zi = RB ||βre
Zi
∼= βre para RB ≥ 10βre
▶ Impedância de sáıda.
Zo = RC ||ro
Zo
∼= RC para ro ≥ 10RC
▶ Ganho de tensão.
Vo = −βIb(RC ||ro) → Ib =
Vi
βre
→ Vo = −β
Vi
βre
(RC ||ro)
Av =
Vo
Vi
= −(RC ||ro)
re
= −RC
re
para ro ≥ 10RC
Emissor-comum com Polarização Fixa
▶ Demonstração do deslocamento de fase 180◦ entre as
formas de onda de entrada e sáıda.
Exemplo 01
1. Para o circuito da figura abaixo:
a) determine re ;
b) determine Zi (com ro → ∞);
c) determine Zo (com ro → ∞);
d) determine Av (com ro → ∞);
e) repita os itens (c) e (d) incluindo ro = 50kΩ em todos os
cálculos e compare os resultados.
Exemplo 01
Solução:
a) Análise CC:
IB =
VCC −VBE
RB
=
12V − 0,7V
470kΩ
= 24,04µA
IE = (β + 1)IB = 101 · 24,04µA = 2,428mA
re =
26mV
IE
=
26mV
2,428mA
= 10,71Ω
b) Zi = RB ||βre = 470kΩ||100 · 10,71Ω = 1,07kΩ
c) Zo = RC = 3kΩ
d) Av = −RC
re
= − 3kΩ
10,71Ω
= −280,11
e) Zo = ro ||RC = 50kΩ||3kΩ = 2,83kΩ
Av = −ro ||RC
re
= −2,83kΩ
10,71Ω
= −264,24
Polarização por Divisor de Tensão
▶ Remoção dos efeitos de VCC e a substituição dos
capacitores CC de acoplamento C1 e C2 por
curtos-circuitos equivalentes.
Polarização por Divisor de Tensão
▶ Substituição do modelo re no circuito.
Polarização por Divisor de Tensão
▶ Impedância de entrada.
R′ = R1||R2
Zi = R′||βre
▶ Impedância de sáıda.
Zo = RC ||ro
Zo
∼= RC para ro ≥ 10RC
▶ Ganho de tensão.
Vo = −βIb(RC ||ro) → Ib =
Vi
βre
→ Vo = −β
Vi
βre
(RC ||ro)
Av =
Vo
Vi
= −(RC ||ro)
re
= −RC
re
para ro ≥ 10RC
Exemplo 02
2. Para o circuito da figura abaixo:
a) determine re ;
b) determine Zi (com ro → ∞);
c) determine Zo (com ro → ∞);
d) determine Av (com ro → ∞);
e) repita os itens (b) até (d) incluindo ro = 50kΩ em todos
os cálculos e compare os resultados.
Exemplo 02
Solução:
a) Testando βRe > 10R2
90 · 1,5kΩ > 10 · 8,2kΩ → 135kΩ > 82kΩ (Condição satisfeita)
Utilizando a abordagem aproximada, temos:
VB = VCC · R2
R1 + R2
= 22V · 8,2kΩ
56kΩ+ 8,2kΩ
= 2,81V
IE =
VE
RE
=
VB −VBE
RE
=
2,81V − 0,7V
1,5kΩ
= 1,41mA
re =
26mV
IE
=
26mV
1,41mA
= 18,44Ω
b) Zi = R′||βre = (R1||R2)||βre = (56kΩ||8,2kΩ)||90 · 18,44Ω =
1,35kΩ
c) Zo = RC = 6,8kΩ
Exemplo 02
Solução:
d) Av = −RC
re
= − 6,8kΩ
18,44Ω= −368,76
e) Zi = 1,35kΩ
Zo = ro ||RC = 50kΩ||6,8kΩ = 5,98kΩ
Av = −ro ||RC
re
= −5,98kΩ
18,44Ω
= −324,3
Emissor-comum com Polarização do Emissor
▶ Remoção dos efeitos de VCC e a substituição dos
capacitores CC de acoplamento C1 e C2 por
curtos-circuitos equivalentes.
Emissor-comum com Polarização do Emissor
▶ Substituição do modelo re no circuito.
Emissor-comum com Polarização do Emissor
▶ Impedância de entrada.
Vi = Ibβre + IeRE = Ibβre + (β + 1)IbRE
Zb =
Vi
Ib
= βre + (β + 1)RE
∼= βre + βRE = β(re + RE )
Zb
∼= βRE para RE >>> re
Zi = Zb ||RB
▶ Impedância de sáıda.
Zo = RC
▶ Ganho de tensão.
Vo = −IoRC = −βIbRC → Ib =
Vi
Zb
→ Vo = −β · Vi
Zb
RC
Av =
Vo
Vi
= −βRC
Zb
→ Zb
∼= β(re + RE ) → Av = − RC
re + RE
Zb
∼= βRE → Av = −RC
RE
Exemplo 03
3. Para o circuito da figura abaixo:
a) determine re ;
b) determine Zi ;
c) determine Zo ;
d) determine Av .
Exemplo 03
Solução:
a) Análise CC:
IB =
VCC −VBE
RB + (β + 1)RE
=
20V − 0,7V
470kΩ+ 121 · 0,56kΩ
= 35,89µA
IE = (β + 1)IB = 121 · 35,89µA = 4,34mA
re =
26mV
IE
=
26mV
4,34mA
= 5,99Ω
b) Zb
∼= β(re + RE ) = 120(5,99Ω + 560Ω) = 67,92kΩ
Zi = RB ||Zb = 470kΩ||67,92kΩ = 59,34kΩ
c) Zo = RC = 2,2kΩ
d) Av = −RC
RE
= − 2,2kΩ
0,56kΩ
= −3,93
Configuração de Seguidor de Emissor
▶ Também é conhecido como configuração de coletor comum.
▶ A entrada é aplicada na base e a sáıda é obtida no emissor.
▶ Não há mudança de fase entre a entrada e a sáıda.
Configuração de Seguidor de Emissor
▶ Impedância de entrada.
Zi = RB ||Zb
Zb = βre +(β+1)RE
∼= β(re +RE ) ∼= βre para RE >>> re
▶ Impedância de sáıda.
Ie = (β + 1)Ib → Ib =
Vi
Zb
→ Ie = (β + 1)
Vi
Zb
Ie =
(β + 1)Vi
βre + (β + 1)RE
→ β ∼= (β + 1) → Ie =
Vi
re + RE
Zo = RE ||re ∼= re para RE >>> re
Configuração de Seguidor de Emissor
▶ Ganho de tensão.
Vo = Vi ·
RE
RE + re
Av =
Vo
Vi
=
RE
RE + re
∼= 1 para RE >>> re
Exemplo 04
4. Para o circuito da figura abaixo:
a) determine re ;
b) determine Zi ;
c) determine Zo ;
d) determine Av .
Exemplo 04
Solução:
a) Análise CC:
IB =
VCC −VBE
RB + (β + 1)RE
=
12V − 0,7V
220kΩ+ 101 · 3,3kΩ
= 20,42µA
IE = (β + 1)IB = 101 · 20,42µA = 2,062mA
re =
26mV
IE
=
26mV
2,062mA
= 12,61Ω
b) Zb = βre + (β + 1)RE = 100 · 12,61Ω + 101 · 3,3kΩ =
334,56kΩ ∼= βRE
Zi = RB ||Zb = 220kΩ||334,56kΩ = 132,72kΩ
c) Zo = RE ||re = 3,3kΩ||12,61Ω = 12,56Ω ∼= re
d) Av =
RE
RE + re
=
3,3kΩ
3,3kΩ+ 12,61Ω
= 0,996 ∼= 1
Configuração Base-comum
▶ A entrada é aplicada no emissor.
▶ A sáıda é obtida no coletor.
▶ Baixa impedância de entrada.
▶ Alta impedância de sáıda.
▶ Ganho de tensão muito alto.
▶ Não há mudança de fase entre a entrada e a sáıda.
Configuração Base-comum
▶ Substituição do modelo re no circuito.
Configuração Base-comum
▶ Impedância de entrada.
Zi = RE ||re
▶ Impedância de sáıda.
Zo = RC
▶ Ganho de tensão.
Vo = −IoRC = −(−IC )RC = αIeRC → Ie =
Vi
re
→ Vo =
α
Vi
re
RC
Av =
Vo
Vi
=
αRC
re
∼=
RC
re
▶ Ganho de corrente
Assumindo que RE >>> re :
Ie = Ii → Io = −αIe = −αIi
Ai =
Io
Ii
=
−αIi
Ii
= −α ∼= −1
Exemplo 05
5. Para o circuito da figura abaixo:
a) determine re ;
b) determine Zi ;
c) determine Zo ;
d) determine Av ;
e) determine Ai .
Exemplo 05
Solução:
a) Análise CC:
IE =
VEE −VBE
RE
=
12V − 0,7V
1kΩ
= 1,3mA
re =
26mV
IE
=
26mV
1,3mA
= 20Ω
b) Zi = RE ||re = 1kΩ||20Ω = 19,61Ω ∼= re
c) Zo = RC = 5kΩ
d) Av =
RC
re
=
5kΩ
20Ω
= 250
e) Ai = −α = −0,98 ∼= −1
Configuração com Realimentação do Coletor
▶ É uma variação da configuração de emissor comum com
polarização fixa.
▶ A entrada é aplicada na base.
▶ A sáıda é obtida no coletor.
▶ Há uma mudança de fase de 180◦ entre a entrada e a sáıda.
Configuração com Realimentação do Coletor
▶ Impedância de sáıda.
Zo
∼= RC ||RF
▶ Ganho de tensão.
Io = βIb + I ′ → para βIb >>> I ′ → Io = βIb
Vo = −IoRC = −(βIb)RC → Ib =
Vi
βre
→ Vo = −β
Vi
βre
RC
Av =
Vo
Vi
= −RC
re
Configuração com Realimentação do Coletor
▶ Impedância de entrada. Sabendo que Vo = −Vi
re
RC :
I ′ =
Vo −Vi
RF
= −RCVi
reRF
− Vi
RF
= − 1
RF
(
1 +
RC
re
)
Vi
Vi = Ibβre = (Ii + I ′)βre = Iiβre −
1
RF
(
1 +
RC
re
)
βreVi
Iiβre = Vi
[
1 +
βre
RF
(
1 +
RC
re
)]
Zi =
Vi
Ii
=
βre
1 +
βre
RF
(
1 +
RC
re
) → 1 +
RC
re
∼=
RC
re
Zi =
βre
1 +
βRC
RF
=
re
1
β
+
RC
RF
Efeito de RL e Rs
▶ Nesta seção, serão investigados o efeito da aplicação de
uma carga ao terminal de sáıda e o efeito do uso de uma
fonte com uma resistência interna.
▶ Configurações de amplificador
a) Sem carga
b) Com carga
c) Com carga e resistência de fonte
Efeito de RL e Rs
▶ Substituição do modelo re no circuito (c).
▶ Impedância de entrada
Zi = RB ||βre
▶ Impedância de sáıda
Zo = RC ||ro
Efeito de RL e Rs
▶ Ganho com RL
Vo = −βIb(RC ||RL) → Ib =
Vi
βre
→ Vo = −β
Vi
βre
(RC ||RL)
AvL =
Vo
Vi
=
RC ||RL
re
▶ Ganho com RL e Rs
Vi =
Zi
Zi + Rs
Vs →
Vi
Vs
=
Zi
Zi + Rs
Avs =
Vo
Vs
=
Vo
Vi
Vi
Vs
= AvL
(
Zi
Zi + Rs
)
Efeito de RL e Rs
▶ Retomando o exemplo 1, com RL = 4,7kΩ e Rs = 0,3kΩ:
Zi = 1,07kΩ, Zo = 3kΩ, AvNL = −280,11 e re = 10,71Ω
AvL =
RC ||RL
re
=
3kΩ||4,7kΩ
10,71Ω
= −170,98
Avs = AvL · Zi
Zi + Rs
= −170,98 · 1,07kΩ
1,07kΩ+ 0,3kΩ
= −133,54
Determinação do Ganho de Corrente
▶ O ganho de corrente de um sistema pode ser determinado
diretamente a partir do seu ganho de tensão.
▶ Sabendo que Ii =
Vi
Zi
e Io = −Vo
RL
:
Ai =
Io
Ii
=
−Vo
RL
Vi
Zi
= −Vo
Vi
· Zi
RL
= −Av ·
Zi
RL
Determinação do Ganho de Corrente
▶ Retomando o exemplo 2:
Zi = 1,35kΩ
Av = −386,76
Determinação do Ganho de Corrente
▶ Retomando o exemplo 2:
Ai =
Io
Ii
=
− Vo
6,8kΩ
Vi
1,35kΩ
= −Vo
Vi
· 1,35kΩ
6,8kΩ
= 368,76 · 1,35kΩ
6,8kΩ
=
73,2
Ai = −Av ·
Zi
RL
= 368,76 · 1,35kΩ
6,8kΩ
= 73,2
Tabelas-Resumo
▶ Amplificadores transistorizados com TBJ sem carga
Tabelas-Resumo
▶ Amplificadores transistorizados com TBJ sem carga
Tabelas-Resumo
▶ Amplificadores transistorizados com TBJ com RL e Rs
Tabelas-Resumo
▶ Amplificadores transistorizados com TBJ com RL e Rs
Tabelas-Resumo
▶ Amplificadores transistorizados com TBJ com RL e Rs
Conexão Darlington
▶ A conexão Darlington fornece um ganho de corrente muito
alto - que é o produto dos ganhos individuais: βD = β1β2.
▶ Os pares Darlington atuam como uma unidade única, ou
seja, como se fosse um transistor simples.
▶ Um par Darlington é suficientemente senśıvel para
responder a uma pequena corrente.
Conexão Darlington
Configuração de seguidor de emissor
▶ Corrente de base:
IB =
VCC −VBE
RB + βDRE
▶ Corrente de emissor:
IE = (βD + 1)Ib ∼= βDIB
▶ Tensão de emissor:
VE = IERE
▶ Tensão de base:
VB = VE +VBE
Conexão Darlington
Aplicação - Relé de Luminosidade
▶ Quando a luz incide sobre
o LDR, sua resistência
diminui.
▶ A tensão de polarização é
fornecida ao transistor e
essa tensão é suficiente
para fazer o transistor e o
relé funcionarem.
▶ Um resistor variável
também é conectado na
base do transistor para
ajustar a sensibilidade.
Exemplo 06
6. Calcule as tensões de polarização CC e as correntes para a
configuração Darlington da figura abaixo.
Exemplo 06
Solução:
Determinação de βD :
βD = β1β2 = 50 · 100 = 5000
Determinação das correntes:
IB =
VCC −VBE
RB + βDRE
=
18V − 1,4V
3,3MΩ+ 5000 · 390Ω
= 3,16µA
IE = IC = βDIB = 5000 · 3,16µA = 15,80mA
Determinação das tensões:
VC = VCC = 18V
VE = IERE = 15,80mA · 390Ω = 6,16V
VB = VBE +VE = 6,16V + 1,4V = 7,56V
VCE = VCC −VE = 18V − 6,16V = 11,84V
Conexão Darlington
▶ Substituição do modelo re no circuito.
▶ Impedância de entrada
Zi2 = β2(re2 + RE )
Zi1 = β1(re1 + Zi2) = β1[re1 + β2(re2 + RE )]
Supondo RE >>> re2 : Zi1 = β1(re1 + β2RE )
Desde que β2RE >>> re1 : Zi1
∼= β1β2RE = βDRE
Por fim: Zi = RB ||Zi1 = RB ||βDRE
Conexão Darlington
▶ Ganho de correnteIo = β2Ib2 + Ib2 = (β2 + 1)Ib2
Ib2 = β1Ib1 + Ib1 = (β1 + 1)Ib1
Io = (β1 + 1)(β2 + 1)Ib1
Usando o divisor de corrente:
Ib1 =
RB
RB + Zi
Ii =
RB
RB + β1β2RE
Ii =
RB
RB + βDRE
Ii
Io = (β1 + 1)(β2 + 1)
RB
RB + βDRE
Ii
Então:
Ai =
Io
Ii
=
(β1 + 1)(β2 + 1)RB
RB + βDRE
→ Usando β1, β2 >>> 1
Ai
∼=
βDRB
RB + βDRE
Conexão Darlington
▶ Ganho de tensão
Vo = IoRE
Vi = Ii(RB ||Zi)
RB ||Zi = RB ||βDRE =
βDRBRE
RB + βDRE
Av =
Vo
Vi
=
IoRE
Ii(RB ||Zi)
= Ai
RE
RB ||Zi
→ Ai
∼=
βDRB
RB + βDRE
Av =
(
βDRB
RB + βDRE
) RE
βDRBRE
RB + βDRE
 ∼= 1
Conexão Darlington
▶ Impedância de sáıda
Conexão Darlington
▶ Impedância de sáıda
Lei dos nós no ponto a: Io = Ie − (β2 + 1)Ib2
Lei das malhas na supermalha: Vo = −Ib1β1re1 − Ib2β2re2
Vo = −Ib1β1re1−(β1+1)Ib1β2re2 = −Ib1 [β1re1+(β1+1)β2re2 ]
Ib1 = − Vo
β1re1 + (β1 + 1)β2re2
Ib2 = (β1 + 1)Ib1 = − (β1 + 1)Vo
β1re1 + (β1 + 1)β2re2
Io = Ie − (β2 + 1)Ib2 =
Vo
RE
+
(β1 + 1)(β2 + 1)Vo
β1re1 + (β1 + 1)β2re2
Usando β1, β2 >>> 1:
Io =
Vo
RE
+
β1β2Vo
β1re1 + β1β2re2
=
Vo
RE
+
Vo
re1
β2
+ re2
Conexão Darlington
▶ Impedância de sáıda
De modo geral: RE >>>
(
re1
β2
+ re2
)
Por fim: Zo =
re1
β2
+ re2
▶ Retomando o exemplo 6:
Zi = RB ||βDRE = 3,3MΩ||5000 · 390Ω = 1,38MΩ
Ai =
βDRB
RB + βDRE
=
5000 · 3,3MΩ
3,3MΩ+ 5000 · 390Ω
= 3142,85
re2 =
26mV
IE2
=
26mV
15,80mA
= 1,65Ω
re1 =
26mV
IE1
=
26mV
IB2
=
26mV β2
IE2
=
26mV · 100
15,80mA
= 164,5Ω
Zo =
re1
β2
+ re2 =
164,5Ω
100
+ 1,65Ω = 3,30Ω
Exerćıcios - Caṕıtulo 5
▶ Modelo re do Transistor - 6;
▶ Configuração Emissor-comum com Polarização Fixa - 13;
▶ Polarização com Divisor de Tensão - 15;
▶ Configuração Emissor-comum com Polarização do Emissor
- 23;
▶ Configuração de Seguidor de Emissor - 24;
▶ Configuração Base-comum - 27;
▶ Configuração com Realimentação do Coletor - 29;
▶ Efeito de RL e Rs - 37;
▶ Conexão Darlington - 50.
	Sumário
	Introdução
	Modelagem do Transistor BJT
	Modelo re do Transistor
	Emissor-comum com Polarização Fixa
	Polarização por Divisor de Tensão
	Emissor-comum com Polarização do Emissor
	Configuração de Seguidor de Emissor
	Configuração Base-comum
	Configuração com Realimentação do Coletor
	Efeito de RL e Rs
	Determinação do Ganho de Corrente
	Tabelas-Resumo
	Conexão Darlington