Avaliação II - Individual-Eletronica Analogica e Digital

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GABARITO | Avaliação II - Individual (Cod.:1022029)
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Prova 96092579
Qtd. de Questões 10
Acertos/Erros 9/1
Nota 9,00
Se não houvessem os amplificadores de áudio, como seria possível a comunicação direta com grande 
quantidade de pessoas em ambientes comuns, seja em aplicações de entretenimento, como shows 
musicais, seja em eventos religiosos, em que há a necessidade de elevar o som para que todos possam 
ouvir? Até mesmo no ambiente hospitalar, um elemento sensível aos sinais de pulso ou ondas 
cerebrais depende do uso de amplificadores, pois os sinais oriundos dos sensores são dados em 
pequenos sinais, que precisam ser amplificados para que os instrumentos sejam capazes de processá-
los e analisá-los.
Sobre os amplificadores de áudio, podemos afirmar que:
A Os amplificadores transistorizados não podem operar com fontes de alimentação de tensão
inferior à 120 V.
B Podem ser fabricados a partir de transistores bipolares e MOSFETs.
C Só podem amplificar faixas de frequência limitadas entre 100 kHz e 1 MHz de áudio.
D O sinal de saída de um amplificador de áudio é sempre invertido com relação à sua entrada e
opera com tensões negativas de offset para frequências audíveis de 1 MHz.
E Não podem ser fabricados com circuitos integrados.
É muito comum encontrar sistemas amplificadores que se baseiam em transistores com dois estágios. 
O primeiro estágio consiste de transistores de efeito de campo, enquanto o segundo consiste de 
transistores bipolares. Essa associação permite maior segurança, além de melhor controle de tensão e 
corrente, simultaneamente, o que não seria observado caso somente um tipo de transistor fosse 
utilizado.
Fonte: adaptado de: BOYLESTAD, R. L.; NASHELSKY, L. Dispositivos eletrônicos e teoria de 
circuitos. Londres: Editora Pearson, 1984. Disponível em: 
https://mega.nz/file/W8VUXJDS#OMcDhhsa935XwtlEEpNlFEGb2bvbN9iA-yEDhLjRpAE. Acesso 
em: 2 abr. 2024.
Considerando as razões que motivam a utilização de um transistor de efeito de campo como estágio 
de entrada de amplificação, antes de um transistor bipolar, analise as sentenças a seguir:
I. Maior estabilidade térmica.
II. Boa sensibilidade a tensão, devido à alta impedância de entrada.
III. Boa sensibilidade de corrente, devido à alta impedância de entrada.
IV. Boa capacidade de armazenamento de carga em seu campo elétrico.É correto o que se afirma em:
A III e IV, apenas.
B II, III e IV, apenas.
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C I, apenas.
D I, II e IV, apenas.
E I, II e III, apenas.
[Laboratório Virtual – Circuito com Lógica Booleana] Um dos circuitos integrados (CIs) utilizados no 
experimento era o SN 74HC08N, o qual é composto por quatro portas AND de duas entradas cada. 
Ao projetar um circuito com portas lógicas, devemos verificar se o circuito integrado possui todas as 
portas lógicas necessárias ou se será necessário inserir um outro CI para atender aos requisitos do 
projeto. A figura apresenta um circuito lógico que será projetado:
Sobre a utilização do circuito integrado para o projeto da figura, assinale a alternativa CORRETA:
A Será possível construir o circuito lógico apresentado apenas com o CI SN 74HC08N, pois esse
componente possui todas as portas lógicas do circuito.
B Não será possível construir o circuito lógico apresentando apenas com o CI SN 74HC08N, pois
esse componente não é composto por portas lógicas OR (OU) e nem portas NOT (Inversora).
C Serão necessários dois CIs SN 74HC08N para construir o circuito lógico apresentado, visto que
as portas lógicas OR (OU) e nem portas NOT (Inversora) estarão presentes no segundo CI.
D Será possível construir o circuito lógico apresentando apenas com o CI SN 74HC08N, pois esse
componente também possui portas AND de três entradas.
[Laboratório Virtual – Circuito com Lógica Booleana] Através da realização do laboratório, foi 
possível verificar o comportamento do LED utilizando um circuito com uma porta lógica OR (OU) e 
duas variáveis de entrada. Em um experimento real, muitas vezes não temos um circuito integrado 
que possui a porta necessária. Dessa forma, é possível utilizar a autossuficiência das portas NAND 
(NÃO-E) e NOR (NÃO-OU) para criar um circuito que se comporte como uma OR. As portas lógicas 
NAND e NOR são autossuficientes e podem ser usadas para construir qualquer circuito lógico digital.
Sobre o circuito que poderia substituir a porta OR utilizando a autossuficiência, assinale a alternativa 
CORRETA:
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A É necessário a utilização de apenas duas portas Não-E, resultando na obtenção da porta OU
(OR).
B A porta OR pode ser obtida a partir do curto-circuito das entradas da porta Não-E.
C São utilizadas três portas Não-E para conseguir uma porta OU (OR).
D Essa substituição é impossível dentro da eletrônica digital.
O JFET ou junção FET é um transistor de efeito de campo que usa materiais portadores de carga 
colocados perpendicularmente e em contato direto com seu canal para que se possa controlar a 
passagem de corrente elétrica. Em dispositivos JFET canal N, a corrente de dreno (Id) é controlada 
aplicando-se uma tensão reversa em sua porta-fonte (GATE-SOURCE). Deste modo, uma barreira é 
formada na camada tipo P, expandindo-a e estreitando a passagem da corrente no canal N.
Conforme a capacidade do assunto exposto, analise as sentenças a seguir:
I. Os dois materiais do tipo p estão conectados entre si e também ao terminal porta (G - gate).
II. Os dois materiais do tipo p estão conectados entre si e também ao terminal porta (D - drain).
III. A construção de um JFET de canal n é possível verificar que a maior parte do material constituinte 
é do tipo n, que forma o canal entre as camadas imersas de material do tipo p.
IV. A parte superior do material do tipo n por meio de um contato ôhmico temos a conexão do dreno 
(D - drain) e na parte inferior do mesmo através de outro contato ôhmico temos a fonte (S - source).
É correto o que se afirma em:
A III e IV, apenas.
B I e II, apenas.
C I, III e IV, apenas.
D III, apenas.
E I, II e III, apenas.
Um engenheiro, ao projetar um circuito com transistores se deparou com um modelo de transistor 
bipolar onde o seu ganho (hFE) pode variar de 100 até 300.
Ao estabelecer que este componente irá operar com uma corrente em seu coletor de 100 mA, qual 
será a corrente na base do transistor se o ganho for estabelecido em 200?
A 50 mA.
B 100 mA.
C 1 A.
D 500 pA.
E 0,5 mA.
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[Laboratório Virtual – Circuito com Lógica Booleana] Através da realização da prática, ao selecionar 
o circuito integrado com portas AND (SN 74HC08N) e realizar a ligação dos cabos, é possível 
verificar o comportamento do circuito ao ativar e desativar as chaves presentes nele. Dessa forma, o 
LED só acenderá se as chaves estiverem de acordo com o circuito integrado. Para auxiliar no 
experimento, utilize o roteiro do laboratório.
Com relação ao momento em que o LED é aceso, assinale a alternativa CORRETA:
A Como duas portas AND do circuito integrado estão sendo usadas, o LED só irá acender quando a
chave 0 estiver fechada e a chave 1 estiver aberta.
B Como apenas uma porta AND do circuito integrado está sendo usada, o LED só irá acender
quando as duas chaves estiverem fechadas.
C Como duas portas AND do circuito integrado estão sendo usadas, o LED só irá acender quando
as duas chaves estiverem fechadas.
D Como duas portas AND do circuito integrado estão sendo usadas, o LED só irá acender quando
as duas chaves estiverem fechadas.
O IGBT é um dispositivo utilizado para o acionamento de cargas quando deseja-se atuar com sinais 
em determinadas velocidades e com as características de tecnologias de transistores combinadas.
Fonte: adaptado de: MALVINO, A.; BATES, D. Eletrônica. 8. ed. Porto Alegre: AMGH, 2016. v. 2.
Sobre o IGBT, assinale a alternativa CORRETA:
A Possuias terminais base gate e dreno.
B Trata-se de uma combinação entre o transistor de efeito de campo e o transistor bipolar.
C O ganho de corrente de gate-dreno depende da corrente no coletor.
D É composto de source isolado por camada de SiO2 dupla e base conectada diretamente ao
coletor.
E Não pode ser utilizado para acionamento de motores elétricos, apenas para cargas resistivas.
São muitas as aplicações onde os transistores são usados, mas basicamente podemos citar que eles 
podem trabalhar como amplificadores, osciladores, retificadores, comutadores e interruptores. As 
utilizações mais comuns dos transistores são: transistor operando como amplificador – nesse tipo de 
operação, o transistor é capaz de amplificar um sinal elétrico de baixa amplitude; é muito utilizado em 
sistemas de telecomunicações e sistemas de som onde os sinais necessitam ser amplificados para 
utilização em algum outro equipamento; transistor operando como chave – nesse tipo de operação, o 
transistor consegue ligar e desligar cargas de maior potência apenas recebendo um sinal de baixa 
amplitude; como exemplo, podemos citar os transistores utilizados em inversores de frequência, que 
conseguem fazer o chaveamento (ligar e desligar rapidamente) e fazer o acionamento de um motor 
utilizando PWM (modulação por largura de pulso).
Conforme o assunto do texto anterior, analise as sentenças a seguir:
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I. O JFET é um dispositivo de três terminais, de modo que um deles controla a corrente entre os 
outros dois.
II. O MOSFET é um dispositivo de oito terminais, de modo que um deles controla a corrente e os 
demais controlam a tensão.
III. O MESFET é um dispositivo de cinco terminais, de modo que três deles controlam a corrente e os 
outros dois controlam a tensão.
IV. Os transistores FET são, por exemplo: o transistor de efeito de campo de junção: JFET; o 
transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor: MOSFET e o transistor de efeito de campo 
metal-semicondutor: MESFET.
É correto o que se afirma em:
A I, II e III, apenas.
B II, III e IV, apenas.
C II, apenas.
D I e IV, apenas.
E II e III, apenas.
O campo da tecnologia permitiu significantes avanços em todas as áreas conhecidas, e para que isso 
fosse possível foi preciso aprimorar a eficiência da manipulação de todos os tipos de entrada de 
energia, logo, percebe-se uma diminuição de insumos para garantir o mesmo resultado. Com isso, 
temos os Transístores de efeito de campo, os quais permitem elevado aproveitamento da energia 
aplicada em seus circuitos, dando horizontes às minis e micro tecnologias.
Fonte: adaptado de: MALVINO, A. P.; BATES, D. Eletrônica. AMGH Editora, 2016.
Com base no texto e em seus conhecimentos, analise as afirmativas a seguir:
I. O elevado valor negativo de tensão no gate-source torna maior a corrente no dreno e source. 
II. A resistência de entrada na aplicação da polarização reversa tendo ao infinito comparada com a 
corrente de entrada. 
III. O funcionamento de um FET é relacionado à passagem dos elétrons pelo seu interior, e tendo 
contato com as áreas NPN, formando a camada de depleção. 
IV. A diferença de aplicação de transistores bipolares e FETs está no controle minucioso da corrente 
de saída adicionado a ganhos de entrada pelo primeiro, e sinais de baixa amplitude à alta impedância 
pelo segundo.
É correto o que se afirma em:
A I, apenas.
B III e IV, apenas.
C I, II, III e IV.
D I e II, apenas.
E II, III e IV, apenas.
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