Grátis: Sobre o IGBT, assinale a alternativa CORRETA: A Possui as terminais base gate e dreno. B Trata-se de uma combinação entre o transistor de efeito de... – Questões Respondidas

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Sobre o IGBT, assinale a alternativa CORRETA:
A Possui as terminais base gate e dreno.
B Trata-se de uma combinação entre o transistor de efeito de campo e o transistor bipolar.
C O ganho de corrente de gate-dreno depende da corrente no coletor.
D É composto de source isolado por camada de SiO 2 dupla e base conectada diretamente ao coletor.
E Não pode ser utilizado para acionamento de motores elétricos, apenas para cargas resistivas.

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Vamos analisar as alternativas sobre o IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada): A) Possui as terminais base gate e dreno. - Incorreto, pois os terminais do IGBT são gate, dreno (drain) e fonte (source). B) Trata-se de uma combinação entre o transistor de efeito de campo e o transistor bipolar. - Correto, o IGBT é, de fato, uma combinação dessas duas tecnologias. C) O ganho de corrente de gate-dreno depende da corrente no coletor. - Incorreto, o ganho de corrente do IGBT não depende diretamente da corrente no coletor. D) É composto de source isolado por camada de SiO 2 dupla e base conectada diretamente ao coletor. - Incorreto, a descrição não é precisa. E) Não pode ser utilizado para acionamento de motores elétricos, apenas para cargas resistivas. - Incorreto, o IGBT pode ser utilizado para acionamento de motores elétricos. Portanto, a alternativa correta é: B) Trata-se de uma combinação entre o transistor de efeito de campo e o transistor bipolar.

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Sobre os amplificadores de áudio, podemos afirmar que:
A Os amplificadores transistorizados não podem operar com fontes de alimentação de tensão inferior à 120 V.
B Podem ser fabricados a partir de transistores bipolares e MOSFETs.
C Só podem amplificar faixas de frequência limitadas entre 100 kHz e 1 MHz de áudio.
D O sinal de saída de um amplificador de áudio é sempre invertido com relação à sua entrada e opera com tensões negativas de offset para frequências audíveis de 1 MHz.
E Não podem ser fabricados com circuitos integrados.

Considerando as razões que motivam a utilização de um transistor de efeito de campo como estágio de entrada de amplificação, antes de um transistor bipolar, analise as sentenças a seguir: I. Maior estabilidade térmica. II. Boa sensibilidade a tensão, devido à alta impedância de entrada. III. Boa sensibilidade de corrente, devido à alta impedância de entrada. IV. Boa capacidade de armazenamento de carga em seu campo elétrico. É correto o que se afirma em:
A III e IV, apenas.
B II, III e IV, apenas.
C I, apenas.
D I, II e IV, apenas.
E I, II e III, apenas.

Sobre a utilização do circuito integrado para o projeto da figura, assinale a alternativa CORRETA:
A Será possível construir o circuito lógico apresentado apenas com o CI SN 74 HC 08 N, pois esse componente possui todas as portas lógicas do circuito.
B Não será possível construir o circuito lógico apresentando apenas com o CI SN 74 HC 08 N, pois esse componente não é composto por portas lógicas OR (OU) e nem portas NOT (Inversora).
C Serão necessários dois CIs SN 74 HC 08 N para construir o circuito lógico apresentado, visto que as portas lógicas OR (OU) e nem portas NOT (Inversora) estarão presentes no segundo CI.
D Será possível construir o circuito lógico apresentando apenas com o CI SN 74 HC 08 N, pois esse componente também possui portas AND de três entradas.

Sobre o circuito que poderia substituir a porta OR utilizando a autossuficiência, assinale a alternativa CORRETA:
A É necessário a utilização de apenas duas portas Não-E, resultando na obtenção da porta OU (OR).
B A porta OR pode ser obtida a partir do curto-circuito das entradas da porta Não-E.
C São utilizadas três portas Não-E para conseguir uma porta OU (OR).
D Essa substituição é impossível dentro da eletrônica digital.

Conforme a capacidade do assunto exposto, analise as sentenças a seguir: I. Os dois materiais do tipo p estão conectados entre si e também ao terminal porta (G - gate). II. Os dois materiais do tipo p estão conectados entre si e também ao terminal porta (D - drain). III. A construção de um JFET de canal n é possível verificar que a maior parte do material constituinte é do tipo n, que forma o canal entre as camadas imersas de material do tipo p. IV. A parte superior do material do tipo n por meio de um contato ôhmico temos a conexão do dreno (D - drain) e na parte inferior do mesmo através de outro contato ôhmico temos a fonte (S - source). É correto o que se afirma em:
A III e IV, apenas.
B I e II, apenas.
C I, III e IV, apenas.
D III, apenas.
E I, II e III, apenas.

Um engenheiro, ao projetar um circuito com transistores se deparou com um modelo de transistor bipolar onde o seu ganho \(\left(h_{F E}\right)\) pode variar de 100 até 300. Ao estabelecer que este componente irá operar com uma corrente em seu coletor de 100 mA, qual será a corrente na base do transistor se o ganho for estabelecido em 200?
A 50 mA.
B 100 mA.
C 1 A.
D 500 pA.
E 0,5 mA.

Com relação ao momento em que o LED é aceso, assinale a alternativa CORRETA:
A Como duas portas AND do circuito integrado estão sendo usadas, o LED só irá acender quando a chave 0 estiver fechada e a chave 1 estiver aberta.
B Como apenas uma porta AND do circuito integrado está sendo usada, o LED só irá acender quando as duas chaves estiverem fechadas.
C Como duas portas AND do circuito integrado estão sendo usadas, o LED só irá acender quando as duas chaves estiverem fechadas.
D Como duas portas AND do circuito integrado estão sendo usadas, o LED só irá acender quando as duas chaves estiverem fechadas.

Conforme o assunto do texto anterior, analise as sentenças a seguir: I. O JFET é um dispositivo de três terminais, de modo que um deles controla a corrente entre os outros dois. II. O MOSFET é um dispositivo de oito terminais, de modo que um deles controla a corrente e os demais controlam a tensão. III. O MESFET é um dispositivo de cinco terminais, de modo que três deles controlam a corrente e os outros dois controlam a tensão. IV. Os transistores FET são, por exemplo: o transistor de efeito de campo de junção: JFET; o transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor: MOSFET e o transistor de efeito de campo metal-semicondutor: MESFET. É correto o que se afirma em:
A I, II e III, apenas.
B II, III e IV, apenas.
C II, apenas.
D I e IV, apenas.
E II e III, apenas.

Com base no texto e em seus conhecimentos, analise as afirmativas a seguir: I. O elevado valor negativo de tensão no gate-source torna maior a corrente no dreno e source. II. A resistência de entrada na aplicação da polarização reversa tendo ao infinito comparada com a corrente de entrada. III. O funcionamento de um FET é relacionado à passagem dos elétrons pelo seu interior, e tendo contato com as áreas NPN, formando a camada de depleção. IV. A diferença de aplicação de transistores bipolares e FETs está no controle minucioso da corrente de saída adicionado a ganhos de entrada pelo primeiro, e sinais de baixa amplitude à alta impedância pelo segundo. É correto o que se afirma em:
A I, apenas.
B III e IV, apenas.
C I, II, III e IV.
D I e II, apenas.
E II, III e IV, apenas.