Vamos analisar cada afirmativa: I. O elevado valor negativo de tensão no gate-source torna maior a corrente no dreno e source. Falso. Um valor negativo elevado na tensão gate-source geralmente reduz a corrente no dreno, pois o FET está em modo de corte. II. A resistência de entrada na aplicação da polarização reversa tende ao infinito comparada com a corrente de entrada. Verdadeiro. Em polarização reversa, a resistência de entrada é muito alta, o que significa que a corrente de entrada é muito baixa. III. O funcionamento de um FET é relacionado à passagem dos elétrons pelo seu interior, e tendo contato com as áreas NPN, formando a camada de depleção. Falso. O funcionamento de um FET não envolve a formação de uma camada de depleção com áreas NPN, pois FETs são dispositivos de efeito de campo e não têm a mesma estrutura que transistores bipolares. IV. A diferença de aplicação de transistores bipolares e FETs está no controle minucioso da corrente de saída adicionado a ganhos de entrada pelo primeiro, e sinais de baixa amplitude à alta impedância pelo segundo. Verdadeiro. Essa afirmativa está correta, pois descreve bem as diferenças entre os dois tipos de transistores. Com base nas análises, as afirmativas verdadeiras são II e IV. Portanto, a alternativa correta que contém todos os itens verdadeiros é: E) II, III e IV, apenas.