Avaliação de Materiais Elétricos

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Avaliação: CCE0252_AV1_201301428991 » MATERIAIS ELÉTRICOS
Tipo de Avaliação: AV1
Aluno: 201301428991 - AUREANA SANTANA DOS SANTOS 
Professor: JOAO MARQUES DE MORAES MATTOS Turma: 9009/DQ
Nota da Prova: 5,5 de 8,0 Nota do Trab.: 0 Nota de Partic.: 2 Data: 10/10/2015 09:08:17
1a Questão (Ref.: 201301632094) Pontos: 0,0 / 0,5
Entre as diversas propriedades físicas associadas ao comportamento elétrico de um material, existe a resistividade, que é uma 
propriedade física intensiva, ou seja, não depende da geometria e nem da quantidade de massa apresentada pelo material. 
Matematicamente, a resistividade, �, está relacionada a resistência R do material através da relação ��= R.A/l, onde A é a área da 
seção reta e l é o comprimento do material condutor, como ilustrado na figura a seguir.
Considerando-se que houve necessidade de estirar (esticar) o condutor, o que triplicou o seu comprimento e reduziu a sua área a 
um quarto da original, assinale entre as respostas a seguir aquela que melhor representa a nova resistência do condutor em função 
da resistência anterior R.
0,75R. 
0,67R. 
12R. 
8R.
2,5R. 
2a Questão (Ref.: 201301571454) Pontos: 0,5 / 0,5
Na temperatura de 25
o
C mediu­se o valor da resistência de um resistor e obteve­se 12,2 Ω. O material do 
qual é feito o resistor apresenta um coeficiente de temperatura igual a 0,0042 
o
C
­1
. Determine o valor da 
nova resistência na temperatura de 60
o
C.
4,36 ohms 
13,99 ohms 
9,23 ohms 
11,65 ohms 
15,82 ohms
3a Questão (Ref.: 201301571467) Pontos: 0,5 / 0,5
Um resistor é construído utilizando­se um material cuja resistividade é igual a 44 x 10
­6
 Ω.cm na forma de 
um fio cilíndrico. Determine o valor do resistor para um comprimento de 0,3 metros e uma área da seção 
reta do fio igual a 0,38 mm
2
.
384,2 mili ohms
354,6 mili ohms
376,38 mili ohms
347,4 mili ohms
399,9 mili ohms
4a Questão (Ref.: 201301571470) Pontos: 0,5 / 0,5
Deseja­se construir um resistor com resistência igual 1,25 mΩ. Para isso será utilizado um condutor de seção 
reta igual a 0,38 mm
2
 e comprimento igual a 10 mm. Determine o valor da resistividade do material a ser 
utilizado.
7,81 x 10
­6
 Ω.cm
3,21 x 10
­6
 Ω.cm
6,45 x 10
­6
 Ω.cm
3,95 x 10
­6
 Ω.cm
4,75 x 10
­6
 Ω.cm
5a Questão (Ref.: 201301632542) Pontos: 0,0 / 1,0
Polarização, como mostra a figura a seguir, é o alinhamento de momentos dipolares atômicos ou moleculares, 
permanentes ou induzidos, com um campo elétrico aplicado externamente. Das opções abaixo, indique aquela que 
não representa um tipo de polarização: 
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering - An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
Eletrônica. 
Iônica. 
Magnética.
Eletrônica + iônica 
De orientação. 
6a Questão (Ref.: 201301632138) Pontos: 1,0 / 1,0
Uma das maneiras de inserir Fósforo e o Boro na rede cristalina do Silício de alta pureza é através da evaporação dos elementos 
de interesse em adequadas câmaras de vácuo, técnica de fabricação utilizada primeiramente em 1955. (MEYER HERBERT W., A 
History of Electricity and Magnetism , Burnby Library, Connecticut, Norwalk, 1972, Chapter 17).
Com relação aos semicondutores é correto afirmar que:
A condutividade elétrica de um semicondutor expressa a facilidade de transporte de cargas elétricas 
somente se o semicondutor for do tipo-p, ou seja, puro. 
Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente semicondutores intrínsecos, sendo 
vetada a presença de qualquer impureza no sistema. 
Mobilidade elétrica é uma grandeza que representa a facilidade de transporte de cargas elétricas em um 
material. 
A obtenção de um semicondutor intrínseco exige técnicas de purificação de difícil execução denominadas 
dopagem. 
Semicondutores intrínsecos são aqueles que não possuem impurezas.
7a Questão (Ref.: 201301632142) Pontos: 1,0 / 1,0
A quantidade de buracos e elétrons em um semicondutor é uma função da temperatura a que este é submetido. Baseado no gráfico 
a seguir, no qual no eixo horizontal tem-se temperatura (oC e K) e no eixo vertical tem-se a condutividade elétrica (ohm.m) -1, 
podem-se observar curvas de evolução da condutividade de um semicondutor intrínseco de Silício, denominado no gráfico de 
intrinsic, e de dois semicondutores extrínsecos com concentrações de Boro de 0,0052% e 0,0013% (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. 
Materials Science and Engineering - An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
Baseado no gráfico, podemos afirmar que:
A uma dada temperatura, quanto menor a concentração de Boro, maior será a condutividade do 
semicondutor. 
A condutividade elétrica do semicondutor intrínseco aumenta acentuadamente com o aumento da temperatura.
As condutividades elétricas dos semicondutores extrínsecos e intrínsecos nunca se igualam. 
A 400oC aproximadamente, as condutividades elétricas dos semicondutores extrínsecos se igualam. 
A condutividade elétrica do semicondutor intrínseco diminui acentuadamente com o aumento da 
temperatura.