lista de exercicio 5 MOSFET(1)

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URSO DE GRADUAÇÃO EM ENGENHARIA ELETRÔNICA 
DISCIPLINA: CIRCUITOS ELETRÔNICOS II 
Professor: José Felício da Silva 2015_2 
Lista de exercícios 5 - MOSFET 
 
 
1) A equação 1 indica que a carga por unidade de comprimento em 
um canal de um transistor em saturação decresce movendo-se da 
fonte ara o dreno. Logo podemos dizer que a corrente entrando no 
terminal do dreno é igual a corrente que sai no terminal da fonte. 
Explique então, como pode existir uma corrente constante em 
qualquer parte do canal entre o dreno e a fonte, se afirmamos que a 
carga decresce? 
 
 
 
 
 
2) Para um transistor NMOS com um valor de μn = 500cm2/V.s Calcule 
o valor de K’n , para uma espessura da camada de dióxido de: a) 
50nm; b) 20nm; c) 10nm. 
3) Para os transistores indicados na figura 1 faça a identificação de 
cada terminal, ou seja, fonte, dreno, gate e corpo em seguida 
calcule a corrente I. 
4) Determine a resistência rDS de um transistor NMOS que tem 
W/L=100/1 se VGS=5V e VTN=0,75V 
5) Determine a razão W/L requerida para um transistor NMOS, para 
que a resistência dreno fone seja igual a 1KΩ, quando as tensões 
gate fonte for igual a 5V e fonte corpo igual a 0V. Repita o problema 
para um transistor PMOS tendo as tensões gate fonte de -5V e 
fonte corpo de 0V. Suponha que a tensão de limiar seja de 0,75V 
para o NMOS e -0,75V para o PMOS. 
6) Afigura 2 representa a característica de saída de um transistor 
NMOS. 
a. Qual o valor de Kn e VT? 
b. Este transistor esta no modo de enriquecimento ou de 
depleção? 
c. Qual é a relação de W/L? 
7) Calcule a corrente de dreno em um transistor NMOS se: 
 
 
a) 
 
 
 
b) repita para um valor de λ=0 
 
 
 
 
 tensão de limiar para um NMOS 
 
 
Observação: Ao resolver todas as questões descrevam os 
procedimentos adotados. Isto implica em ententer o que está 
sendo realizado. Não é uma questão so de resolveroperações 
que vocês conseguiram entender a disciplina. 
 
 
 
 
Figura 1a; Figura 1b. 
 
 
 
 
 
Figura 2