O dispositivo semicondutor desenvolvido para o controle de disparo, cuja tensão de ruptura ocorre com tensões positivas e negativas é o DIAC, alternativa c. O TRIAC, alternativa a, é um dispositivo semicondutor que permite o controle de potência em corrente alternada. O SCR, alternativa b, é um retificador controlado de silício, que permite o controle de potência em corrente contínua. O MOSFET, alternativa d, é um transistor de efeito de campo de metal-óxido-semicondutor, que é usado para amplificação e comutação de sinais. O BJT, alternativa e, é um transistor bipolar de junção, que também é usado para amplificação e comutação de sinais.
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