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Geometria Analítica

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[Laboratório Virtual – Eletrônica Analógica – Leds e Diodos] Através da prática virtual Leds e Diodos foi possível verificar o comportamento do LED com a imposição de diferentes valores de tensão nesse componente. O LED do experimento estava em polarização direta, como podia ser visto no circuito. Seguindo outro caso específico, considere um diodo emissor de luz com limiar de tensão de 1,2 V, sem resistor presente no circuito, é polarizado inversamente em um circuito. Assumindo uma tensão inversa máxima aceitável é de 4 V.
Sobre o problema exposto, assinale a alternativa CORRETA:
A Ao aplicarmos 1,2 V no circuito, o LED irá acender mesmo estando polarizado inversamente.
B Ao aplicarmos 1,2 V no circuito, o LED irá conduzir corrente elétrica, mas não irá acender.
C Ao aplicarmos 1,2 V no circuito, o LED não irá acender por estar polarizado inversamente.
D Ao aplicarmos 1,2 V no circuito, o LED não irá conduzir corrente elétrica, mas irá acender.

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Ed

há 2 semanas

Vamos analisar o problema passo a passo: - O LED está polarizado inversamente. - A tensão de limiar do LED é 1,2 V (tensão mínima para que ele conduza em polarização direta). - A tensão inversa máxima aceitável é 4 V. - A tensão aplicada é 1,2 V em polarização inversa. Em polarização inversa, o LED não conduz corrente elétrica e, portanto, não acende, desde que a tensão inversa não ultrapasse o valor máximo aceitável (4 V), o que é o caso aqui (1,2 V < 4 V). Logo, a alternativa correta é: C) Ao aplicarmos 1,2 V no circuito, o LED não irá acender por estar polarizado inversamente.

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Em um FET, a variável de controle é uma tensão enquanto em um TBJ era uma corrente. Os FETs são compostos de três terminais. Os terminais dreno e fonte servem a propósitos distintos e, consequentemente, não podem ser trocados um pelo outro, nas montagens envolvendo FETs. Os transistores de efeito de campo são fabricados em invólucros semelhantes àqueles utilizados em transistores bipolares.
Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
Os amplificadores que utilizam transistores de efeito de campo proporcionam um excelente ganho em tensão, além da alta impedância de entrada que fornecem.
Os amplificadores que utilizam transistores de efeito de campo são dispositivos que possuem baixo consumo de potência, aplicáveis a uma extensa gama de frequências e são muito pequenos e leves.
O FET possui uma pequena possibilidade de uso, sendo possível seu uso apenas em dispositivos digitais, tais como em relógios com calculadoras.
Um ponto importante a ser lembrado é que devido à impedância de entrada ser muito baixa, consideramos a corrente de entrada igual a zero, e que o ganho de corrente é muito grande.
A V - V - F - F.
B V - F - V - F.
C F - V - F - V.
D F - V - V - F.

O JFET é um dispositivo controlado por tensão de entrada que controla uma corrente de saída. O nome "efeito de campo" do JFET vem das zonas de depleção que rodeiam cada zona p e onde os elétrons livres da zona n se recombinam com as lacunas da zona p.
Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
( ) A fonte de pressão de água pode ser comparada com à tensão aplicada do dreno para a fonte e estabelecer um fluxo de água (elétrons no JFET) a partir da torneira (fonte no JFET). A "porta" através da aplicação de um sinal (tensão) controla o fluxo de água (carga) para o dreno.
( ) Na parte superior do material do tipo n por meio de um contato ôhmico temos a conexão da porta (G - gate) e na parte inferior do mesmo através de outro contato ôhmico temos o dreno (D - drain).
( ) Na construção de um MOSFET de canal p é possível verificar que a maior parte do material constituinte é do tipo pn, que forma o canal entre as camadas imersas de material do tipo np.
( ) O FET tem portadores majoritários mas não tem portadores minoritários.
a) F - V - V - F.
b) V - F - F - V.
c) V - V - F - F.
d) F - V - F - V.

Os amplificadores que utilizam transistores de efeito de campo proporcionam um excelente ganho em tensão, além da alta impedância de entrada que fornecem. Além disso, são dispositivos que possuem baixo consumo de potência, aplicáveis a uma extensa gama de frequências e são muito pequenos e leves.
Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:
A O JFET possui uma ampla possibilidade de uso, sendo possível seu uso desde amplificadores não lineares até como dispositivo digital em circuito analógico (sendo muito comum o uso do MOSFET tipo intensificação).
B O MESFET possui uma ampla possibilidade de uso, sendo possível seu uso desde amplificadores não lineares até como dispositivo digital em circuito analógico (sendo muito comum o uso do MOSFET tipo intensificação).
C O FET possui uma ampla possibilidade de uso, sendo possível seu uso desde amplificadores lineares até como dispositivo digital em circuito analógico (sendo muito comum o uso do MOSFET tipo intensificação).
D O TBJ possui uma ampla possibilidade de uso, sendo possível seu uso desde amplificadores quase lineares até como dispositivo digital em circuito analógico (sendo muito comum o uso do MOSFET tipo intensificação).

O transistor de efeito de campo pode ser feito muito mais pequeno do que um BJT transistor equivalente e, em conjunto com o seu baixo consumo de energia e de dissipação de potência mínimo, tornam ideais para uso em circuitos integrados, como a gama CMOS de chips lógicos digitais. Há vários tipos de polarização dos transistores de efeito de campo. Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:
A A configuração com autopolarização elimina a necessidade de duas fontes de tensão CC-CA. A tensão de controle porta-fonte é determinada através de Rf.
B A configuração com autopolarização elimina a necessidade de duas fontes de tensão CA. A tensão de controle porta-fonte é determinada através de Rq.
C A configuração com autopolarização elimina a necessidade de duas fontes de tensão CA-CC. A tensão de controle porta-fonte é determinada através de Rz.
D A configuração com autopolarização elimina a necessidade de duas fontes de tensão CC. A tensão de controle porta-fonte é determinada através de Rs.

Ao aplicarmos um potencial de V volts a junção pn de modo que o terminal negativo seja ligado ao material do tipo p e o terminal positivo ao material do tipo n, ocorrerá um aumento na região de depleção, pois o número de elétrons livres no material tipo n irá aumentar devido à atração pelo polo positivo conectado ao terminal do material do tipo n, de maneira análoga ocorrerá um aumento de lacunas no material do tipo p devido à conexão do polo negativo ao terminal do material do tipo p. Devido a essas condições, a região de depleção irá aumentar dificultando a movimentação de portadores majoritários, e desta forma reduzindo o fluxo a praticamente zero, portanto, a corrente é aproximadamente nula.
Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir:
I- Chamamos de corrente de saturação reversa a corrente existente em condição de polarização reversa, Is, vale a pena observar que o sentido da corrente de saturação reversa é oposto ao sentido da corrente convencional do diodo.
II- O valor de Is normalmente tem alguns microampères, sendo normalmente expressa em nanoampères, tendo como exceção dispositivos de alta potência.
III- Se VD<0 V é possível perceber que o nível de corrente reversa é rapidamente alcançado e sem mantem praticamente inalterado com a variação da tensão, daí o termo corte.
A As sentenças I e III estão corretas.
B As sentenças I e II estão corretas.
C Somente a sentença II está correta.
D As sentenças II e III estão corretas.

O JFET é constituído por um substrato de material semicondutor exibindo um tipo de dopagem, no qual é formado, por técnicas de implantação iônica, um canal de dopagem distinta daquela correspondente ao substrato.
Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
( ) Quando pensamos na análise CC, a não linearidade pode complicar o raciocínio, sendo o método gráfico o mais rápido para a maioria dos amplificadores FET, porém pode limitar a precisão de décimos.
( ) Os JFETs possuem três terminais. Dois terminais estão ligados às extremidades do canal e são denominados de fonte e dreno.
( ) O terminal fonte do JFET é identificado pela letra S (do inglês source) e o terminal dreno pela letra D (do inglês drain). O terceiro terminal, denominado de porta é identificado pela letra G (do inglês gate), sendo conectado diretamente ao substrato.
( ) Um FET a variável de controle é uma corrente enquanto em um MESFET é uma impedância.
a) F - V - F - V.
b) V - V - V - F.
c) V - F - V - V.
d) F - V - V - F.

Os transistores podem atuar como amplificadores ou interruptores em circuitos eletrônicos. Seu uso mais comum está nos processadores de computador, nos quais são requeridos graças a sua capacidade de emular os bits por meio do aumento ou queda de tensão, de forma rápida e precisa.
Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir:
I- O transistor é um componente semicondutor composto por três camadas, podendo ser constituídas de dois modos distintos: duas camadas de material semicondutor do tipo n e uma camada de material semicondutor do tipo p (sendo chamado de transistor npn) ou duas camadas de material semicondutor do tipo p e uma camada de material semicondutor do tipo n (sendo chamado de transistor pnp).
II- Os transistores bipolares de junção são semelhantes aos diodos de junção, embora eles contenham uma junção adicional, o transistor é dito bipolar pois possui tanto lacunas (+) quanto elétrons (-) constituindo o fluxo de corrente através do dispositivo.
III- Os TBJs - do inglês "tripolar junction transistor" são conhecidos no Brasil como transistores tripolares de junção pois têm três pernas.
A As sentenças II e III estão corretas.
B As sentenças I e II estão corretas.
C Somente a sentença II está correta.
D As sentenças I e III estão corretas.

O diodo semicondutor é um elemento ou componente eletrônico composto de um cristal semicondutor de silício ou germânio numa película cristalina cujas faces opostas são dopadas por diferentes materiais durante sua formação, o que causa a polarização de cada uma das extremidades.
Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
( ) Podemos estabelecer uma regra para a barreira de potencial de um diodo de silício, onde a mesma diminui 2 milivolts para cada aumento de 1 °C.
( ) O diodo em polarização reversa apresenta um aumento na barreira potencial (região de depleção), do ponto de vista de energia, quão maior é a temperatura de junção, maior será a corrente de saturação reversa, sendo uma aproximação útil é 'Is dobrar a cada aumento de 10 °C', se a variação de temperatura for menor que 10 °C é deve-se usar que a variação da corrente de saturação é de 7% para cada °C de aumento.
( ) O silício não é o único material semicondutor de base, também possui grande relevância o Germânio (Ge) e o Arseneto de Gálio (GaAs).
( ) O silício é o único material semicondutor de base, também possui grande relevância o Germânio (Ge) e o Arseneto de Gálio (GaAs).
a) F - V - V - F.
b) F - V - F - V.
c) V - F - V - F.
d) V - V - V - F.

[Laboratório Virtual – Eletrônica Analógica – Iluminação de Emergência com Transistor] Através da prática virtual Iluminação de Emergência com Transistor foi possível verificar o comportamento do transistor com a variação de resistência de um LDR. Lembrando que o LDR é um resistor cuja resistência varia conforme a intensidade da luz que incide sobre ele. Na prática, ao ajustar o potenciômetro em uma determinada resistência, o LDR fará o LED acender quando a luz estiver apagada. Da mesma forma, o LDR fará o LED apagar quando a luz estiver acesa.
Com relação ao exposto e à prática virtual, assinale a alternativa CORRETA:
A Com pouca intensidade da luz, a resistência do LDR irá aumentar, fazendo com que a resistência de Thevenin do circuito aumente e a corrente de base seja muito pequena.
B Com pouca intensidade da luz, a resistência do LDR irá diminuir, fazendo com que a resistência de Thevenin do circuito diminua e a corrente de base seja muito pequena.
C Com pouca intensidade da luz, o LDR irá se comportar como um curto circuito, fazendo com que a resistência de Thevenin do circuito diminua e a corrente de base seja muito pequena.
D Com pouca intensidade da luz, a resistência do LDR irá aumentar, fazendo com que a resistência de Thevenin do circuito diminua e a corrente de base seja muito pequena.