Avaliação II - Eletrônica Analógica I - 28092022 à 14102022

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Avaliação II - Individual (Cod.:768123) 
Código da prova: 55081000 
Disciplina: Eletrônica Analógica I (EEA123) 
Período para responder: 28/09/2022 - 14/10/2022 
Peso: 1,50 
1 - Os transistores podem atuar como amplificadores ou interruptores em circuitos eletrônicos. Seu uso mais
comum está nos processadores de computador, nos quais são requeridos graças a sua capacidade de emular
os bits por meio do aumento ou queda de tensão, de forma rápida e precisa. Com base nesse contexto, analise
as sentenças a seguir: I- O transistor é um componente semicondutor composto por três camadas, podendo
ser constituídas de dois modos distintos: duas camadas de material semicondutor do tipo n e uma camada de
material semicondutor do tipo p (sendo chamado de transistor npn) ou duas camadas de material
semicondutor do tipo p e uma camada de material semicondutor do tipo n (sendo chamado de transistor pnp).
II- Os transistores bipolares de junção são semelhantes aos diodos de junção, embora eles contenham uma
junção adicional, o transistor é dito bipolar pois possui tanto lacunas (+) quanto elétrons (-) constituindo o
fluxo de corrente através do dispositivo. III- Os TBJs - do inglês "tripolar junction transistor" são conhecidos
no Brasil como transistores tripolares de junção pois têm três pernas. Assinale a alternativa CORRETA:
A ) As sentenças I e III estão corretas.
B ) As sentenças II e III estão corretas.
C ) As sentenças I e II estão corretas.
D ) Somente a sentença II está correta.
2 - O dispositivo eletrônico mais desenvolvido e recrutado grande interesse entre 1904 e 1947 foi a válvula
(diodo criada por J. A. Fleming em 1904). Algo importante a ser citado é que impulsionado pelo rádio e a
televisão, tendo uma ampliação de aproximadamente 1 milhão de válvulas em 1922 para cerca de 10 milhões
de válvulas em 1937. Este setor ao passar dos anos apresentou grandes avanços em diversos setores, sendo
projeto, técnica de fabricação, miniaturização além de aplicações em alta potência e alta frequência. Com
base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:
A ) Em 23 de dezembro de 1947, na Bell Telephone Laboratories, William Schockley, Walter H. Brattain e
John Baedeen, demonstraram a função de amplificação do primeiro transistor.
B ) Em 23 de dezembro de 1948, na Bell Telephone Laboratories, William Schockley, Walter H. Brattain e
John Baedeen, demonstraram a função de amplificação do primeiro transistor.
C ) Em 27 de janeiro de 1948, na Bell Telephone Laboratories, William Schockley, Walter H. Brattain e
John Baedeen, demonstraram a função de amplificação do primeiro transistor.
D ) Em 25 de novembro de 1947, na Bell Telephone Laboratories, William Schockley, Walter H. Brattain e
John Baedeen, demonstraram a função de amplificação do primeiro transistor.
3 - Os transistores estão presentes nos circuitos integrados, que compõem as portas lógicas utilizadas em
circuitos elétricos de diversas máquinas, eletrodomésticos, computadores, celulares etc. Com base nesse
contexto, analise as sentenças a seguir: I- Os transistores têm três regiões que são: o emissor (E), a base (B) e
o coletor (C). II- O coletor é fortemente dopado, uma vez que deve enviar portadores de corrente para a base
e posteriormente ao emissor, a base e emissor possuem dopagem leve. III- O coletor reúne os portadores, o
emissor envia os portadores e a base funciona como uma válvula de controle de portadores do emissor para o
coletor. Assinale a alternativa CORRETA:
A ) Somente a sentença II está correta.
B ) As sentenças I e II estão corretas.
C ) As sentenças II e III estão corretas.
D ) As sentenças I e III estão corretas.
4 - Existem vários tipos de transistor e cada um deles possui um funcionamento e aplicação específica.
Iremos descrever neste artigo sobre como funciona um transistor TBJ (transistor de junção bipolar). Um
componente bipolar é chamado assim devido a serem constituídos de materiais do tipo P e do tipo N. Isso
significa que para sua correta operação o material tipo P depende de portadores de carga positiva (lacunas) e
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o material de tipo N depende de portadores de carga negativa (elétrons). Os materiais semicondutores (tipo P
ou tipo N) conseguem conduzir uma corrente elétrica, porém não conseguem conduzir tão bem quanto um
material condutor. Como exemplo, podemos citar o silício e o germânio. Com base nesse contexto,
classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas: ( ) O transistor consiste em três camadas de
material, sendo que duas delas são feitas de material igual. ( ) O princípio de operação do transistor é que
uma pequena quantidade de corrente na base irá provocar o fluxo de uma grande quantidade de corrente no
coletor. ( ) O transistor pode ter apenas duas configurações: base-comum e emissor-comum. ( ) O transistor
pode ter apenas duas configurações: base-emissor e emissor-comum. Assinale a alternativa que apresenta a
sequência CORRETA:
A ) F - V - F - V.
B ) V - V - F - F.
C ) V - F - V - F.
D ) F - V - V - F.
5 - O transistor é um dispositivo feito de material semicondutor que é largamente utilizado em circuitos
eletrônicos e em chips de computador. Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir: I- A adequada
polarização do transistor é extremamente importante e necessária, de modo que a troca de um transistor npn
por um pnp não é possível em circuitos eletrônicos, pois cada um dos tipos possui uma polarização
característica. II- Para que o transistor opere corretamente, a junção coletor-base deve ser mantida
reversamente polarizada, deste modo tem-se que o coletor em um transistor npn deve ser positivo em relação
à base e em um transistor pnp o coletor deve ser negativo em relação à base. III- Os TBJs - do inglês
"tetrapolar junction transistor" são conhecidos no Brasil como transistores tetrapolares de junção pois têm
quatro pernas. Assinale a alternativa CORRETA:
A ) As sentenças I e II estão corretas.
B ) As sentenças II e III estão corretas.
C ) As sentenças I e III estão corretas.
D ) Somente a sentença II está correta.
6 - O surgimento do transistor abriu caminho para o surgimento de diversas outras invenções importantes,
por exemplo os CIs (Circuitos Integrados), que nada mais é que um dispositivo pequeno que contém
milhares de transistores. Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:
A ) Com o advento deste pequeno componente temos lustres e outros milagres eletrônicos em nosso
cotidiano.
B ) Com o advento deste pequeno componente temos TVs a válvulas e outros milagres eletrônicos em
nosso cotidiano.
C ) Com o advento deste pequeno componente temos lâmpadas incandescentes e outros milagres
eletrônicos em nosso cotidiano.
D ) Com o advento deste pequeno componente temos computadores e outros milagres eletrônicos em nosso
cotidiano.
7 - Os materiais semicondutores são elementos cuja resistência situa-se entre a dos condutores e a dos
isolantes. Dependendo de sua estrutura, qualquer elemento pode ser classificado como isolante,
semicondutor ou condutor. Atualmente, os principais componentes dos equipamentos eletrônicos são
dispositivos semicondutores tais como: diodos, transistores e circuitos integrados. Seu emprego deve-se à
habilidade de controlar o fluxo de corrente, executando as mesmas funções das válvulas eletrônicas, porém
com grandes vantagens como tamanho, peso e durabilidade. Por estas razões o emprego dos dispositivos
semicondutores trouxe um grande desenvolvimento à eletrônica. Os primeiros conceitos de dispositivos
semicondutores datam do início do século. Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:
A ) O primeiro diodo (um dispositivo de estado sólido que contém 2 terminais) apresentava diversas
vantagens dentre elas não haver necessidade de aquecimento, ser menor e mais leve, não apresentar perdas
por aquecimento, ser mais eficiente por conta de ter uma menor absorção de potência, estar pronto para uso
imediata e trabalhar com uma tensão menor.11/10/2022 16:24 about:blank
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B ) O primeiro LED (um dispositivo de estado sólido que contém 2 terminais) apresentava diversas
vantagens dentre elas não haver necessidade de aquecimento, ser menor e mais leve, não apresentar perdas
por aquecimento, ser mais eficiente por conta de ter uma menor absorção de potência, estar pronto para uso
imediata e trabalhar com uma tensão menor.
C ) O primeiro transistor (um dispositivo de estado sólido que contém 3 terminais) apresentava diversas
vantagens dentre elas não haver necessidade de aquecimento, ser menor e mais leve, não apresentar perdas
por aquecimento, ser mais eficiente por conta de ter uma menor absorção de potência, estar pronto para uso
imediata e trabalhar com uma tensão menor.
D ) O primeiro tiristor (um dispositivo de estado sólido que contém 3 terminais) apresentava diversas
vantagens dentre elas não haver necessidade de aquecimento, ser menor e mais leve, não apresentar perdas
por aquecimento, ser mais eficiente por conta de ter uma menor absorção de potência, estar pronto para uso
imediata e trabalhar com uma tensão menor.
8 - O Transistor Bipolar de Junção (TBJ ou BJT, do inglês: bipolar junction transistor) é formado por duas
junções pn. Há duas possibilidades básicas de TBJs que são: NPN e PNP. O terminal central, denominado
base, "controla" a corrente que circula pelos dois terminais principais, emissor e coletor. O TBJ pode ser
empregado como um dispositivo amplificador de modo que o sinal senoidal de saída é maior que o sinal
senoidal de entrada em amplitude. Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:
A ) Como a amplitude do sinal de saída é menor, podemos dizer também que a potência de entrada é maior
que a potência de saída.
B ) Como a amplitude do sinal de saída é maior, podemos dizer também que a potência de saída é maior
que a potência de entrada.
C ) Como a amplitude do sinal de saída é menor, podemos dizer também que a potência de saída é maior
que a potência de entrada.
D ) Como a amplitude do sinal de entrada é maior, podemos dizer também que a potência de saída é maior
que a potência de entrada.
9 - O nome MOSFET significa transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor. Nos Transistores de
Efeito de Campo Semicondutor de Óxido Metálico, MOSFET, é como um transistor FET, porém o terminal
Porta isolado demais por uma fina camada de óxido de silício, o que faz com que os transistores MOSFET
tenham uma alta impedância (resistência) na entrada. Os transistores MOSFET são largamente utilizados em
fontes de alimentação como chaveadores, pois sua alta resistência na entrada e seu baixo consumo facilitam
tal operação. Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas: ( ) A
construção de um MOSFET tipo depleção de canal p é exatamente oposta à apresentada para de canal n, ou
seja, existe um substrato do tipo n e um canal do tipo p, permanecendo com os mesmos terminais, porém as
polaridades e sentido de tensão e corrente são invertidos. ( ) A curva característica é semelhante, porém
refletida em relação ao eixo IC. ( ) A equação de Shockley ainda é aplicável e requer apenas a utilização do
sinal correto de IJ e VD. ( ) Quando se trata do MOSFET tipo intensificação do canal p, teremos a mesma
situação descrita para o MOSFET tipo depleção, onde todos os materiais, tensão e corrente são invertidos.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
A ) V - V - F - F.
B ) V - F - F - V.
C ) F - V - V - F.
D ) F - V - F - V.
10 - O transistor de efeito de campo (FET) também é formado por três camadas semicondutoras.
Diferentemente dos transistores de junção, que são ativados por uma corrente elétrica, os FETs são ativados
por tensões elétricas e, por isso, podem amplificar ou anular a tensão elétrica de um circuito. Esses
transistores são mais baratos e mais fáceis de serem fabricados que os demais transistores, sendo largamente
utilizados em chips eletrônicos. Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir: I- Os FETs utilizam
uma barreira de Schottky (barreiras criadas pelo depósito de um metal como tungstênio sobre um canal do
tipo n) na porta é a principal diferença para os MOSFETs tipo n. II- O Transistor de Efeito de Campo, que,
como o próprio nome diz, funciona através do efeito de um campo elétrico na junção. Este tipo de transistor
tem muitas aplicações na área de amplificadores (operando na área linear), em chaves (operando fora da área
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linear) ou em controle de corrente sobre uma carga. III- Os FETs têm como principal característica uma
elevada impedância de entrada o que permite seu uso como adaptador de impedâncias podendo substituir
transformadores em determinadas situações, além disso são usados para amplificar frequências altas com
ganho superior ao dos transistores bipolares. Assinale a alternativa CORRETA:
A ) As sentenças I e III estão corretas.
B ) As sentenças II e III estão corretas.
C ) As sentenças I e II estão corretas.
D ) Somente a sentença II está correta.