Teste_ Atividade para avaliação - Semana 4 - MICROELETRONICA

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09/11/2020 Teste: Atividade para avaliação - Semana 4
https://cursos.univesp.br/courses/3200/quizzes/12983/take 1/5
1 ptsPergunta 1
A demanda por aplicações cada vez mais sofisticadas e complexas exige que o número de
componentes eletrônicos por unidade de área aumente. Isso pode ser constatado pela
constante diminuição do tamanho desses dispositivos. Complete as lacunas selecionando a
opção correta.
Segundo a lei de Moore, na década de 1980 a tecnologia CMOS permitiu que os
dispositivos eletrônicos tivessem dimensões mínimas de 2000nm , sendo que em 2010
a tecnologia FinFET permitiu que os dispositivos eletrônicos tivessem dimensões
mínimas de 20nm .
1 ptsPergunta 2
Deposição de fotorresiste, exposição do fotorresiste através de uma fotomáscara e revelação do SiO .
Deposição de fotorresiste, exposição do SiO através de uma fotomáscara e revelação do fotorresiste.
Deposição de fotorresiste, exposição do fotorresiste através de uma fotomáscara e revelação do fotorresiste.
Deposição de SIO , exposição do SiO através de uma fotomáscara e revelação do SiO .
Partindo-se de um substrato de silício já com uma camada depositada (por exemplo SiO ), as
principais etapas do processo fotolitográfico são:
2
2
2
2 2 2
1 ptsPergunta 3
Pensando especificamente na etapa de litografia, complete as lacunas selecionando a opção
correta.
A partir de uma geometria estabelecida pelo projetista do CI , a fotolitografia
faz a transferência do traçado para o fotorresiste por meio do uso de uma fonte
de luz . Após a sensibilização, faz-se a revelação e a posterior remoção
parcial do fotorresiste, resultando na geometria desejada.
09/11/2020 Teste: Atividade para avaliação - Semana 4
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1 ptsPergunta 4
A vantagem da fotolitografia é que partículas de sujeira se tornam invisíveis durante o processo de transferência do
traçado da fotomáscara para a superície da lâmina.
Para fabricar um circuito integrado (CI), precisamos de uma única máscara, que vai reproduzir os traçados
desenvolvidos pelo projetista.
Chama-se de fotomáscara a placa de quartzo e cromo que possui os traçados de uma camada (por exemplo, SiO )
de um único CI.
Em um fotorresite negativo, a geometria que se encontrava na fotomáscara será invertida na lâmina de silício.
O fotorresiste é um material que muda sua resistividade após a exposição à luz, permitindo a criação de regiões
condutoras, isolantes ou semicondutoras na superfície da lâmina.
Quanto aos aspectos específicos e a nomenclatura empregada na etapa de litografia, assinale
a alternativa correta:
2
1 ptsPergunta 5
Apenas I, II e III estão corretas.
Apenas I e II estão corretas.
Apenas II, III e V estão corretas.
Apenas I, III e IV estão corretas.
Todas estão corretas.
Após a exposição do fotorresiste, ocorre a etapa de revelação das estruturas. Essa etapa é
feita tradicionalmente mergulhando a lâmina com fotorresiste em um banho químico conhecido
como revelador. Para essa etapa de revelação, analise as seguintes afirmações:
O fotorresiste positivo possui uma taxa de revelação cerca de 100 vezes maior quando
ele é exposto em comparação a quando ele não é exposto à fonte de luz.
I.
O fotorresiste negativo é utilizado quando se fazem corrosões mais agressivas.II.
A aplicação do forresiste sobre a lâmina pode ser feita por gotejamento, obtendo uma
fina e regular camada por meio de centrifugação (spinning).
III.
A fotogravação pode ser feita pela incidência de luz no óxido de silício e sua posterior
revelação em uma solução adequada.
IV.
Ao final do processo de fotogravação, é comum deixar o fotorresiste até a fabricação
final do circuito integrado. 
V.
Quais dessas afirmações estão corretas?
09/11/2020 Teste: Atividade para avaliação - Semana 4
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1 ptsPergunta 6
Reduzindo o comprimento de onda da luz e aumentando a abertura numérica da lente de projeção.
Mantendo o comprimento de onda da luz e a abertura numérica da lente de projeção o mais estável possível face a
variações de temperatura.
Aumentando o comprimento de onda da luz e aumentando a abertura numérica da lente de projeção.
Aumentando o comprimento de onda da luz e reduzindo a abertura numérica da lente de projeção.
Reduzindo o comprimento de onda da luz e reduzindo a abertura numérica da lente de projeção.
É possível melhorar a resolução de um processo fotolitográfico (assinale a alternativa correta):
1 ptsPergunta 7
I, II, III, IV
I, III, IV, II
III, II, IV, I
IV, III, I, II
II, I, III, IV
Faça a associação entre as colunas, selecionando a alternativa que as preenche na ordem
correta. 
(I) Fotorresiste Positivo
(__) Não inverte as geometrias na
superfície da lâmina
(II) Fotorresiste Negativo
(__) Inverte as geometrias na superfície da
lâmina
(III) Fotorresiste negativo exposto
(__) Tem uma diminuição na sua taxa de
revelação
(IV) Fotorresiste positivo exposto
(__) Tem um aumento na sua taxa de
revelação
09/11/2020 Teste: Atividade para avaliação - Semana 4
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1 ptsPergunta 8
Os dispositivos eletrônicos devem ter camadas de isolação entre si, o que se consegue
utilizando camadas de óxido. Adicionalmente, e mais importante, transistores CMOS
funcionam a partir de uma estrutura capacitiva, que só pode ser obtida utilizando-se uma
camada dielétrica entre duas regiões condutoras. Essa camada também é obtida através de
oxidação do silício. Nessa perspectiva, complete as lacunas selecionando a opção correta.
A oxidação térmica permite obter uma camada de Óxido de silício a partir da lâmina de
silício. Depois do processo de oxidação, podemos abrir uma janela em uma região
específica a fim de realizar a etapa de dopagem .
1 ptsPergunta 9
Apenas as afirmações I e II estão corretas.
Apenas as afirmações III e IV estão corretas.
Apenas as afirmações I e III estão corretas.
Apenas as afirmações I, II, III estão corretas.
Apenas as afirmações I, II e IV estão corretas.
A etapa de oxidação é feita em fornos que oxidam o próprio silício da lâmina, transformando-o
em SiO . Tendo isso como base, analise as seguintes afirmações:2
O controle de temperatura em um forno de oxidação deve ser de ±1°C para
temperaturas da faixa de 600°C a 1280°
I.
Durante o processo de oxidação pirogênica, toma-se o cuidado para que o óxido
cresça apenas na superfície superior da lâmina, onde serão construídos os circuitos
integrados.
II.
No processo de oxidação térmica, 54% da espessura do óxido é crescida para além
da superfície original da lâmina.
III.
O aumento da espessura do óxido crescido termicamente se dá inicialmente de forma
parabólica e, depois, adquire um comportamento linear.
IV.
Assinale a alternativa correta:
1 ptsPergunta 10
09/11/2020 Teste: Atividade para avaliação - Semana 4
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Salvo em 9:36 
Contrariamente à difusão térmica, na implantação iônica a concentração máxima de impurezas ocorre na superfície
do substrato.
Na Implantação Iônica, íons ou moléculas ionizadas de elementos dopantes são acelerados num canhão
acelerador e levados a colidir sobre o substrato (alvo) a ser dopado.
Na implantação iônica, para evitar a canalização (channeling), não se deve inclinar o substrato em relação ao feixe
de íons.
Uma vantagem muito interessante da implantação iônica é que a concentração total final dos dopantes implantados
e a sua distribuição no interior do substrato não dependem da massa dos íons implantados.
Uma vantagem muito interessante da implantação iônica é que a concentração total final dos dopantes implantados
e a sua distribuição no interior do substrato não dependem da energia de aceleração.
A implantação iônica se tornou o processo preferencial de dopagem para obtenção das
regiões de dreno e fonte de transistores MOS, pois permite um controle eficaz de dose de
cargas implantadas e delimitação da regiãoe sua profundidade de implantação. Nesse
sentido, assinale a alternativa correta:
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