Uma barra de semicondutor tipo N de silício tem comprimento L = 3 mm. As faces conectadas aos terminais são metalizadas e têm dimensões de (50100)...

Uma barra de semicondutor tipo N de silício tem comprimento L = 3 mm. As faces conectadas aos terminais são metalizadas e têm dimensões de (50100) m. A concentração de impurezas doadoras é de 5  1012 cm–3 e a concentração de átomos de silício é de 5  1022 cm–3. Considere T = 300 K. A concentração intrínseca do silício in = 1.5  10
10 cm–3, a mobilidade dos elétrons n = 1350 cm2/(V.s) e a mobilidade das lacunas p = 480 cm
2/(V.s). A carga elementar e = 1.6  10–19 C. Qual a corrente que flui através da barra devido aos portadores majoritários? E qual a corrente que flui através da barra devido aos portadores minoritários?

a) A corrente que flui através da barra devido aos portadores majoritários é de 180 A.
b) A corrente que flui através da barra devido aos portadores minoritários é de 576 pA.